功率器件
電子發(fā)燒友網(wǎng)功率器件欄目提供電源設(shè)計中所需的功率器件最新應(yīng)用技術(shù)和方法以及電源設(shè)計相關(guān)內(nèi)容，是電源工程師喜歡的網(wǎng)站。
如何用示波器正確地測量開關(guān)電源
火線(L)：也稱相線，由發(fā)電站或變電站提供，電壓220V，人體接觸會有危險;...
2022-02-22 標(biāo)簽：測試開關(guān)電源示波器 18054
碳化硅進軍消費類市場，引領(lǐng)手機快充新潮流
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/李誠）隨著智能手機的快速發(fā)展，手機續(xù)航和充電體驗成為了手機廠商和消費者首要關(guān)注的問題。在手機充電領(lǐng)域中氮化鎵的應(yīng)用最為廣泛，也是被消費者最為熟知的一...
Vishay推出PowerPAK? 8x8L封裝60 V和80 V N溝道MOSFET，優(yōu)異的RDS(ON)導(dǎo)通電阻低至0.65 m
Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出兩款n溝道TrenchFET? MOSFET---60 V SiJH600E和80 V SiJH800E，以提高通信和工業(yè)應(yīng)用功率密度、能效和板級可靠性。...
東芝新推出的1200V和1700V碳化硅MOSFET模塊
?東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）已推出兩款碳化硅(SiC) MOSFET雙模塊：額定電壓為1200V、額定漏極電流為600A的“MG600Q2YMS3”；額定電壓為1700V、額定漏極電流為400A的“MG400V2YMS3”...
東芝推出全新1200V和1700V碳化硅MOSFET模塊，助力實現(xiàn)尺寸更小，效率更高的工業(yè)
東芝電子宣布，推出兩款全新碳化硅（SiC）MOSFET雙模塊---“MG600Q2YMS3”和“MG400V2YMS3”。...
數(shù)字IC電源的雙線性穩(wěn)壓器可實現(xiàn)實時輸出調(diào)整和動態(tài)余量優(yōu)化
通常，LDO 穩(wěn)壓器需要修改硬件來調(diào)整其輸出電壓，但如果規(guī)格不斷變化，則電路板和組件的更改可能會增加大量的開發(fā)時間。在此類應(yīng)用中，具有軟件可編程輸出電壓的 LDO 穩(wěn)壓器可以節(jié)省時間...
2022-01-20 標(biāo)簽：電源ADI穩(wěn)壓器ldo線性穩(wěn)壓器 7610
納微半導(dǎo)體新一代氮化鎵功率芯片全力支持vivo旗下iQOO子品牌iQOO 9 Pro手機120W氮
2022年1月18日，納微半導(dǎo)體正式宣布，其新一代增加GaNSense技術(shù)的智能GaNFast氮化鎵功率芯片已用于vivo公司旗下iQOO子品牌iQOO 9 Pro手機所標(biāo)配的120W超快閃充迷你充電器中。...
2022-01-19 標(biāo)簽：充電器氮化鎵vivo納微半導(dǎo)體 3774
pt100溫度傳感器顯示負(fù)數(shù)是什么原因
pt100溫度感應(yīng)器表明負(fù)值，主要是因為PT100熱電偶使用時間太長，震動或維護防水套管浸蝕，促使PT100毀壞，電阻器低于100歐姆，因此便會表明負(fù)數(shù)。...
pt100熱電阻的測溫范圍是多少
熱電阻是中低溫區(qū)最常用的一種溫度檢測器。它的主要特點是測量精度高，性能穩(wěn)定。其中鉑熱是阻的測量精確度是最高的，它不僅廣泛應(yīng)用于工業(yè)測溫，而且被制成標(biāo)準(zhǔn)的基準(zhǔn)儀。熱電阻是基...
Transphorm的快速充電器和電源適配器用GaN器件
高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先驅(qū)和全球供應(yīng)商Transphorm, Inc. (OTCQX: TGAN)今天宣布，該公司2021年12月份的SuperGaN? Gen IV場效應(yīng)晶體管(FET)出貨量突破100萬大關(guān)。這一里程碑進一步證實...
2022-01-16 標(biāo)簽：充電器FET電源適配器GaNTransphorm 5299
東芝推出新款I(lǐng)C芯片可為提升穿戴和物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備續(xù)航能力開辟道路
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）已向市場推出了“TCK12xBG系列”負(fù)載開關(guān)IC，其靜態(tài)電流[1]顯著降低，額定輸出電流為1A。這些新型IC采用小型WCSP4G封裝，將支持產(chǎn)品開發(fā)者研發(fā)創(chuàng)...
2022-01-16 標(biāo)簽：智能手機東芝物聯(lián)網(wǎng)可穿戴設(shè)備 6220
軟啟動器旁路接觸器如何判斷？
可以選擇用萬用表測量交流接觸器的輸入端是否有三相線電壓，再在吸合狀態(tài)下快速測量交流接觸器的輸出側(cè)的三相線電壓是否正常。另外，大功率電機運行時不要拆除接觸器的滅弧罩來運行，...
交流接觸器線圈的維護保養(yǎng)
而若是該接觸器的觸頭表面有因電弧而出現(xiàn)的小珠，也應(yīng)對其進行及時的清除；而若是銀和銀基合金觸頭表面因分?jǐn)嚯娀。霈F(xiàn)黑色的氧化膜物質(zhì)是沒必要對其進行清除的。...
電動機配用交流接觸器的選用原則
電動機選擇交流接觸器要根據(jù)電機功率選擇合適大小就行，1.5-2.5倍，一般其選型手冊上有型號，還得注意輔助觸點的匹配，不要到時候買回來輔助觸點不夠用。...
漏電保護器跳閘排除方法
主要查找剩余電流動作保護器自身故障。具體操作方法是：先切斷電源，再將剩余電流動作保護器的零序互感器負(fù)荷側(cè)引線全部拆除（二級、三級剩余電流動作保護器直接將出線拆除）再合保護...
川土微電子|隔離電源的輻射抑制設(shè)計參考（三）
構(gòu)建邊緣防護 電源層和地層之間 的電場是變化的，在 PCB 板的會向外輻射電磁干擾，稱為邊緣效應(yīng)。將電源層內(nèi)縮，使得電場只在接地層的范圍內(nèi)傳導(dǎo)， 以減少向外輻射。若電源平面的邊緣到...
2021-12-31 標(biāo)簽：單片機電磁輻射數(shù)字隔離器隔離電源數(shù)字隔離 4058
國內(nèi)首條！基本半導(dǎo)體汽車級碳化硅功率模塊專用產(chǎn)線正式通線
12月30日，基本半導(dǎo)體位于無錫市新吳區(qū)的汽車級碳化硅功率模塊制造基地正式通線運行，首批碳化硅模塊產(chǎn)品成功下線。這是目前國內(nèi)第一條汽車級碳化硅功率模塊專用產(chǎn)線，采用先進碳化硅...
2021-12-31 標(biāo)簽：MOSFETSiC功率模塊碳化硅基本半導(dǎo)體 3463
川土微電子|隔離電源的輻射抑制設(shè)計參考（二）
VCC 去耦電容 芯片內(nèi)置的微型變壓器的頻率高達約 70MHz，短時間內(nèi)如此大頻率的切換，將引起較大的 dv/dt 及di/dt，將產(chǎn)生一定的電磁輻射。 微型變壓器的原副邊電流路徑的環(huán)路面積影響著輻射干...
2021-12-31 標(biāo)簽：阻抗電感電磁輻射數(shù)字隔離器數(shù)字隔離 3326
交流接觸器的選用與運行維護
根據(jù)負(fù)載的功率和操作情況來確定接觸器主觸頭的電流等級。當(dāng)接觸器的使用類別與所控制負(fù)載的工作任務(wù)相對應(yīng)時，一般應(yīng)使接觸器主觸頭的電流額定值與所控制負(fù)載的電流值相當(dāng)，或稍大一...
接觸器的觸點有幾種?
當(dāng)測量接觸器初始狀態(tài)正常時，再測量接觸的吸合狀態(tài)，測量接觸器吸合狀態(tài)并不需要給接觸器通電，使用螺絲刀頂住接觸器的中間位置進行手動吸合。接觸器吸合后，主觸點閉合，輔助觸點，...
接觸器的線圈接在哪里？
在交流接觸器實物中這些接頭是以符號標(biāo)記接觸器上面的。L1、L2、L3這三個符號是接三相電源的三個接頭，T1、T2、T3這三個符號是接出線電機的，A1、A2是接觸器的兩個線圈，剩下的四個是常開...
高壓電流互感器型號規(guī)格參數(shù)
保護型準(zhǔn)確級；P代表保護用，保護用電流互感器準(zhǔn)確級常用有5P和10P級，由于短路過程中I1和I2的好、關(guān)系復(fù)雜，故保護級的精確級是以額定值一次電流下的誤差標(biāo)稱的，所謂額定限制一次電流...
泰克攜手第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟標(biāo)準(zhǔn)化委員會（CASAS）攻克第三代
第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟秘書長于坤山與安世半導(dǎo)體全球研發(fā)副總裁、I&M事業(yè)部總經(jīng)理姜克共同主持了研討會，并與參會嘉賓現(xiàn)場交流答疑。...
2021-12-17 標(biāo)簽：MOSFET泰克半導(dǎo)體測試 1354
宋仕強關(guān)于薩科微半導(dǎo)體發(fā)展歷程答記者
宋仕強關(guān)于薩科微半導(dǎo)體發(fā)展歷程答記者 受訪對象：薩科微半導(dǎo)體創(chuàng)始人宋仕強先生 采訪主題：薩科微半導(dǎo)體的成長史的幾個問題 近年來，在半導(dǎo)體“國產(chǎn)替代”和解決歐美國家對我們“卡脖...
Soitec 攜手美爾森，為電動汽車市場開發(fā)多晶碳化硅襯底
設(shè)計和生產(chǎn)創(chuàng)新性半導(dǎo)體材料的全球領(lǐng)軍企業(yè) Soitec 宣布，與全球電力和先進材料領(lǐng)域?qū)＜颐罓柹_成戰(zhàn)略合作，攜手為電動汽車市場開發(fā)多晶碳化硅（poly-SiC）系列襯底。...
SiC MOSFET替代Si MOSFET,只有單電源正電壓時如何實現(xiàn)負(fù)壓？
用+14V左右的穩(wěn)壓管Z1加上Z2管正向?qū)▔航?，在開通時候?qū)㈦妷悍€(wěn)定在+15V左右，這樣在開關(guān)管導(dǎo)通時電容C10上就會有3V壓降。...
2021-12-06 標(biāo)簽：單電源SiC MOSFET 5905
宏光半導(dǎo)體完成配售14,346,000股
配售事項所得款項凈額，經(jīng)扣除專業(yè)費用及其他相關(guān)開支后，約為8，620萬港元。集團擬將約6，430萬港元用于加強LED、MiniLED、快速電池充電、氮化鎵（「GaN」）設(shè)備及相關(guān)半導(dǎo)體產(chǎn)品之研發(fā)能力...
2021-12-02 標(biāo)簽：GaN半導(dǎo)體行業(yè) 666
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