功率器件
電子發(fā)燒友網(wǎng)功率器件欄目提供電源設(shè)計(jì)中所需的功率器件最新應(yīng)用技術(shù)和方法以及電源設(shè)計(jì)相關(guān)內(nèi)容，是電源工程師喜歡的網(wǎng)站。
華微電子持續(xù)增加研發(fā)投入 用技術(shù)創(chuàng)新賦能企業(yè)發(fā)展
隨著社會(huì)經(jīng)濟(jì)的不斷發(fā)展，創(chuàng)新一詞逐漸進(jìn)入大眾的視野，成為人們關(guān)注的焦點(diǎn)?，F(xiàn)如今，創(chuàng)新已經(jīng)成為社會(huì)中不可或缺的一部分，對(duì)于國(guó)家、民族而言，它是發(fā)展進(jìn)步的靈魂和不竭動(dòng)力，對(duì)于...
2021-09-15 標(biāo)簽：芯片電力電子功率半導(dǎo)體功率半導(dǎo)體華微電子電力電子芯片 7777
國(guó)產(chǎn)高壓SiC MOSFET介紹及競(jìng)品分析
工業(yè)4.0時(shí)代及電動(dòng)汽車(chē)快速的普及，工業(yè)電源、高壓充電器對(duì)功率器件開(kāi)關(guān)損耗、功率密度等性能也隨之提高，傳統(tǒng)的Si-MosFet性能已被開(kāi)發(fā)的接近頂峰，SiC MOSFET在開(kāi)關(guān)頻率、散熱、耐壓、功率...
UnitedSiC推出業(yè)界最佳6mΩ SiC FET
UnitedSiC的第4代SiC FET采用了“共源共柵”拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，其內(nèi)部集成了一個(gè)SiC JFET并將之與一個(gè)硅MOSFET封裝在一起。...
功率因數(shù)補(bǔ)償器原理
檢測(cè)功率因數(shù)投、切法的思想是，當(dāng)一個(gè)系統(tǒng)功率因數(shù)下降至低于下限整定值時(shí)投入補(bǔ)償電容器，當(dāng)功率因數(shù)超過(guò)上限整定值時(shí)切除補(bǔ)償電容器。圖一說(shuō)明此控制方式的原理。...
熱電偶焊接一方法
把一號(hào)電池的碳棒拆出來(lái)，把一頭磨尖，用塑料銅芯線(xiàn)在碳棒上繞兩圈后用鋼絲鉗擰緊，然后接至調(diào)壓器低壓輸出端，調(diào)壓器另一端接待焊的熱電偶，通電前認(rèn)好調(diào)壓器的火（L）、零（N）線(xiàn)，...
2021-10-06 標(biāo)簽：熱電偶控制系統(tǒng)焊接 9307
應(yīng)用材料公司全新技術(shù)助力領(lǐng)先的碳化硅芯片制造商加速向200毫米晶圓轉(zhuǎn)型并提
SiC 電力半導(dǎo)體能夠?qū)㈦姵仉娏扛咝мD(zhuǎn)化為扭力，從而提升車(chē)輛性能并增大里程范圍，因此需求旺盛。SiC 的固有特性使其比硅更堅(jiān)硬，但也存在自然缺陷，可能導(dǎo)致電性能、電源效率、可靠性和...
2021-09-09 標(biāo)簽：應(yīng)用材料公司 2426
村田制作所：對(duì)MLCC供貨產(chǎn)生的影響有限
村田表示，盡管武生事務(wù)所的停工一定程度上會(huì)降低MLCC的生產(chǎn)量，對(duì)業(yè)績(jī)的影響仍在核算中。但是對(duì)客戶(hù)的供貨承諾和時(shí)間周期的影響會(huì)降到最低。...
什么是POE？用于供電設(shè)備（PSE）的PoE方案DH2184 Demo板分析
一、什么是POE？ POE（Power Over Ethernet）指的是在現(xiàn)有的以太網(wǎng)Cat.5布線(xiàn)基礎(chǔ)架構(gòu)不作任何改動(dòng)的情況下，在為一些基于IP的終端（如IP電話(huà)機(jī)、無(wú)線(xiàn)局域網(wǎng)接入點(diǎn)AP、網(wǎng)絡(luò)攝像機(jī)等）傳輸數(shù)據(jù)信號(hào)...
2021-08-24 標(biāo)簽：PoE5G智慧城市智能電線(xiàn)桿5GPoEPSE智慧城市智能電線(xiàn)桿 15124
恒壓恒流輸出的電源適配器樣機(jī)測(cè)試 思睿達(dá)TT5565SG+TT3006方案
01、樣機(jī)介紹 該 測(cè)試 報(bào)告是基于一個(gè)能適用于寬輸入電壓范圍，輸出功率12W，恒壓恒流輸出的電源 適配器 樣機(jī)，控制IC采用了思睿達(dá)的TT5565SG 和TT3006。 ? TT5565SG+TT3006_5V2.4A 工程樣機(jī)示意圖 ?...
2021-08-24 標(biāo)簽：MOSFET開(kāi)關(guān)電源電源管理PWM適配器 10013
比亞迪半導(dǎo)體被中止上市審核
突發(fā)！比亞迪半導(dǎo)體被中止上市審核？比亞迪半導(dǎo)體被中止上市審核是什么原因了？我們一起倆看看具體的消息，據(jù)說(shuō)深交所中止比亞迪半導(dǎo)體股份有限公司上市審核是因?yàn)榘l(fā)行人律師事務(wù)所被...
IGBT模塊及散熱系統(tǒng)的等效熱模型
本文對(duì)IGBT模塊的等效熱路模型展開(kāi)基礎(chǔ)介紹，所述方法及思路也可用于其他功率器件的熱設(shè)計(jì)。...
2021-08-20 標(biāo)簽：散熱器IGBT散熱系統(tǒng) 8434
高性?xún)r(jià)比、高穩(wěn)定性家電領(lǐng)域電源芯片哪里尋？思睿達(dá)TT3215A 輸出5V0.3A參考設(shè)計(jì)
TT3215A是一款低成本高精度待機(jī)電源芯片。內(nèi)置功率管，極小的LEB時(shí)間可以實(shí)現(xiàn)AC264V輸入，5V輸出的應(yīng)用需求。IC具有自供電能力無(wú)需啟動(dòng) 電阻 ，同時(shí)IC具有多重保護(hù)功能。本設(shè)計(jì)為AC230V輸入，使...
碳化硅邁入新時(shí)代，ST 25年研發(fā)突破技術(shù)挑戰(zhàn)
SiC的發(fā)展歷史不僅引人入勝，而且情節(jié)緊張激烈，因?yàn)榻葑阆鹊遣拍苋〉孟葯C(jī)。SiC特性在20世紀(jì)初就已經(jīng)確立，第一個(gè)SiC發(fā)光二極管追溯到1907年。...
2021-08-17 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車(chē)ST碳化硅半導(dǎo)體晶圓 1511
Maxim發(fā)布3相MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器，可最大程度地延長(zhǎng)電池壽命并將元件數(shù)量減半
全集成的TMC6140-LA有效簡(jiǎn)化高性能無(wú)刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)設(shè)計(jì)，效率提升30%。...
2021-08-17 標(biāo)簽：MOSFETMaxim電池壽命柵極驅(qū)動(dòng)器trinamic 1456
油罐車(chē)尾的鐵鏈消失不見(jiàn)，如何量化材料的電阻率？
體積電阻率測(cè)量一般采用下圖1所示的測(cè)試夾具完成，將電壓源V-Source施加到上電極，測(cè)試流經(jīng)測(cè)試樣品的小電流I，隨后體積電阻率ρv用公式ρv=kvτR計(jì)算得出。...
意法半導(dǎo)體推出新的射頻LDMOS功率晶體管
在高頻（3-30MHz）到250MHz頻率范圍內(nèi)，性能強(qiáng)大的IDEV系列能夠提供高達(dá)2.2kW的連續(xù)波（CW）輸出功率，而且只采用一個(gè)陶瓷封裝，因此減少了廣播發(fā)射機(jī)等大功率應(yīng)用所需的射頻功率晶體管的總數(shù)...
2021-08-13 標(biāo)簽：射頻意法半導(dǎo)體功率晶體管 3612
智能功率模塊IPM的結(jié)溫評(píng)估
IPM模塊是電機(jī)驅(qū)動(dòng)變頻器的最重要的功率器件， 近些年隨著IPM模塊的小型化使模塊Rth（j-c）變大，從而對(duì)溫升帶來(lái)了越來(lái)越多的挑戰(zhàn)。...
開(kāi)關(guān)電源LC濾波器設(shè)計(jì)
開(kāi)關(guān)電源LC濾波器的主要功能是濾除紋波，滿(mǎn)足EMI的需求?？词呛?jiǎn)單，就電感和電容，設(shè)計(jì)實(shí)際中有很多要考慮的因素，電感電容的特性，還有布板和其他元件的分布參數(shù)。還要考慮濾波器的輸...
2021-08-09 標(biāo)簽：開(kāi)關(guān)電源濾波器LC濾波器 22610
英飛凌推出全新650V CoolSiC? Hybrid IGBT分立器件系列，提供優(yōu)異效率
新款 CoolSiC Hybrid產(chǎn)品系列結(jié)合了650 V TRENCHSTOP? 5 IGBT技術(shù)和碳化硅肖特基二極管的主要優(yōu)點(diǎn)，具備出色的開(kāi)關(guān)速度和更低的開(kāi)關(guān)損耗，特別適用于 DC-DC 功率變換器和PFC電路。...
英飛凌推出采用高性能AIN陶瓷的新EasyDUAL? CoolSiC? MOSFET功率模塊，助力提升功
英飛凌科技股份公司將EasyDUAL? CoolSiC? MOSFET模塊升級(jí)為新型氮化鋁（AIN） 陶瓷。...
適用于熱插拔的Nexperia新款特定應(yīng)用MOSFET (ASFET)將SOA增加了166%，并將PCB占用空間
新推出的80 V和100 V器件最大限度降低額定值，并改善均流，從而提供最佳性能、高可靠性并降低系統(tǒng)成本。...
高集成度、完整保護(hù)功能的PWM控制器難找？看看CR6863B方案
CR6863B是一款高集成度、低待機(jī)功耗的CCM+PFM 混合電流模式PWM控制器。CR6863B 輕載時(shí)會(huì)降低頻率，最低頻率22kHz 可避免音頻噪聲。CR6863B 提供了完整的保護(hù)功能，如cycle-by-cycle 電流限制、OCP、OTP、...
2021-07-30 標(biāo)簽：開(kāi)關(guān)電源電源管理PWMPWM控制器 10528
ROHM開(kāi)發(fā)出LiDAR用75W高輸出功率激光二極管“RLD90QZW3”
通過(guò)業(yè)界超窄線(xiàn)寬實(shí)現(xiàn)高密度發(fā)光，有助于LiDAR應(yīng)用產(chǎn)品支持長(zhǎng)距離并實(shí)現(xiàn)更高精度~...
Microchip推出業(yè)界耐固性最強(qiáng)的碳化硅功率解決方案取代硅IGBT，現(xiàn)已提供1700V版本
1700V MOSFET裸片、分立器件和功率模塊器件等碳化硅產(chǎn)品陣容擴(kuò)大了設(shè)計(jì)人員對(duì)效率和功率密度的選擇范圍...
2021-07-28 標(biāo)簽：開(kāi)關(guān)電源microchipIGBT碳化硅 1994
一文看懂氮化鎵：納微最全介紹，帶你極速認(rèn)識(shí)第三代半導(dǎo)體
禁帶寬度決定了一種材料所能承受的電場(chǎng)。氮化鎵比傳統(tǒng)硅材料更大的禁帶寬度，使它具有非常細(xì)窄的耗盡區(qū)，從而可以開(kāi)發(fā)出載流子濃度非常高的器件結(jié)構(gòu)。...
2021-07-20 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵納微半導(dǎo)體 23950
新品|國(guó)內(nèi)首款兼容光耦帶DESAT保護(hù)功能的IGBT/SiC隔離驅(qū)動(dòng)器SLMi33x
數(shù)明半導(dǎo)體近日正式發(fā)布國(guó)內(nèi)首款單通道帶DESAT保護(hù)功能的IGBT/SiC隔離驅(qū)動(dòng)器SLMi33x。...
2021-07-19 標(biāo)簽：IGBT光耦隔離驅(qū)動(dòng)隔離驅(qū)動(dòng)器DESATIGBT光耦隔離驅(qū)動(dòng)隔離驅(qū)動(dòng)器 5609
納微半導(dǎo)體中文官網(wǎng)正式上線(xiàn)！
氮化鎵的應(yīng)用研究已經(jīng)超過(guò) 10 年，目前在各種不同的行業(yè)和領(lǐng)域中，都積極開(kāi)展各種市場(chǎng)驗(yàn)證，或者已經(jīng)有非常成熟的解決方案。...
2021-07-15 標(biāo)簽：功率半導(dǎo)體納微半導(dǎo)體 3605
確保SiC驗(yàn)證測(cè)試準(zhǔn)確度，有效測(cè)量碳化硅功率電子系統(tǒng)中的信號(hào)
在功率電子系統(tǒng)中，差分探頭和參考地電平探頭是兩種常用的電壓測(cè)量方法。差分探頭是一種流行的選擇，因?yàn)樗梢院翢o(wú)問(wèn)題地添加到電路的任意節(jié)點(diǎn)中。...
2021-07-13 標(biāo)簽：電子系統(tǒng)SiC碳化硅 2690
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