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TurMass? 窄帶無線通訊技術基于高效的 DPFSK 調制和極化碼編碼等先進的無線通訊技術手段，以及底層靈活多變的時隙組成。每一次傳輸都是通過信標時隙開始，后面可以根據客戶需求隨意組合，包括數據上下行的時隙，空閑時隙等等，這一系列的時隙構成了一個時隙組。

LMG3626EVM-074：LMG3626 用于具有 USB C 型? PD 的 65W 準諧振反激式轉換器的評估模塊...

繼電器是控制電路的電子元器件，通過感應輸入電流的變化控制電路的通斷，通常用于自動化控制電路中，在電路中起著自動調節(jié)、隔離、安全保護和轉換等作用。直流繼電器通常有5個引腳，其中有兩個引腳是線圈控制引腳，其他3個引腳分別是是常開端、常閉端和公共端。在沒有上電時，線圈沒有通電，常閉端和公共端相連，常開端和公共端斷開；上電后，線圈通電，常開端和公共端相連，常閉端和公共端斷開。所以繼電器就相當于是一個開關，可以

多相電源因其高效率、高功率密度、優(yōu)秀的熱管理和快速動態(tài)響應等優(yōu)勢，在多個行業(yè)中有著廣泛的應用，比如：高性能計算（HPC）、通信基站、智能駕駛、ASIC 或處理器的內核電源以及服務器的存儲器應用等。

LMG3622EVM-082 使用具有電流感應仿真功能的 LMG3622 集成 GaN FET 演示了 65W USB Type-C? 供電 （PD） 離線適配器的高效率和高密度。輸入支持通用 90 V~交流~至 265 V~交流~單路輸出可設置為 5V、9V 和 15V（最大 3A）和 20V（最大 3.25A），可通過 USB PD 接口控制器進行調整。高達 200kHz 標稱頻率的高頻運行可實現(xiàn)小尺寸解決方案，同時多模式運行可保持高效率。在輸出上使用同步整流以提高效率。

01項目背景在現(xiàn)代汽車制造業(yè)中，汽車方向盤的品質和裝配精度對于駕駛體驗和安全性至關重要。方向盤殼體間縫隙的測量是確保方向盤裝配質量的關鍵環(huán)節(jié)之一。由于現(xiàn)代方向盤設計普遍采用符合人體工學的異形曲面結構，其殼體接縫處往往呈現(xiàn)多維空間曲線特征。傳統(tǒng)測量工具在面對這種復雜形狀時，往往難以準確測量縫隙。深視智能SRI8020一體式三維激光輪廓測量儀通過非接觸式的激光掃

安科瑞充電樁運營方案，智能管控，盈利無憂

在石化行業(yè)這個充滿挑戰(zhàn)與風險的領域，安全隱患猶如隱藏在暗處的“幽靈”，時刻威脅著生產的安全與穩(wěn)定。傳統(tǒng)的巡檢方式往往依賴于人工經驗，存在一定的局限性。而大核桃防爆手機的出現(xiàn)，以其獨特的“人機協(xié)同”智能巡檢模式，從預防到控制，為精準識別石化安全隱患提供了強有力的保障。一、“防”：智能預警，提前構筑安全防線大核桃防爆手機的智能預警功能是其預防安全隱患的重要手段。

LMG342xR050 集成了一個硅驅動器，可實現(xiàn)高達 150V/ns 的開關速度。與分立硅柵極驅動器相比，TI 的集成精密柵極偏置可實現(xiàn)更高的開關 SOA。這種集成與 TI 的低電感封裝相結合，可在硬開關電源拓撲中提供干凈的開關和最小的振鈴。可調節(jié)的柵極驅動強度允許控制 20V/ns 至 150V/ns 的轉換速率，可用于主動控制 EMI 并優(yōu)化開關性能。LMG3426R050 包括零電壓檢測 （ZVD） 功能，當實現(xiàn)零電壓切換時，該功能可從 ZVD 引腳提供脈沖輸出。

LMG2650EVM-100 旨在提供一個快速簡便的平臺，用于評估任何半橋拓撲中的 TI 集成 GaN 器件。該板設計為使用板底部邊緣的 6 個電源引腳和 12 個數字引腳以插座式外部連接與更大的系統(tǒng)連接。電源引腳構成主開關回路，由高壓直流總線、開關節(jié)點和電源接地組成。數字引腳通過 PWM 門輸入控制 LMG2650 器件，通過低壓電源提供輔助電源，并將故障報告為數字輸出。

安科瑞EMS3.0：助力“雙碳”目標，打造智慧能源新生態(tài)

此參考設計是一個 65W USB PD3.0 適配器 適用于許多充電應用，包括 手機、筆記本電腦和平板電腦。設計 實現(xiàn)高效率和功率密度 使用LMG3624集成 GaN FET 和電流感應仿真。高效率 通過準諧振反激式實現(xiàn)，該 在簡單性和低級之間提供平衡 切換損耗

該下載器把SPI與JTAG管腳進行了分開處理。鑒于JTAG使用較多，SPI使用較少，所以把JTAG放在插座上側。

高通AR1 Gen1芯片詳細介紹 高通AR1 Gen1是高通于2023年9月推出的首款專為輕量級AI/AR智能眼鏡設計的專用處理器平臺，旨在平衡高性能與低功耗，推動智能眼鏡向時尚化、實用化方向發(fā)展。其核心設計理念是通過終端側AI能力與優(yōu)化的硬件架構，支持實時交互、高質量拍攝及全天候佩戴體驗。 核心參數與技術特性 工藝與架構 制程工藝 ：采用6nm制程，兼顧性能與能效。 AI引擎 ：集成第三代Hexagon NPU，終端側AI算力提升顯著，支持視覺搜索、實時翻譯、定向音

LMG342XEVM - 04X 包含兩個以半橋配置的 LMG342XR0X0 氮化鎵場效應晶體管（GaN FET）。所有的偏置和電平轉換組件都已集成，這使得低側參考信號能夠控制兩個場效應晶體管。功率級上配備了高頻去耦電容，采用優(yōu)化布局，以盡量減少寄生電感并降低電壓過沖。

LMG2100R026 評估模塊是一款緊湊且易于使用的功率級模塊，通過外部 PWM 信號進行控制。該電路板可配置為降壓轉換器、升壓轉換器或其他使用半橋的轉換器拓撲。此器件可用于評估 LMG2100R026 作為硬開關轉換器在效率、開關速度和 dv/dt（斜率）等樣本測量方面的性能。該 EVM 配備一個由 90V 氮化鎵場效應晶體管（GaN FET）半橋柵極驅動器驅動的 LMG2100R026 半橋功率模塊，該模塊集成了兩個 100V、2.6mΩ 的 GaN FET。

BOOSTXL - LMG2100 - MD 評估模塊，在本文檔中也稱為 “EVM”，通過基于分流器的精確電流檢測，實現(xiàn)了具有精確相電流控制的氮化鎵（GaN）逆變器，適用于伺服驅動器等精確驅動控制。該 EVM 提供了一個與 TI BoosterPack?兼容的接口，可連接到 C2000 MCU LaunchPad 開發(fā)套件，以便于進行性能評估。如需更多測試結果和技術信息，請參考 TIDA - 010936。

技術資料#LMG2100R026 100V 2.6mΩ 半橋氮化鎵 （GaN） 功率級...

UCG28826EVM - 093評估模塊的用戶指南...

UCG28826 是一款高頻準諧振反激式轉換器，內置 170mΩ GaN 高電子遷移率晶體管 （HEMT），可將交流轉換為直流，以實現(xiàn)高達 65W 的功率轉換器。它最適合高功率密度應用，例如手機快速充電器和筆記本電腦適配器。該器件的主要特點是自偏置和無輔助傳感方案，完全消除了對輔助繞組的需求，以更高的效率簡化了系統(tǒng)設計。