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電子發(fā)燒友網(wǎng)>電源/新能源>功率器件>

ROHM開發(fā)出內置SiC二極管的IGBT(Hybrid IGBT)“RGWxx65C系列”

ROHM開發(fā)出內置SiC二極管的IGBT(Hybrid IGBT)“RGWxx65C系列”

ROHM致力于為廣泛的應用提供有效的電源解決方案,不僅專注于行業(yè)先進的SiC功率元器件,還積極推動Si功率元器件和驅動IC的技術及產(chǎn)品開發(fā)。...

2021-07-08 標簽:IGBTRohmSiC二極管 2060

科銳GaN-on-SiC功率放大器結合MaxLinear線性化技術,高效賦能新型超寬帶5G

GaN-on-SiC 和高度有效線性化技術的采用,可以實現(xiàn)更高效率的無線傳輸,帶來顯著的功率、散熱和成本等方面節(jié)約,從而加快 5G 的部署。...

2021-07-05 標簽:功率放大器無線技術無線傳輸科銳5G 1981

英飛凌推出高性能CIPOS?Maxi智能功率模塊(IPMs) IM818-LCC

該IPM封裝為DIP 36x23D。這使得它成為最小的1200V IPM封裝,在同類產(chǎn)品中具有最高的功率密度和最佳性能。...

2021-06-30 標簽:英飛凌功率模塊HVACHVAC功率模塊工業(yè)驅動器英飛凌 2495

Nexperia全球最小且最薄的14、16、20和24引腳標準邏輯DHXQFN封裝

Nexperia全球最小且最薄的14、16、20和24引腳標準邏輯DHXQFN封裝

封裝尺寸僅為2 mm x 2 mm(14 引腳)、2 mm x 2.4 mm(16引腳)、2 mm x 3.2 mm(20引腳)和2 mm x 4 mm(24引腳),0.4 mm間距的DHXQFN封裝只有0.45 mm高。...

2021-06-30 標簽:pcb收發(fā)器電源轉換Nexperia 1924

過壓保護:TDK推出具有超低電容和鉗位電壓的超小型TVS二極管

過壓保護:TDK推出具有超低電容和鉗位電壓的超小型TVS二極管

新型保護元件的設計滿足IEC 61000-4-2標準,其ESD接觸放電電壓可達15 kV,大幅領先于標準要求。...

2021-06-28 標簽:過壓保護晶圓TDKTVS二極管鉗位電壓 1623

Vishay新型SMD HI-TMP?液鉭電容器可節(jié)省基板空間并提高可靠性

Vishay新型SMD HI-TMP?液鉭電容器可節(jié)省基板空間并提高可靠性

器件工作溫度達+200 °C,具有更高的耐抗熱沖擊能力,使用壽命長達2,000小時,適于石油勘探、國防和航空航天應用。...

2021-06-28 標簽:VishaySMD鉭電容器 1038

三星首款基于MOSFET冰箱變頻器設計采用英飛凌600V CoolMOS? PFD7

變頻是當代變頻器設計中,采用直流轉交流的新興轉換趨勢。與傳統(tǒng)的開/關控制相比,變頻能讓產(chǎn)品應用更安靜平穩(wěn)地運轉,同時也能減少平均耗電量。...

2021-06-25 標簽:英飛凌MOSFET三星電子變頻器 1514

功率半導體過熱的必須品

功率半導體過熱的必須品

貼片零件,具有小封裝 6.8x8.8mm,大分斷能力 400A,高電流處理能力 130A/60VDC。...

2021-06-24 標簽:功率半導體SCHURTER 1132

Nexperia新8英寸晶圓生產(chǎn)線啟動,首批產(chǎn)品具有行業(yè)內極低的Qrr品質因數(shù)(RDS(

Nexperia今日宣布,位于英國曼徹斯特的新8英寸晶圓生產(chǎn)線啟動,首批產(chǎn)品使用最新的NextPower芯片技術的低RDS(on)和低Qrr ,80 V和100 V MOSFET。...

2021-06-24 標簽:MOSFET電機控制晶圓Nexperia 1210

Microchip推出新型GMICP2731-10 GaN MMIC功率放大器

GMICP2731-10器件有助于保持信號保真度,讓地面站在不影響信號質量的情況下進行高射頻電平的傳輸。...

2021-06-22 標簽:microchip衛(wèi)星通信氮化鎵5G網(wǎng)絡5G網(wǎng)絡microchip衛(wèi)星通信微波集成電路氮化鎵 1228

ROHM推出內置1700V SiC MOSFET的小型表貼封裝AC/DC轉換器IC“BM2SC12xFP2-LBZ”

ROHM推出內置1700V SiC MOSFET的小型表貼封裝AC/DC轉換器IC“BM2SC12xFP2-LBZ”

ROHM針對這些挑戰(zhàn),于2019年開始開發(fā)內置高耐壓、低損耗SiC MOSFET的插裝型AC/DC轉換器IC,并一直致力于開發(fā)出能夠更大程度地發(fā)揮SiC功率半導體性能的IC,在行業(yè)中處于先進地位。...

2021-06-20 標簽:MOSFETSiCRohm 1454

英飛凌EiceDRIVER? X3 Enhanced和X3 Compact柵極驅動器系列推出增強型隔離產(chǎn)品

應用廣泛的EiceDRIVER X3 Compact系列擁有5.5、10和14 A的驅動電流等規(guī)格,及90 ns的優(yōu)化傳輸時延。...

2021-06-10 標簽:英飛凌MOSFETSiC柵極驅動器 923

安森美半導體在APEC 2021發(fā)布新的用于電動車充電的完整碳化硅MOSFET模塊方案

新的1200 V M1完整 SiC MOSFET 2 pack模塊,基于平面技術,適合18 V到20 V范圍內的驅動電壓,易于用負門極電壓驅動。...

2021-06-08 標簽:MOSFET安森美半導體電動車充電碳化硅SiC MOSFET 1572

獨特的柵極驅動應用支持高功率放大器快速開啟/關閉

獨特的柵極驅動應用支持高功率放大器快速開啟/關閉

通過漏極控制開關HPA的典型配置如圖1所示。一個串聯(lián)FET開啟輸入HPA的高電壓。控制電路需要將邏輯電平脈沖轉換為更高電壓以使串聯(lián)FET導通。...

2021-06-02 標簽:功率放大器RF柵極驅動 1688

又是碳化硅(SiC),它到底好在哪里?

又是碳化硅(SiC),它到底好在哪里?

碳化硅和氮化鎵技術的“甜區(qū)”在哪里?...

2021-06-02 標簽:MOSFET逆變器IGBT氮化鎵碳化硅 3365

IGBT發(fā)展簡史

IGBT發(fā)展簡史

IGBT3的出現(xiàn),又在IGBT江湖上掀起了一場巨大的變革。IGBT3的元胞結構從平面型變成了溝槽型。...

2021-06-02 標簽:IGBT 7308

瑞薩電子憑借業(yè)界超小尺寸光電耦合器擴展其產(chǎn)品陣容 適用于工業(yè)自動化和太

新型爬電距離8.2mm的IGBT驅動器和IPM驅動器可將PCB面積縮減35%,以獲得更大電路板空間。...

2021-05-31 標簽:電動汽車驅動器光電耦合器瑞薩電子太陽能逆變器 1497

東芝推出用于隔離式固態(tài)繼電器的光伏輸出光耦

東芝推出用于隔離式固態(tài)繼電器的光伏輸出光耦

SSR是以光電可控硅、光電晶體管或光電晶閘管為輸出器件的半導體繼電器,它適用于對大電流執(zhí)行開/關控制的應用。...

2021-05-27 標簽:東芝固態(tài)繼電器光耦 1349

Nexperia新型40V低RDS(on) MOSFET助力汽車和工業(yè)應用實現(xiàn)更高功率密度

新型8 x 8 mm LFPAK88 MOSFET將最新的高性能超結硅技術與成熟的LFPAK銅夾片技術相結合,后者因提供顯著的電氣性能和熱性能而著稱。...

2021-05-27 標簽:MOSFETDC-DC轉換器NexperiaRDS 1278

Vishay推出先進的30V N溝道MOSFET,進一步提升隔離和非隔離拓撲結構功率密度和能

器件采用PowerPAK? 1212?8S封裝,導通電阻低至0.95 mW,優(yōu)異的FOM僅為29.8 mW*nC。...

2021-05-25 標簽:MOSFETVishay 992

微碩SGT工藝場效應管新品上線,關于SGT MOSFET你了解多少?

相對于MOSFET也屬于高端功率器件,但在廣大的中低壓應用當中,無論是消費類電子,還是家用電器,或是嵌入式系統(tǒng)和工業(yè)領域,MOSFET依然占據(jù)著巨大的市場份額。...

2021-05-20 標簽:MOSFET晶閘管功率半導體 9896

Vishay推出高精度薄膜片式電阻100 W~3.05MW阻值范圍內TCR可達±2 ppm/C

Vishay推出高精度薄膜片式電阻100 W~3.05MW阻值范圍內TCR可達±2 ppm/C

日前發(fā)布的器件從0402到2010包括五種外形尺寸,阻值為100 W~3.05 MW,公差低至± 0.01 %;工作溫度-55°C至+155°C;額定功率高達1 W。...

2021-05-18 標簽:Vishay稱重傳感器Vishay稱重傳感器薄膜片式電阻 1363

iqoo是什么充電器?拆解iQOO7的120W適配器

IQOO這款120W適配器整體采用一體成型制造,采用破壞性拆解,不具備復原性和可維修性,電源內部采用灌膠方式將導熱硅膠材料灌封成一個整體,提高適配器防水性、導熱性,增強適配器整體導...

2021-05-14 標簽:充電器適配器氮化鎵拆解iQOO 26104

小米55w氮化鎵充電器怎么樣?小米氮化鎵充電器拆解評測氮化鎵芯片

小米55W氮化鎵適配器的電源內部采用灌膠方式將導熱硅膠材料灌封成一個整體,提高適配器整體防水性、導熱性。并且元器件沒有位移空間,起到提高耐候性,增強適配器整體導熱避免局部發(fā)熱...

2021-05-13 標簽:適配器氮化鎵小米快充技術 24016

Vishay的新款交流濾波薄膜電容器可在高濕環(huán)境下持續(xù)穩(wěn)定工作

Vishay 推出適用于高濕環(huán)境的全新系列交流濾波金屬化聚丙烯薄膜電容器---MKP1847C交流濾波。...

2021-05-06 標簽:Vishay濾波薄膜電容器 1036

電機驅動中氮化鎵技術的應用前景

電機驅動中氮化鎵技術的應用前景

通過采用電子馬達驅動器或“電壓源逆變器”可實現(xiàn)對電機的增強型控制,此類驅動器通常會產(chǎn)生可變頻率和幅值的三相交流電來控制馬達的速度、扭矩和方向。驅動器采用開關電源技術,通常...

2021-04-28 標簽:電機驅動功率器件氮化鎵GaN柵極驅動 2886

電源適配器哪家好?未來主流電源適配器之選思睿達12V1A適配器方案介紹

電源適配器哪家好?未來主流電源適配器之選思睿達12V1A適配器方案介紹

1、樣機介紹 該測試報告是基于一個能適用于寬輸入電壓范圍,輸出功率12W,恒壓恒流輸出的電源適配器樣機,控制IC采用了思睿達公司的TT6267SG。 TT6267SG芯片特性: ● TT6267SG 內置650V高壓功率...

2021-04-28 標簽:電源開關電源適配器PoEDCDC 8512

充電器市場高穩(wěn)定方案 思睿達TT5259+TT3017L_12V2A SMPS工程樣機測試

充電器市場高穩(wěn)定方案 思睿達TT5259+TT3017L_12V2A SMPS工程樣機測試

1、樣機介紹 ? 該測試報告是基于一個能適用于寬輸入電壓范圍,輸出功率24W,恒壓輸出的工程樣機,控制IC采用了思睿達微電子的TT5259、TT3017L。 ? TT5259芯片特性: ? ● TT5259是采用內置650V高壓...

2021-04-28 標簽:電源芯片MOSFET充電器DCDC 7779

納微半導體閃亮登場慕尼黑上海電子展,氮化鎵最新工業(yè)級應用產(chǎn)品首次公開亮

DUBLIN, IRELAND —(PRWeb) 納微半導體宣布,在為期三天的2021年慕尼黑上海電子展上,成功完成一系列GaNFast? 大功率氮化鎵工業(yè)應用首秀。...

2021-04-27 標簽:氮化鎵慕尼黑上海電子展納微半導體 1306

CISSOID推出適用于航空應用的SiC智能功率模塊,以滿足其對自然冷卻的需求

CISSOID 實現(xiàn)了功率模塊和柵極驅動器的整體融合設計,且可通過仔細調整dv/dt去實現(xiàn)控制,通過快速切換所固有的電壓過沖來優(yōu)化IPM,從而將開關能量損耗降至最低。...

2021-04-27 標簽:功率轉換器晶體管CISSOIDSiC功率模塊 1301

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