東微半導(dǎo)4月28日披露2025年年度報(bào)告。2025年，公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)總收入12.53億元，同比增長(zhǎng)24.87%；歸母凈利潤(rùn)4621.04萬(wàn)元，同比增長(zhǎng)14.85%；扣非凈利潤(rùn)789.71萬(wàn)元，同比增長(zhǎng)240.49%；經(jīng)營(yíng)活動(dòng)產(chǎn)生的現(xiàn)金流量?jī)纛~為-1.92億元，上年同期為-8831.32萬(wàn)元。

一、營(yíng)收逆勢(shì)增長(zhǎng)：核心產(chǎn)品全線發(fā)力，結(jié)構(gòu)持續(xù)優(yōu)化

2025 年，全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)受新能源汽車、光伏等下游行業(yè)去庫(kù)存影響，需求放緩、價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)激烈。東微半導(dǎo)憑借深厚的技術(shù)壁壘與優(yōu)質(zhì)的客戶結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)營(yíng)收逆勢(shì)增長(zhǎng)，較 2024 年的 10.03 億元凈增 2.5 億元，連續(xù)多年保持 20% 以上的復(fù)合增速。

分產(chǎn)品看，公司四大核心產(chǎn)品線全面增長(zhǎng)，結(jié)構(gòu)持續(xù)優(yōu)化：

• 超級(jí)結(jié) MOSFET：營(yíng)收9.17 億元，同比增長(zhǎng)17.07%，占總營(yíng)收73.2%，為絕對(duì)主力。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于新能源汽車充電樁、工業(yè)電源、光伏逆變器等領(lǐng)域，技術(shù)對(duì)標(biāo)國(guó)際巨頭，國(guó)產(chǎn)替代持續(xù)深化。
• 中低壓屏蔽柵 MOSFET：營(yíng)收2.71 億元，同比大增51.04%，成為增長(zhǎng)最快引擎。受益于 AI 服務(wù)器、工業(yè)控制、消費(fèi)電子等領(lǐng)域需求，產(chǎn)品性價(jià)比優(yōu)勢(shì)凸顯，市場(chǎng)份額快速提升。
• TGBT（三柵 IGBT）：營(yíng)收4523.43 萬(wàn)元，同比增長(zhǎng)21.77%。自研創(chuàng)新結(jié)構(gòu)，在新能源車電控、光伏儲(chǔ)能等場(chǎng)景逐步突破，為中長(zhǎng)期增長(zhǎng)儲(chǔ)備動(dòng)能。
• SiC（碳化硅）及超級(jí)硅 MOSFET：SiC 器件完成車規(guī)認(rèn)證并小批量量產(chǎn)，超級(jí)硅 MOSFET 營(yíng)收297.50 萬(wàn)元，同比增長(zhǎng)24.74%，布局第三代半導(dǎo)體，打開(kāi)高端成長(zhǎng)空間。

二、盈利質(zhì)量分化：扣非大幅扭虧，非經(jīng)常性損益托底

2025 年公司盈利呈現(xiàn) "營(yíng)收高增、利潤(rùn)溫和增長(zhǎng)、扣非顯著改善" 的特征。

• 毛利率穩(wěn)步提升：全年毛利率16.23%，同比提升1.94 個(gè)百分點(diǎn)，主要得益于中低壓 MOSFET 等高毛利產(chǎn)品占比提升、工藝優(yōu)化與規(guī)模效應(yīng)。
• 凈利潤(rùn)增速放緩：歸母凈利潤(rùn)增速（14.85%）低于營(yíng)收增速（24.87%），主要受行業(yè)價(jià)格戰(zhàn)、研發(fā)高投入、費(fèi)用增加影響。
• 扣非凈利顯著改善：扣非凈利潤(rùn) 789.71 萬(wàn)元，同比增長(zhǎng) 240.49%，實(shí)現(xiàn)扭虧為盈，反映主營(yíng)業(yè)務(wù)盈利能力逐步修復(fù)。
• 非經(jīng)常性損益貢獻(xiàn)突出：全年非經(jīng)常性損益達(dá)3831.33 萬(wàn)元，占?xì)w母凈利潤(rùn)82.92%，主要來(lái)自金融資產(chǎn)處置收益（3225.78 萬(wàn)元）與政府補(bǔ)助（1149.81 萬(wàn)元），對(duì)利潤(rùn)形成重要支撐。

三、研發(fā)與投入：持續(xù)加碼前沿技術(shù)，筑牢長(zhǎng)期壁壘

作為技術(shù)驅(qū)動(dòng)型企業(yè)，東微半導(dǎo)在行業(yè)低谷期堅(jiān)持高強(qiáng)度研發(fā)投入，為長(zhǎng)期發(fā)展筑牢壁壘。

• 研發(fā)投入創(chuàng)新高：2025 年研發(fā)費(fèi)用超1 億元，研發(fā)費(fèi)用率保持在8% 以上，重點(diǎn)投向 SiC MOSFET、TGBT、高壓超級(jí)結(jié) MOSFET、車規(guī)級(jí)器件等前沿領(lǐng)域。
• 專利與認(rèn)證突破：全年新增多項(xiàng)發(fā)明專利，SiC 器件通過(guò)車規(guī)級(jí)認(rèn)證，12 英寸晶圓工藝迭代推進(jìn)，產(chǎn)品性能與國(guó)際一流水平差距持續(xù)縮小。
• 產(chǎn)能與客戶拓展：深度綁定華虹、粵芯等代工廠，保障產(chǎn)能供應(yīng)；客戶結(jié)構(gòu)持續(xù)優(yōu)化，覆蓋 AI 數(shù)據(jù)中心、新能源汽車頭部企業(yè)、工業(yè)控制龍頭，高端客戶占比提升。

四、財(cái)務(wù)狀況：現(xiàn)金流短期承壓，資產(chǎn)質(zhì)量穩(wěn)健

• 現(xiàn)金流階段性承壓：經(jīng)營(yíng)活動(dòng)現(xiàn)金流凈額 **-1.92 億元 **，同比惡化，主要受下游去庫(kù)存導(dǎo)致回款放緩、存貨備貨增加影響。
• 財(cái)務(wù)結(jié)構(gòu)穩(wěn)健：截至 2025 年末，公司總資產(chǎn)31.19 億元，歸母凈資產(chǎn)29.41 億元，資產(chǎn)負(fù)債率僅5.71%，現(xiàn)金儲(chǔ)備充足，抗風(fēng)險(xiǎn)能力極強(qiáng)。
• 分紅回饋股東：公司發(fā)布 2025 年度利潤(rùn)分配預(yù)案，擬每 10 股派發(fā)現(xiàn)金紅利0.754 元（含稅），合計(jì)派現(xiàn)約924 萬(wàn)元，彰顯對(duì)長(zhǎng)期發(fā)展的信心。