功率器件
電子發(fā)燒友網(wǎng)功率器件欄目提供電源設(shè)計中所需的功率器件最新應(yīng)用技術(shù)和方法以及電源設(shè)計相關(guān)內(nèi)容，是電源工程師喜歡的網(wǎng)站。
耐用性更高的新型溝槽型功率MOSFET
在線性模式供電的電子系統(tǒng)中，功率 MOSFET器件被廣泛用作壓控電阻器，電磁干擾 (EMI) 和系統(tǒng)總體成本是功率MOSFET的優(yōu)勢所在。 ? 在線性模式工作時，MOSFET必須在惡劣工作條件下工作，承受很高...
2022-05-24 標(biāo)簽：電阻器意法半導(dǎo)體功率 6306
Nexperia和KYOCERA AVX Components Salzburg 就車規(guī)氮化鎵功率模塊達成合作
基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今日宣布與國際著名的為汽車行業(yè)提供先進電子器件的供應(yīng)商KYOCERA AVX Components (Salzburg) GmbH建立合作關(guān)系，攜手研發(fā)車規(guī)氮化鎵(GaN)功率模塊。雙方長...
2022-05-23 標(biāo)簽：氮化鎵半導(dǎo)體器件NexperiaAVXNexperia半導(dǎo)體器件氮化鎵 4172
擴產(chǎn)之下，中國功率半導(dǎo)體要過剩了？
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃山明）功率半導(dǎo)體作為電能轉(zhuǎn)換、電路控制的核心部件，被廣泛用于汽車、消費電子、計算機、網(wǎng)絡(luò)通信、工控等場景，其中汽車的需求占比最高，將近40%。但中國功...
2022-05-20 標(biāo)簽：中國功率半導(dǎo)體電能轉(zhuǎn)換 5699
25 kW SiC直流快充設(shè)計指南：DC-DC級的設(shè)計考慮因素和仿真
作者：安森美(onsemi)Karol Rendek, Stefan Kosterec ? 在“開發(fā)基于碳化硅的25 kW快速直流充電樁” [1-3] ?系列的這篇新文章中，我們聚焦DC-DC雙有源相移全橋(DAB-PS)零電壓開關(guān)(ZVS)轉(zhuǎn)換器，其簡介和部分...
PI推出汽車級IGBT/SiC模塊驅(qū)動器產(chǎn)品系列SCALE EV
Power Integrations今日宣布推出適用于Infineon EconoDUALTM模塊的SCALETM?EV系列門極驅(qū)動板。新款驅(qū)動器同樣適用于原裝、仿制以及其它新的采用SiC的衍生模塊，其應(yīng)用范圍包括電動汽車、混合動力和燃...
納微NV613x和NV615x系列額定電壓已升級到700V，實現(xiàn)更高效率和可靠性
圖片 ? 采用 GaNSense? 技術(shù)的700V額定電壓GaNFast?智能氮化鎵功率芯片可實現(xiàn)更高的效率和可靠性 ? 圖片 ? 氮化鎵 (GaN) 功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體（納斯達克股票代碼：NVTS）近日宣布，其...
2022-05-05 標(biāo)簽：氮化鎵GaN功率芯片納微半導(dǎo)體 3070
詳解提升MOS管驅(qū)動電路抗干擾性能的方法
詳解MOS管驅(qū)動電路抗干擾能力的方法以及計算方式...
意法半導(dǎo)體發(fā)布50W GaN功率變換器，面向高能效消費及工業(yè)級電源設(shè)計
2022 年 4 月 7 日，中國——意法半導(dǎo)體 VIPerGaN50能夠簡化最高50 W的單開關(guān)反激式功率變換器設(shè)計，并集成一個 650V 氮化鎵 (GaN) 功率晶體管，使電源的能效和小型化達到更高水平。 ? VIPerGaN50 采用...
2022-04-07 標(biāo)簽：電源設(shè)計變換器意法半導(dǎo)體GaN 8147
東芝推新一代工藝的150V N溝道功率MOSFET 可大幅提高電源效率
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出150V N溝道功率MOSFET---“TPH9R00CQH”。該器件采用最新一代[1]“U-MOSX-H”工藝，適用于工業(yè)設(shè)備開關(guān)電源，其中包括數(shù)據(jù)中心電源和通...
2022-04-01 標(biāo)簽：MOSFET東芝東芝半導(dǎo)體 3990
艾默生開發(fā)海上環(huán)保制氫技術(shù) 貿(mào)澤提供NXP全系列產(chǎn)品
專注于引入新品并提供海量庫存?的電子元器件分銷商貿(mào)澤電子 （Mouser Electronics） 作為NXP? Semiconductors解決方案的全球授權(quán)分銷商。NXP是全球知名的嵌入式應(yīng)用安全連接解決方案供應(yīng)商，貿(mào)澤...
Digi-Key推控制技術(shù)視頻系列 Microchip推TSN交換設(shè)備
Microchip 的以太網(wǎng)交換機 API （MESA） 和 PHY API （MEPA） 為設(shè)計人員提供了開發(fā)獨立于操作系統(tǒng)的全面、用戶友好的函數(shù)庫的自由和靈活性。LAN9668 和 LAN8814 可擴展 TSN 芯片組由 Microchip 的軟件框架...
Microchip推3.3 kV碳化硅（SiC）功率器件 微笑醫(yī)生獲得THL戰(zhàn)略投資
美國最大、發(fā)展最快的正畸牙科支持組織（“OSO”）微笑醫(yī)生，擁有超過 295 個地點，宣布來自 Thomas H. Lee Partners 的戰(zhàn)略投資， LP （“THL”），一家投資于成長型公司的一流私募股權(quán)公司。...
Vicor在2022底特律國際汽車設(shè)計工程展（WCX）上為xEV呈現(xiàn)最高功率密度的汽車解決
Vicor 的展示針對三大電氣化主題提供了創(chuàng)新的模塊化解決方案，不僅可簡化電源系統(tǒng)設(shè)計，而且還可提高可擴展性和靈活性。...
Nexperia發(fā)布增強型電熱模型 羅姆開發(fā)8英寸新一代SiC MOSFET
基本半導(dǎo)體專家Nexperia今天宣布為其 MOSFET 器件發(fā)布新的增強型電熱模型。半導(dǎo)體制造商通常會為其 MOSFET 提供仿真模型，但這些模型通常只包含在典型工作溫度下建模的有限數(shù)量的器件參數(shù)。...
2022-03-28 標(biāo)簽：模型羅姆NexperiaSiC MOSFET 5035
研華DeviceOn/BI通過工業(yè)案例審核 羅姆SiC MOSFET發(fā)揮性能優(yōu)勢
近日，上汽大眾與臻驅(qū)科技聯(lián)合開發(fā)的首款基于SiC技術(shù)的 “三合一”電橋完成試制。...
2022-03-28 標(biāo)簽：研華羅姆SiC MOSFET 3738
用于電池供電應(yīng)用的熱感知高功率逆變器板
如今，電池供電的電機驅(qū)動解決方案通?？梢允褂梅浅５偷墓ぷ麟妷禾峁?shù)百瓦的功率。在這類應(yīng)用中，若要確保整體系統(tǒng)的能效和可靠性，就必定要正確管理流經(jīng)電子設(shè)備驅(qū)動電機的電流。事...
英飛凌IPOSIM平臺推出功率器件使用壽命評估服務(wù)，以簡化半導(dǎo)體器件選型
英飛凌科技股份公司的功率器件在線仿真平臺IPOSIM被廣泛應(yīng)用于計算功率模塊、分立器件和平板器件的損耗及熱性能。...
2022-03-22 標(biāo)簽：英飛凌功率器件半導(dǎo)體器件 1103
電源管理芯片的8英寸晶圓產(chǎn)能緊缺，為何還不能遷移到12英寸？
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/莫婷婷）由于全球多家晶圓廠在2021年正式擴產(chǎn)，未來幾年半導(dǎo)體元器件的產(chǎn)能將逐步提升。根據(jù)SEMI發(fā)布的數(shù)據(jù)，2022年全球半導(dǎo)體設(shè)備市場規(guī)模有望達到 1013 億美元，全...
Microchip推出業(yè)界領(lǐng)先的3.3kV碳化硅（SiC）功率器件，實現(xiàn)更高的效率與可靠性
3.3 kV碳化硅MOSFET和肖特基勢壘二極管（SBD）擴大了設(shè)計人員對交通、能源和工業(yè)系統(tǒng)中的高壓電力電子產(chǎn)品的選擇范圍。...
5V1.2A 無Y電容電源適配器設(shè)計 CR5243實現(xiàn)高性能低成本
上一篇文章，我們給大家整理了 “變壓器的計算公式” 。本文，我們將給大家介紹下 “基于思睿達主推的CR5243_5V1.2A 無Y電容?電源適配器設(shè)計參考” ，讓我們對CR5243有個大概的了解吧！ 關(guān)于...
國內(nèi)率先實現(xiàn)12寸晶圓中低壓MOSFET，月產(chǎn)能可達100KK~150KK
新能源汽車和5G需要搭載大量電源管理IC，其中新能源汽車需要負荷瞬間大電流，因此需要更多的中高壓MOSFET。...
綠色出行：英飛凌CoolSiC?功率模塊可將有軌電車的能耗降低10%
英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）即將推出采用XHP? 2封裝的CoolSiC? MOSFET和.XT技術(shù)的功率半導(dǎo)體，這款專門定制的解決方案旨在滿足軌道交通市場的需求。...
詳解BUCK/BOOST電路工作原理基本關(guān)系式
本文所述公式皆基于CCM模式下進行，所有元件處于理想的運行狀態(tài)。BUCK/BOOST電路原理在此不再贅述，如有需要，請前往：開關(guān)電源三大基礎(chǔ)拓撲解析：BUCK/BOOST/BUCK-BOOST。...
2022-03-21 標(biāo)簽：電源開關(guān)電源電壓boost電路buck電路 63495
從硅過渡到碳化硅，MOSFET的結(jié)構(gòu)及性能優(yōu)劣勢對比
派恩杰半導(dǎo)體認為，Cascode結(jié)構(gòu)只是從Si產(chǎn)品轉(zhuǎn)向SiC產(chǎn)品的一個過渡產(chǎn)品，因為Cascode結(jié)構(gòu)完全無法發(fā)揮出SiC器件的獨特優(yōu)勢。...
RC-IGBT 技術(shù)帶來更多動力
多年來，市場對功率半導(dǎo)體的需求一直在增加，需要功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的小型化、成本的降低和性能的提高。這種性能增益是通過增加給定封裝尺寸的輸出功率來實現(xiàn)的，這與系統(tǒng)內(nèi)的高溫密切相關(guān)...
2022-02-22 標(biāo)簽：電機IGBT功率半導(dǎo)體富士電機 4654
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