功率器件
電子發(fā)燒友網(wǎng)功率器件欄目提供電源設(shè)計(jì)中所需的功率器件最新應(yīng)用技術(shù)和方法以及電源設(shè)計(jì)相關(guān)內(nèi)容，是電源工程師喜歡的網(wǎng)站。
下一代高壓SiC MOSFET的可靠性和穩(wěn)健性測(cè)試
在當(dāng)今這一代，電力電子設(shè)備幾乎在從交流適配器到傳輸系統(tǒng)的各個(gè)領(lǐng)域都有應(yīng)用。這些器件包含硅 (Si) 作為低壓和高壓器件的主要元素。然而，隨著半導(dǎo)體行業(yè)的最新進(jìn)展，碳化硅 (SiC) 已被...
GaN-on-Si功率技術(shù):器件和應(yīng)用
在過(guò)去幾年中，氮化鎵 (GaN) 在用于各種高功率應(yīng)用的半導(dǎo)體技術(shù)中顯示出巨大的潛力。與硅基半導(dǎo)體器件相比，氮化鎵是一種物理上堅(jiān)硬且穩(wěn)定的寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體，具有更快的開關(guān)速度、更...
2022-07-29 標(biāo)簽：升壓轉(zhuǎn)換器氮化鎵GaN 2090
降低 SiC 電阻之路
本文基于PGC 咨詢公司進(jìn)行的分析，研究了當(dāng)今的 650-V 和 1，200-V SiC MOSFET，揭示了這些問(wèn)題，包括柵極氧化物可靠性的優(yōu)化，這有助于降低比導(dǎo)通電阻，降低碳化硅成本。...
高壓功率器件封裝設(shè)計(jì)說(shuō)明
可再生能源應(yīng)用以及各種能效技術(shù)需要可靠、緊湊和熱效率高的電源設(shè)備。為了推動(dòng)風(fēng)力渦輪機(jī)、智能電網(wǎng)、太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)、太陽(yáng)能光伏和電動(dòng)汽車的創(chuàng)新，1需要具有高功率密度、高開關(guān)頻...
GaN和SiC功率器件的最佳用例
碳化硅 (SiC) MOSFET 和氮化鎵 (GaN) HEMT 等寬帶隙 (WBG) 功率器件的采??用目前正在廣泛的細(xì)分市場(chǎng)中全面推進(jìn)。在許多情況下，WBG 功率器件正在取代它們的硅對(duì)應(yīng)物，并在現(xiàn)有系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)更高的...
用于電機(jī)控制的GaN技術(shù)
基于氮化鎵 (GaN) 的高電子遷移率晶體管 (HEMT) 器件具有出色的電氣特性，是高壓和高開關(guān)頻率電機(jī)控制應(yīng)用中 MOSFET 和 IGBT 的有效替代品。我們?cè)谶@里的討論集中在 GaN HEMT 晶體管在高功率密度電...
垂直GaN 器件：電力電子的下一個(gè)層次
NexGen Power Systems Inc. 正在使用GaN 襯底上的同質(zhì)外延 GaN 制造垂直功率器件（垂直氮化鎵或垂直 GaN）。垂直 GaN 器件能夠以更高的頻率進(jìn)行開關(guān)并在更高的電壓下工作，這將催生新一代更高效的功...
碳化硅在電動(dòng)汽車的應(yīng)用方案
碳化硅 (SiC) 是一項(xiàng)創(chuàng)新技術(shù)，將在許多應(yīng)用中取代硅 (Si)。將 SiC 用于電動(dòng)汽車 (EV) 的想法誕生于努力提高此類車輛的效率和續(xù)航里程，同時(shí)降低整車的重量和成本，從而提高控制電子設(shè)備的功...
2022-07-27 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車英飛凌碳化硅 3182
GaN在手機(jī)上有什么用
我們知道，GaN在充電器等應(yīng)用上，主要是通過(guò)GaN材料的特性，使得使用GaN材料的功率開關(guān)器件在開關(guān)頻率、開關(guān)損耗、導(dǎo)通損耗等相比硅MOSFET有明顯優(yōu)勢(shì)，在電路設(shè)計(jì)中可以大幅縮小變壓器尺寸...
2022-07-25 標(biāo)簽：充電器功率器件GaN開關(guān)器件 1899
SiC MOSFET的廠商現(xiàn)狀以及產(chǎn)品差別
隨著新能源市場(chǎng)的爆發(fā)，電動(dòng)汽車、光伏、儲(chǔ)能等下游應(yīng)用驅(qū)動(dòng)下，碳化硅功率器件迎來(lái)了新一輪增長(zhǎng)期。特別是電動(dòng)汽車上SiC MOSFET的大規(guī)模應(yīng)用后，在近幾年可以看到，國(guó)內(nèi)外各大廠商都密...
2022-07-25 標(biāo)簽：功率器件SiC MOSFET 1903
電子元器件的故障特點(diǎn)
電器設(shè)備內(nèi)部的電子元器件雖然數(shù)量很多，但其故障卻是有規(guī)律可循的。...
關(guān)于一個(gè)電感可以通過(guò)多少電流的問(wèn)題解答
給大家介紹了很多關(guān)于電感的知識(shí)，那么大家還記得選擇電感時(shí)要注意哪些信息嗎？電感選擇要關(guān)注的信息點(diǎn)：封裝尺寸、阻抗、感值、電流等。在本文中，我們簡(jiǎn)單討論一個(gè)電感電流問(wèn)題——...
電感選型以及關(guān)鍵參數(shù)
額定電流即設(shè)計(jì)上最大的可用電流，有兩種：Isat和Irms，這是很容易誤導(dǎo)工程師的兩個(gè)參數(shù)，在項(xiàng)目選型時(shí)不知道用哪個(gè)參數(shù)去管控。...
茂矽六寸IGBT晶圓開啟智能新能源汽車新時(shí)代
我國(guó)是世界最大的功率半導(dǎo)體消費(fèi)市場(chǎng)；隨著電動(dòng)車市場(chǎng)崛起；電動(dòng)汽車已成為汽車產(chǎn)業(yè)未來(lái)的主要成長(zhǎng)動(dòng)能；新能源汽車需求帶動(dòng)MOSFET及IGBT持續(xù)增長(zhǎng)；作為其核心部件的IGBT產(chǎn)品具有廣闊的市...
Nexperia發(fā)布超小尺寸DFN MOSFET
Nexperia發(fā)布超小尺寸DFN MOSFET ? DFN0603封裝提高性能并顯著減少空間需求 奈梅亨，2022年7月6日：基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天宣布推出采用超小DFN封裝的新系列20 V和30 V MOSFET...
你的電源適配器CR5259方案是這樣的 優(yōu)異性能、避免環(huán)路不穩(wěn)定
在上一篇文章中，我們介紹了基于思睿達(dá)主推的CR6347_5V1.5A充電器解決方案。接下來(lái)，我們給大家?guī)?lái)的是思睿達(dá)24W電源適配器方案，它的控制IC采用了思睿達(dá)主推的CR5259。該方案平均效率87.0%，...
豪威集團(tuán)發(fā)布業(yè)內(nèi)最低內(nèi)阻雙N溝道MOSFET
電源管理系統(tǒng)要實(shí)現(xiàn)高能源轉(zhuǎn)換效率、完善可靠的故障保護(hù)，離不開高性能的開關(guān)器件。近日，豪威集團(tuán)全新推出兩款MOSFET：業(yè)內(nèi)最低內(nèi)阻雙N溝道MOSFET WNMD2196A和SGT 80V N溝道MOSFET WNM6008。 ? WNM...
安森美的VE-TracTM SiC系列為電動(dòng)車主驅(qū)逆變提供高能效、高功率密度和成本優(yōu)勢(shì)
雙碳目標(biāo)正加速推進(jìn)汽車向電動(dòng)化發(fā)展，半導(dǎo)體技術(shù)的創(chuàng)新助力汽車從燃油車過(guò)渡到電動(dòng)車，新一代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)因獨(dú)特優(yōu)勢(shì)將改變電動(dòng)車的未來(lái)，如在關(guān)鍵的主驅(qū)逆變器中采用SiC可滿...
Transphorm推出參考設(shè)計(jì)組合，加快USB-C PD氮化鎵電源適配器的開發(fā)
公司內(nèi)部以及合作開發(fā)的七款設(shè)計(jì)工具可以為45W至140W的 適配器帶來(lái)高性能650V氮化鎵FET的優(yōu)勢(shì) ? 加州戈利塔--(新聞稿)-- (美國(guó)商業(yè)資訊)--高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先驅(qū)和全球...
2022-06-27 標(biāo)簽：電源適配器PD氮化鎵電源USB-CTransphorm 1226
納芯微驅(qū)動(dòng)芯片NSD1624，有效解決高壓、高頻系統(tǒng)中SW pin負(fù)壓和高dv/dt
2022年6月22日－NSD1624 是納芯微最新推出的非隔離高壓半橋驅(qū)動(dòng)芯片，驅(qū)動(dòng)電流高達(dá)+4/-6A，可用于驅(qū)動(dòng)MOSFET/IGBT等各種功率器件。 可廣泛應(yīng)用于 ?●光伏、儲(chǔ)能等新能源領(lǐng)域 ?●空調(diào)壓縮機(jī)、工業(yè)...
2022-06-27 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)芯片半橋驅(qū)動(dòng)芯片納芯微 3250
安森美豐富的SiC方案解決新一代UPS的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)
隨著云計(jì)算、超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心、5G應(yīng)用和大型設(shè)備的不斷發(fā)展，市場(chǎng)對(duì)不間斷電源 (UPS)的需求保持高位，且正在往小型化、高容量化、高效化發(fā)展，設(shè)計(jì)人員面臨如何在性能、能效、尺寸、成...
EPC開拓"GaN Talk支持論壇"平臺(tái)， 旨在協(xié)助工程師加速研發(fā)基于高性
宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）新推線上論壇，為工程師提供產(chǎn)品信息、答疑解難和分享採(cǎi)用氮化鎵技術(shù)的應(yīng)用現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢(shì)。 宜普電源轉(zhuǎn)換公司宣布新推"GaN Talk支持論壇"，為工程師提供產(chǎn)品信息...
GaN在射頻（RF）前端中的應(yīng)用分析
對(duì)于工程師來(lái)說(shuō)，設(shè)計(jì) GaN PA 的第一步就是獲得半導(dǎo)體制造商的產(chǎn)品數(shù)據(jù)手冊(cè) ；第二部就是查看 S 參數(shù)。PA 設(shè)計(jì)工程師還可以利用測(cè)得的負(fù)載牽引數(shù)據(jù)確定最佳負(fù)載阻抗目標(biāo)值，以便在指定頻率...
SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓測(cè)試結(jié)果離譜的六大原因
開關(guān)特性是功率半導(dǎo)體開關(guān)器件最重要的特性之一，由器件在開關(guān)過(guò)程中的驅(qū)動(dòng)電壓、端電壓、端電流表示。一般在進(jìn)行器件評(píng)估時(shí)可以采用雙脈沖測(cè)試，而在電路設(shè)計(jì)時(shí)直接測(cè)量在運(yùn)行中的變...
2022-06-02 標(biāo)簽：變換器功率半導(dǎo)體驅(qū)動(dòng)電壓 4324
EPC新推最小型化的40 V、1.1 m? 場(chǎng)效應(yīng)晶體管， 可實(shí)現(xiàn)最高功率密度
宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）新推40 V、1.1 mΩ的氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（EPC2066），為設(shè)計(jì)工程師提供比硅MOSFET更小、更高效的器件，用于高性能、占板面積受限的應(yīng)用。 全球行業(yè)領(lǐng)先供應(yīng)商宜普電源...
IGBT國(guó)產(chǎn)化率加速攀升 IGBT國(guó)產(chǎn)化率有望達(dá)38%
? ? ? （報(bào)告出品方/作者：國(guó)金證券，樊志遠(yuǎn)、劉妍雪、鄧小路）...
2022-05-27 標(biāo)簽：IGBTIGBT驅(qū)動(dòng)IGBT模塊 9027
鎵未來(lái)完成A+輪近億融資，加速突破中大功率應(yīng)用場(chǎng)景
近日，珠海鎵未來(lái)科技有限公司披露其已完成近億元A+輪融資，由順為資本、高瓴創(chuàng)投、盈富泰克聯(lián)合投資，深啟投資擔(dān)任獨(dú)家財(cái)務(wù)顧問(wèn)。至今，這家專注于高端第三代半導(dǎo)體氮化鎵功率器件研...
極豪科技光學(xué)指紋方案助力OPPO Reno 8 Pro+實(shí)現(xiàn)"極"速流暢解鎖
創(chuàng)"芯"體驗(yàn) 上海2022年5月24日?/美通社/ --?"AI×Sensor"人工智能傳感器供應(yīng)商極豪科技今日宣布，搭載其屏下光學(xué)指紋識(shí)別芯片JV0301的OPPO Reno 8 Pro+全新手機(jī)攜多項(xiàng)黑科技發(fā)布，以創(chuàng)"芯"科技，實(shí)現(xiàn)...
2022-05-26 標(biāo)簽：電子系統(tǒng)意法半導(dǎo)體功率MOSFET 3931
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