日B视频 亚洲,啪啪啪网站一区二区,91色情精品久久,日日噜狠狠色综合久,超碰人妻少妇97在线,999青青视频,亚洲一区二卡,让本一区二区视频,日韩网站推荐

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

電子發(fā)燒友網(wǎng)>模擬技術>

模擬技術

電子發(fā)燒友網(wǎng)為用戶提供了專業(yè)的模擬技術文章和模擬電子技術應用資料等;是值得收藏和分享的模擬技術與電子技術欄目。
中國電動汽車崛起對功率半導體行業(yè)意味著什么?

中國電動汽車崛起對功率半導體行業(yè)意味著什么?

中國電動汽車的崛起。在拆解比亞迪最新一代平價電動汽車海豹后,瑞銀汽車團隊認為到2030年,中國電動汽車廠商的全球市場份額將從2022年的17%增至33%,這將對全球供應商格局生重大影響。...

2023-11-21 標簽:電動汽車IGBTSiC功率半導體碳化硅 1038

IGBT認識:電力系統(tǒng)的開關死區(qū)的原理、意義和計算

IGBT認識:電力系統(tǒng)的開關死區(qū)的原理、意義和計算

死區(qū)時間,也**稱為互鎖延時時間(互鎖:即互相掣肘,對開關管來說就是Q1開通時候,Q2通過結合Q1控制邏輯必須關閉)...

2023-11-21 標簽:驅動器IGBT脈沖變壓器死區(qū)時間柵極電壓 7403

通過電路符號認知N溝道和P溝道MOSFET的工作原理

通過電路符號認知N溝道和P溝道MOSFET的工作原理

硬件面試中有遇到過這樣的事嗎?通常讓你畫一個增強型的MOSFET,或是N溝道MOSFET或是P溝道MOSFET...

2023-11-21 標簽:MOSFET閾值電壓 4767

功率器件各項參數(shù)及其應用領域對比

功率器件各項參數(shù)及其應用領域對比

功率半導體行業(yè)具有廣泛的應用前景和穩(wěn)定的市場需求,同時也是一個技術壁壘較高的領域。隨著新技術的發(fā)展和市場需求的多樣化,功率半導體行業(yè)將繼續(xù)保持增長態(tài)勢,并且將不斷推動技術...

2023-11-21 標簽:IGBT晶體管MOS功率器件碳化硅 1671

互調失真如何發(fā)生?如何防止互調失真?

互調失真如何發(fā)生?如何防止互調失真?

互調是在有源系統(tǒng)內或從外部源合并不需要的頻率分量的現(xiàn)象。兩個或兩個以上信號的組合將產生另一個信號,該信號可能會落入系統(tǒng)的另一個頻帶,并對系統(tǒng)造成干擾。...

2023-11-21 標簽:放大器功率放大器無線傳輸半導體芯片無源組件 1742

IGBT開關頻率和最大電流對扭矩影響分析

IGBT開關頻率和最大電流對扭矩影響分析

在電驅開發(fā)領域,IGBT特性是逆變器功率輸出限制的核心要素。...

2023-11-21 標簽:PWM逆變器IGBT額定電流電驅系統(tǒng) 1684

什么是“三電系統(tǒng)”和“電驅系統(tǒng)”? IGBT模塊結構和汽車IGBT模塊應用

什么是“三電系統(tǒng)”和“電驅系統(tǒng)”? IGBT模塊結構和汽車IGBT模塊應用

在駕駛新能源汽車時,電機控制器把動力電池放出的直流電(DC)變?yōu)榻涣麟姡ˋC)(這個過程即逆變),讓驅動電機工作,電機將電能轉換成機械能,再通過傳動系統(tǒng)(主要是減速器)讓汽車...

2023-11-20 標簽:新能源汽車IGBT配電箱整車控制器電驅系統(tǒng) 5925

一文看懂汽車芯片產業(yè)鏈中車載MCU分類及應用

一文看懂汽車芯片產業(yè)鏈中車載MCU分類及應用

汽車芯片的產業(yè)鏈中,上游一般為基礎半導體材料(硅片、光刻膠、CMP拋光液等)、制造設備和晶圓制造流程(芯片 設計、晶圓代工和封裝檢測);中游一般指汽車芯片制造環(huán)節(jié),包括智能駕駛芯片...

2023-11-20 標簽:mcuIGBT芯片制造adas智能駕駛 2405

國內碳化硅功率器件的發(fā)展現(xiàn)狀及未來趨勢

國內碳化硅功率器件的發(fā)展現(xiàn)狀及未來趨勢

主驅采用碳化硅,綜合損耗比硅器件降低70%,行程里程提升約5%。在OBC上采用碳化硅,器件數(shù)量減半,意味著被動器件直接減半,且配套的驅動電路也減少了,體積下降的同時成本也在下沉。這...

2023-11-20 標簽:新能源汽車驅動電路功率器件半導體器件碳化硅 2202

功率半導體技術挑戰(zhàn)和解決方案

功率半導體技術挑戰(zhàn)和解決方案

功率半導體,又稱電力電子器件或功率電子器件,是電子產業(yè)鏈中最核心的一類器件之一。能夠實現(xiàn)電能轉換和電路控制,在電路中主要起著功率轉換、功率放大、功率開關、線路保護、逆變(...

2023-11-20 標簽:MOSFETIGBT分立器件功率半導體碳化硅 4283

MOSFET結構、原理及測試

MOSFET結構、原理及測試

MOSFET由MOS(MetalOxideSemiconductor金屬氧化物半導體)+FET(FieldEffectTransistor場效應晶體管)這個兩個縮寫組成。即通過給金屬層(M-金屬鋁)的柵極和隔著氧化層(O-絕緣層SiO2)的源極施加電壓,產生電場的效...

2023-11-18 標簽:測試MOSFET晶體管 8236

全面解析功率半導體的分類、結構及工作原理

全面解析功率半導體的分類、結構及工作原理

分立式封裝中還有一種叫作壓接封裝(Press Packs)或餅形封裝(Capsules)的,主要應用于功率模塊尚不能達到的高功率范圍。在極高功率范圍,功率芯片的大小可以是一個整晶圓,如下圖,所以具有圓...

2023-11-19 標簽:整流器晶體管肖特基二極管功率模塊功率半導體 6696

基于SAR ADC的分布式系統(tǒng)設計解決方案

基于SAR ADC的分布式系統(tǒng)設計解決方案

平均過程通常由一個sinc濾波器在內部實現(xiàn),調制器的模擬轉換開始脈沖也在內部生成,因此不會從外部管控轉換過程觸發(fā)。這種類型的轉換器實際會連續(xù)采樣,跟蹤輸入信號,并處理獲得的數(shù)...

2023-11-19 標簽:電流轉換器濾波器adc模擬信號 706

電流檢測放大器電路設計集成方案

電流檢測放大器電路設計集成方案

對于電流檢測放大器電路設計 目前主要可以分為 分立方案以及集成方案 下面小編 主要為大家梳理比較一下 分立及集成方案的特點...

2023-11-19 標簽:pcb電流放大電路差分放大器無人機 1661

汽車IGBT模塊功率循環(huán)試驗設計

汽車IGBT模塊功率循環(huán)試驗設計

服役狀態(tài)下的 IGBT 模塊處于亞穩(wěn)定狀態(tài),其材料和結構會隨著時間的推移發(fā)生狀態(tài)改變或退化。IGBT 模塊在整個壽命周期內,會經歷數(shù)萬至數(shù)百萬次的溫度循環(huán)沖擊,這期間熱應力的反復作用會...

2023-11-19 標簽:電壓IGBT模塊芯片直流電流 2577

二極管選型這些參數(shù)你都知道嗎?

二極管選型這些參數(shù)你都知道嗎?

大家都知道二極管最主要的特性是單向導電性。但是由于二極管存在半導體體電阻和引線電阻,所以當外加正向電壓時,在電流相同的情況下,二極管的端電壓大于PN結上的壓降;...

2023-11-19 標簽:二極管電阻半導體電容 1534

常見的運放應用電路講解

常見的運放應用電路講解

常見的運放應用電路有同相比例放大器、電壓跟隨器、反相比例運算放大器、加法器、減法器、積分器等。運放的特點有輸入阻抗趨近于無窮大,輸出阻抗趨近于零,當工作在線性區(qū)時,利用虛...

2023-11-18 標簽:放大器應用電路運算放大器運放加法器 2757

淺談第三代半導體的氮化鎵性能優(yōu)勢

淺談第三代半導體的氮化鎵性能優(yōu)勢

新型電子器件 GaN 材料系列具有低的熱產生率和高的擊穿電場,是研制高溫大功率電子器件和高頻微波器件的重要材料。目前,隨著 MBE 技術在 GaN 材料應用中的進展和關鍵薄膜生長技術的突破,...

2023-11-17 標簽:MOSFETIGBT氮化鎵GaN第三代半導體 1461

開關電源調試最常見的問題有哪些

開關電源調試最常見的問題有哪些

按規(guī)格要求,必須有足夠的能量使輸出在20mS內上升到穩(wěn)定的輸出電壓(如5V)。 E=0.5*C*V^2 電容C越大,需要在20mS內從輸入傳輸?shù)捷敵龅哪芰扛蟆?..

2023-11-17 標簽:變壓器二極管開關電源開關管電源調試 1255

運算放大器負壓產生電路設計分析

運算放大器負壓產生電路設計分析

大概就是利用了電容兩端電壓不能突變的原理,MT3608是一個升壓芯片,VBUS是USB處取的5V,然后通過MT3608升壓到15V,并且額外通過二極管和電容,產生一個負壓,然后過79L12(負壓LDO芯片,注意不...

2023-11-17 標簽:二極管示波器運算放大器信號發(fā)生器 2057

如何簡單判斷一個場效應管的好壞?

如何簡單判斷一個場效應管的好壞? 場效應管(Field-Effect Transistor,簡稱FET)是一種廣泛應用于電子設備中的晶體管類型之一。要判斷一個場效應管的好壞,需要考慮其性能參數(shù)、制造工藝以及...

2023-11-17 標簽:場效應管FET 2960

碳化硅 MOSFET 給電力電子系統(tǒng)帶來哪些創(chuàng)新設計

碳化硅 MOSFET 給電力電子系統(tǒng)帶來哪些創(chuàng)新設計

我們常說,一代電力電子器件決定一代系統(tǒng)設計。那么,基于寬禁帶半導體材料的SiCMOSFET的出現(xiàn),將給電力電子系統(tǒng)設計帶來哪些顛覆性的改變?英飛凌零碳工業(yè)功率事業(yè)部技術總監(jiān)沈嵩先生,...

2023-11-17 標簽:MOSFETSiC碳化硅 1648

熱晶體管無需移動部件即可冷卻芯片?

電子晶體管是現(xiàn)代電子學的核心。這些設備精確地控制電流,但在這樣做的過程中,它們會產生熱量。...

2023-11-17 標簽:處理器散熱器晶體管碳化硅半導體設計 1537

詳解IGBT內部結構/特性/工作原理

詳解IGBT內部結構/特性/工作原理

IGBT 是絕緣柵雙極晶體管的簡稱,是一種三端半導體開關器件,可用于多種電子設備中的高效快速開關。 IGBT 主要用于放大器,用于通過脈沖寬度調制 (PWM) 切換/處理復雜的波形。 你可以看到...

2023-11-17 標簽:MOS管IGBT晶體管PMOS開關器件 5324

國產碳化硅MOS推薦-DCDC轉換器

國產碳化硅MOS推薦-DCDC轉換器

DCDC轉換器是一種臨時儲存電能的設備,作用是將直流電從一個電壓水平轉換為另一個電壓水平。...

2023-11-17 標簽:隔離器直流電dcdc轉換器碳化硅 1722

大功率直流穩(wěn)壓電源選擇MOS管有什么要注意的?

大功率直流穩(wěn)壓電源選擇MOS管有什么要注意的? 大功率直流穩(wěn)壓電源在選擇MOS管時需要注意以下幾個方面: 1.功率和電流能力:選擇MOS管時需要考慮到所需電路的功率和電流需求,確保選用的...

2023-11-16 標簽:MOS管直流穩(wěn)壓電源 1929

直流電源MOS管GS之間的電阻有什么用呢?

直流電源MOS管GS之間的電阻有什么用呢? 直流電源MOS管的GS之間的電阻在電路中發(fā)揮著重要的作用。GS電阻可以被視為是MOS管的輸入阻抗,可以影響電路的整體性能。下面將詳細討論GS電阻的功能...

2023-11-16 標簽:MOS管直流電源漏電流 3530

關于TVS漏電流的問題分析

關于TVS漏電流的問題分析

 對于一些面板上的撥碼開關等電路,為了增加抗ESD能力,通常需要串入TVS管。但要注意由于TVS管的漏電流過大,以致上拉電阻上的壓降過大,從而造成高電平過低,不能達到CMOS的高電平閾值...

2023-11-16 標簽:CMOSTVSTVS管漏電流 3150

電阻選型的關鍵參數(shù)分析 5點搞透電阻選型

電阻選型的關鍵參數(shù)分析 5點搞透電阻選型

歐姆(Georg Simon 0hm,1787~1854年)是德國物理學家。生于巴伐利亞埃爾蘭根城。歐姆定律及其公式的發(fā)現(xiàn),給電學的計算,帶來了很大的方便。 人們?yōu)榱思o念他,將電阻的單位定為歐姆,簡稱“歐”...

2023-11-16 標簽:led電阻電阻器額定電壓光敏電阻 2087

如何平衡MOSFET提高電源效率的優(yōu)化方案

如何平衡MOSFET提高電源效率的優(yōu)化方案

MOSFET 的選擇關乎效率,設計人員需要在其傳導損耗和開關損耗之間進行權衡。傳導損耗發(fā)生在在 MOSFET 關閉期間,由于電流流過導通電阻而造成;開關損耗則發(fā)生在MOSFET 開關期間,因為 MOSFET...

2023-11-15 標簽:MOSFET變換器寄生電容開關損耗MOSFET變換器寄生電容開關損耗電流紋波 1413

編輯推薦廠商產品技術軟件/工具OS/語言教程專題

都江堰市| 峨边| 日喀则市| 乐安县| 克山县| 名山县| 绵竹市| 巩义市| 鄂伦春自治旗| 吉木乃县| 辛集市| 米林县| 苍南县| 赫章县| 临汾市| 厦门市| 西乌| 克东县| 东平县| 开封市| 巴林右旗| 京山县| 玛沁县| 永德县| 桂林市| 桂阳县| 吉首市| 大名县| 桂平市| 德清县| 吉木乃县| 清镇市| 青浦区| 秀山| 南丰县| 封丘县| 南阳市| 嘉善县| 鞍山市| 永年县| 郁南县|