模擬技術(shù)
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8英寸碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展
當(dāng)前，大尺寸襯底成為碳化硅襯底制備技術(shù)的重要發(fā)展方向。...
意法半導(dǎo)體與理想汽車簽署碳化硅長期供貨協(xié)議助力800V平臺
12 月 22 日消息，據(jù)意法半導(dǎo)體官微消息，該公司與理想汽車簽署了一項(xiàng)碳化硅（SiC）長期供貨協(xié)議。...
2023-12-24 標(biāo)簽：MOSFET電動車意法半導(dǎo)體SiC碳化硅 1379
碳化硅功率器件在新能源電能變換中的應(yīng)用和挑戰(zhàn)
SiC器件在擊穿場強(qiáng)、熱導(dǎo)率、熔點(diǎn)、禁帶寬度、電子飽和漂移速度等方面具有優(yōu)勢。...
2023-12-24 標(biāo)簽：變換器SiC電機(jī)驅(qū)動器光伏逆變器碳化硅 1973
SiC器件在電能質(zhì)量控制產(chǎn)品中的應(yīng)用
電能質(zhì)量控制產(chǎn)品的性能指標(biāo)不僅與控制系統(tǒng)的性能指標(biāo)及控制算法密不可分，也與電力電子功率器件的性能指標(biāo)密切相關(guān)。...
2023-12-24 標(biāo)簽：控制系統(tǒng)IGBTSiC變流器有源電力濾波器 2530
針對工業(yè)和可再生能源應(yīng)用推出采用緊湊型SMD封裝CCPAK的GaN FET
GAN039-650NTB 是一款 33 mΩ（典型值）的氮化鎵場效應(yīng)管，采用 CCPAK1212i 頂部散熱封裝技術(shù)，開創(chuàng)了寬禁帶半導(dǎo)體和銅夾片封裝相結(jié)合的新時代。...
2023-12-24 標(biāo)簽：場效應(yīng)管FET氮化鎵GaNsmd封裝 1638
VMware不再有永久許可證了！
博通收購?fù)瓿珊蟛痪?，VMware就宣布了有關(guān)許可方式和對VMware客戶的支持周期的變化。盡管他們聲稱旨在“簡化”許可證，但這項(xiàng)改變卻使情況變得更糟。他們通過采用基于訂閱的許可模式，廢除...
2023-12-23 標(biāo)簽：VMware 1817
在金剛石上制造出的氮化鎵晶體管散熱性能提高2.3倍
氮化鎵（GaN）晶體管在工作過程中產(chǎn)生的熱量和由此引起的溫升會導(dǎo)致性能下降并縮短器件的壽命，因此亟需開發(fā)有效的散熱方法。...
你知道IGBT模塊的12道封裝工藝嗎？
作為新型功率半導(dǎo)體器件的主流器件，IGBT應(yīng)用非常廣泛，如家用電器、電動汽車、鐵路、充電基礎(chǔ)設(shè)施、充電樁，光伏、風(fēng)能，工業(yè)制造、電機(jī)驅(qū)動，以及儲能等領(lǐng)域。...
2023-12-22 標(biāo)簽：pcb光伏發(fā)電DBC功率半導(dǎo)體IGBT模塊 4945
IGBT模塊失效機(jī)理的兩大類分析
變壓器結(jié)電容相對于電壓變化率過大，導(dǎo)致的耦合電流干擾問題。這個問題導(dǎo)致的后果是，輸出邏輯錯誤，控制電路被干擾，電路失效等。...
2023-12-22 標(biāo)簽：變壓器智能電網(wǎng)IGBT驅(qū)動電路電流干擾 1948
信號發(fā)生器接晶體管放大電路的方法與技巧
信號發(fā)生器接晶體管放大電路的方法與技巧 一、引言 在電子設(shè)備中，信號發(fā)生器是一種能夠產(chǎn)生穩(wěn)定、準(zhǔn)確信號的儀器，常常用于測試和校準(zhǔn)其他電子設(shè)備。而放大電路則是將信號進(jìn)行放大的...
?第三代半導(dǎo)體之碳化硅行業(yè)分析報告
半導(dǎo)體材料目前已經(jīng)發(fā)展至第三代。傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體由于自身物理性能不足以及受限于摩爾定律，逐漸不適應(yīng)于半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展需求，砷化鎵、碳化硅、氮化鎵等化合物半導(dǎo)體也因而誕生。...
2023-12-21 標(biāo)簽：晶體管功率器件氮化鎵碳化硅第三代半導(dǎo)體 4631
諧波失真的概念及影響 示波器如何檢測諧波失真？
諧波失真的概念及影響 示波器如何檢測諧波失真？ 諧波失真是指在電子設(shè)備或電路中，輸出信號中含有非線性諧波分量，嚴(yán)重影響了信號的品質(zhì)和準(zhǔn)確性。它的產(chǎn)生通常是由于電子器件的非線...
碳化硅三極管的引腳辨識與焊接方式
碳化硅三極管的引腳辨識與焊接方式? 碳化硅三極管是一種被廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件。在進(jìn)行焊接之前，正確辨識并連接三極管的引腳非常關(guān)鍵。本文將詳細(xì)介紹碳化硅三極管的引...
碳化硅二極管的優(yōu)點(diǎn)和局限性分析
碳化硅二極管的優(yōu)點(diǎn)和局限性分析 碳化硅（SiC）二極管是一種新型半導(dǎo)體材料，在高頻電源電子裝置中得到了廣泛應(yīng)用。與傳統(tǒng)的硅（Si）材料相比，碳化硅二極管具有許多優(yōu)點(diǎn)和局限性。下面...
SiC三極管與SiC二極管的區(qū)別
SiC三極管與SiC二極管的區(qū)別? SiC三極管與SiC二極管是兩種使用碳化硅（SiC）材料制造的電子元件，它們在結(jié)構(gòu)、特性和應(yīng)用領(lǐng)域等方面存在一些明顯的區(qū)別。 首先，讓我們來了解一下SiC材料的...
SIC二極管電壓過低不穩(wěn)定的調(diào)試方法
SIC二極管電壓過低不穩(wěn)定的調(diào)試方法? 調(diào)試SIC二極管電壓過低不穩(wěn)定的問題需要遵循一定的步驟和方法。本文將詳細(xì)介紹如何進(jìn)行這樣的調(diào)試，并提供一些常見的故障排除技巧。 第一步：檢查...
2023-12-21 標(biāo)簽：SiC二極管恒定電流調(diào)節(jié)器 1671
碳化硅三極管的阻值測試方法
碳化硅三極管的阻值測試方法? 碳化硅是一種新型的半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)異的熱穩(wěn)定性、高電場飽和漂移速度和較小的漏電流等特點(diǎn)，在高功率和高溫應(yīng)用中具有廣泛的應(yīng)用前景。碳化硅三極管...
場效應(yīng)管和二極管的特點(diǎn)和優(yōu)勢
場效應(yīng)管兩端并二極管有什么用處? 場效應(yīng)管和二極管是電子器件中常見的兩類元件，它們在電路設(shè)計和應(yīng)用中有著重要的作用。 一、場效應(yīng)管的原理、結(jié)構(gòu)和特點(diǎn) 場效應(yīng)管是半導(dǎo)體元件中的...
2023-12-21 標(biāo)簽：放大器二極管場效應(yīng)管 2361
SIC MOSFET在電路中的作用是什么？
SIC MOSFET在電路中的作用是什么？ SIC MOSFET（碳化硅場效應(yīng)晶體管）是一種新型的功率晶體管，具有較高的開關(guān)速度和功率密度，廣泛應(yīng)用于多種電路中。 首先，讓我們簡要了解一下SIC MOSFET的基...
碳化硅功率器件的實(shí)用性不及硅基功率器件嗎
碳化硅功率器件的實(shí)用性不及硅基功率器件嗎? 碳化硅功率器件相較于傳統(tǒng)的硅基功率器件具有許多優(yōu)勢，主要體現(xiàn)在以下幾個方面：材料特性、功率密度、溫度特性和開關(guān)速度等。盡管碳化硅...
怎么提高SIC MOSFET的動態(tài)響應(yīng)？
怎么提高SIC MOSFET的動態(tài)響應(yīng)？ 提高SIC MOSFET的動態(tài)響應(yīng)是一個復(fù)雜的問題，涉及到多個方面的考慮和優(yōu)化。在本文中，我們將詳細(xì)討論如何提高SIC MOSFET的動態(tài)響應(yīng)，并提供一些可行的解決方案...
SIC MOSFET對驅(qū)動電路的基本要求
SIC MOSFET對驅(qū)動電路的基本要求? SIC MOSFET（碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）是一種新興的功率半導(dǎo)體器件，具有良好的電氣特性和高溫性能，因此被廣泛應(yīng)用于各種驅(qū)動電路中。SIC MO...
MOS管在電路中如何控制電流大小？
MOS管在電路中如何控制電流大?。?MOS管是一種非常常見的電子器件，常用于各種電路中來控制電流的大小。 一、MOS管的基本原理和結(jié)構(gòu) MOS管全稱金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)管，它是由金屬（...
2023-12-21 標(biāo)簽：MOS管場效應(yīng)晶體管擊穿電壓 7141
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