功率器件
電子發(fā)燒友網(wǎng)功率器件欄目提供電源設(shè)計(jì)中所需的功率器件最新應(yīng)用技術(shù)和方法以及電源設(shè)計(jì)相關(guān)內(nèi)容，是電源工程師喜歡的網(wǎng)站。
Nexperia第二代650V氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)管使80 PLUS?鈦金級(jí)電源可在2kW或更高功率下運(yùn)行
基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專(zhuān)家Nexperia今天宣布其第二代650 V功率GaN FET器件系列開(kāi)始批量供貨。...
2021-04-27 標(biāo)簽：服務(wù)器功率器件氮化鎵伺服驅(qū)動(dòng)器太陽(yáng)能逆變器 1859
思睿達(dá)CR5822+CR6562_20V6A的參考設(shè)計(jì)
本篇文章將為您介紹思睿達(dá)主推CR5822+CR6562_20V6A的參考設(shè)計(jì)。讓我們先對(duì)思睿達(dá)主推的CR5822有個(gè)大概了解吧！ ? CR5822（準(zhǔn)諧振反激式脈寬調(diào)制控制器） 主要特點(diǎn) 多種工作模式 ●?重載準(zhǔn)諧振工...
2021-04-23 標(biāo)簽：變壓器電感PFC諧振參考設(shè)計(jì) 10728
現(xiàn)貨推薦 | Vishay/Siliconix SiR186LDP N溝道60V (D-S) MOSFET
Vishay/Siliconix SiR186LDP N溝道60V （D-S） MOSFET采用TrenchFET? Gen IV功率MOSFET技術(shù)。...
2021-04-21 標(biāo)簽：MOSFETVishay直流轉(zhuǎn)換器 1930
ROHM開(kāi)發(fā)出兼具出色的降噪和低損耗特性的600V耐壓IGBT IPM“BM6437x系列”
ROHM新開(kāi)發(fā)出四款可同時(shí)降低輻射噪聲和功率損耗、并在這兩方面均實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)超高特性的IGBT IPM系列產(chǎn)品。...
2021-04-20 標(biāo)簽：機(jī)器人物聯(lián)網(wǎng)IGBTRohm 956
科銳推出多款碳化硅基氮化鎵器件，助力大型雷達(dá)加速發(fā)展
有源電子掃描陣列（AESA）系統(tǒng)愈來(lái)愈受到研發(fā)的青睞，該系統(tǒng)主要運(yùn)用于大型機(jī)載平臺(tái)上，同時(shí)在陸地和海事細(xì)分市場(chǎng)也有采用。...
電磁干擾的測(cè)量與診斷
對(duì)于電磁干擾信號(hào)，由于其幅度往往遠(yuǎn)小于正常工作信號(hào)，因此用示波器很難測(cè)量到干擾信號(hào)的頻率。特別是當(dāng)較小的干擾信號(hào)疊加在較大的工作信號(hào)上時(shí)，示波器無(wú)法與干擾信號(hào)同步，因此不...
在帶電的電壓互感器二次回路上工作安全措施
接用臨時(shí)試驗(yàn)負(fù)載的二次電源線(xiàn)，應(yīng)使用裝有熔斷器的刀閘，熔絲的熔斷電流應(yīng)和電壓互感器各級(jí)熔斷器的保護(hù)特性相配合。保證在該負(fù)載部分發(fā)生接地短路故障時(shí)，本級(jí)熔斷器先熔斷而不影響...
用功率MOSFET制作線(xiàn)性放大器有何風(fēng)險(xiǎn)？
Severns介紹了Hexfets如何為開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS)做出了出色的貢獻(xiàn)。但他明確建議，對(duì)于制造線(xiàn)性放大器或用于任何其他非飽和業(yè)務(wù)，選擇Hexfets都可能引起麻煩。因?yàn)闀?huì)發(fā)生以下兩個(gè)問(wèn)題：...
2021-04-14 標(biāo)簽：放大器MOSFET開(kāi)關(guān)模式 1125
使用標(biāo)準(zhǔn)穩(wěn)壓器產(chǎn)生極低電壓
在過(guò)去的幾年里，由于微控制器（MCU）、CPU、DSP等數(shù)字電路的幾何結(jié)構(gòu)尺寸不斷縮小，電子零件的電源電壓持續(xù)下降，而在測(cè)量領(lǐng)域，也有一些需要低電源電壓的應(yīng)用。...
信號(hào)發(fā)生器輸出功率不夠大怎么辦？
典型的信號(hào)發(fā)生器可提供25mV至5V輸出電壓。為了驅(qū)動(dòng)50Ω或更大的負(fù)載，一般會(huì)在輸出端使用大功率分立器件、多個(gè)并行器件，或者成本高昂的ASIC。其內(nèi)部通常具有繼電器，可以使設(shè)備在不同的...
2021-04-14 標(biāo)簽：繼電器信號(hào)發(fā)生器PCBA 3961
碳化硅技術(shù)如何變革汽車(chē)車(chē)載充電
為了提高OBC系統(tǒng)的能效，人們研究了不同的PFC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，包括傳統(tǒng)PFC、半無(wú)橋PFC、雙向無(wú)橋PFC和圖騰柱無(wú)橋PFC。...
2021-04-14 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車(chē)二極管安森美半導(dǎo)體碳化硅車(chē)載充電器 2021
Power Integrations推出新款HiperPFS-4功率因數(shù)校正IC，可提供98％的滿(mǎn)載效率
集成了Qspeed升壓二極管，可實(shí)現(xiàn)極簡(jiǎn)單的有源PFC解決方案，面向PC和電視機(jī)電源應(yīng)用。...
領(lǐng)先的SiC/GaN功率轉(zhuǎn)換器的驅(qū)動(dòng)
基于硅IGBT的傳統(tǒng)逆變器和轉(zhuǎn)換器占據(jù)市場(chǎng)主體（占比超過(guò)70%），這主要?dú)w功于工廠(chǎng)生產(chǎn)線(xiàn)中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用和第一代風(fēng)力和太陽(yáng)能逆變器。...
2021-04-12 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車(chē)逆變器功率轉(zhuǎn)換器SiC柵極驅(qū)動(dòng)器 1396
全球領(lǐng)先氮化鎵IDM企業(yè)發(fā)力，33W GaN快充迅速上量
外型小巧是該方案的一大特色，其內(nèi)部電路設(shè)計(jì)更是十分精簡(jiǎn)，通過(guò)圖片可見(jiàn)，該方案僅僅只用兩塊PCB板就實(shí)現(xiàn)了全部功能，讓人眼前一亮。并且完全實(shí)現(xiàn)了核心技術(shù)的自主可控，供貨穩(wěn)定。...
ROHM開(kāi)發(fā)出針對(duì)150V GaN HEMT的8V柵極耐壓技術(shù)
與硅器件相比，GaN器件具有更低的導(dǎo)通電阻值和更優(yōu)異的高速開(kāi)關(guān)性能，因而在基站和數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域作為有助于降低各種開(kāi)關(guān)電源的功耗并實(shí)現(xiàn)小型化的器件被寄予厚望。...
2021-04-08 標(biāo)簽：電源電路無(wú)線(xiàn)充電Rohm功率元器件 1426
GaN Charger推薦方案- HGN093N12S/SL高頻應(yīng)用MOSFET
選用本款HGN093N12S/SL產(chǎn)品， 可以讓客戶(hù)提高整機(jī)效率， 并且溫度也隨之下降， 效率提升之外， 整體表現(xiàn)與CP值都能有效提升。...
介紹極限參數(shù)-ID & EAS依Hunteck 100V 5mΩ DFN5*6 MOSFET為例子
所有MOS規(guī)格書(shū)上面的ID是一個(gè)有明確邊界條件規(guī)定下的理論數(shù)值。因?yàn)樵趹?yīng)用中可能會(huì)有各種各樣的散熱條件。...
新型車(chē)用650 V CoolSiC?混合分立器件助力快速開(kāi)關(guān)車(chē)載充電器應(yīng)用實(shí)現(xiàn)性能提升
深圳威邁斯新能源股份有限公司（威邁斯）是中國(guó)領(lǐng)先的車(chē)載充電器供應(yīng)商，致力于開(kāi)發(fā)汽車(chē)電力電子產(chǎn)品，為客戶(hù)帶來(lái)高度可靠的車(chē)載充電器和DC-DC變流器產(chǎn)品。...
2021-03-18 標(biāo)簽：英飛凌IGBT分立器件車(chē)載充電器 1191
賦能未來(lái)，勇往直前---科銳聯(lián)合創(chuàng)始人發(fā)表SiC MOSFET十周年文章
在2011年，在經(jīng)過(guò)了將近二十年的研發(fā)之后，科銳推出了全球首款SiC MOSFET。盡管業(yè)界先前曾十分懷疑這是否可能實(shí)現(xiàn)。...
高壓補(bǔ)償與低壓補(bǔ)償疑問(wèn)？
容性無(wú)功功率，是表示電容設(shè)備與電源之間交換能量的快慢，容性電流，對(duì)發(fā)電機(jī)的主磁極起增磁的作用，會(huì)是發(fā)電機(jī)端電壓上漂而失去穩(wěn)定，過(guò)量的容性無(wú)功電流是有害的；...
無(wú)功補(bǔ)償電容的計(jì)算方法
1μF電容、額定電壓380v時(shí)，無(wú)功容量是Q=0.045Kvar 100μF電容、 額定電壓380v時(shí)，無(wú)功容量是Q=4.5Kvar？ 1000μF電容、 額定電壓380v時(shí)，無(wú)功容量是Q=45Kvar...
2021-03-16 標(biāo)簽：電容無(wú)功補(bǔ)償無(wú)功功率 10989
電容補(bǔ)償在技術(shù)上應(yīng)注意的問(wèn)題
防止系統(tǒng)諧波的影響。由于電容器回路是一個(gè)LC電路，對(duì)于某些諧波容易產(chǎn)生諧振，造成諧波放大，使電流增加和電壓升高。為此可采用串聯(lián)一定感抗值的電抗器以避免諧振，如以電抗器的百分...
2021-03-16 標(biāo)簽：電動(dòng)機(jī)接觸器電容補(bǔ)償 1662
穩(wěn)壓器的正確使用方法
3KVA以下的穩(wěn)壓器用保險(xiǎn)絲作過(guò)載或短路保護(hù)，5KVA以上的交流穩(wěn)壓器用小型斷路器或小型空氣開(kāi)關(guān)作為過(guò)載或短路保 護(hù)，在穩(wěn)壓器工作時(shí)，如保險(xiǎn)絲熔斷或自動(dòng)空氣斷路器跳閘，應(yīng)關(guān)機(jī)檢查負(fù)載...
納微專(zhuān)家談：氮化鎵GaN HEMT有體二極管嗎？
工程師于是感到非常困惑，GaN HEMT可以反向?qū)?，那到底有還是沒(méi)有體二極管？...
通過(guò)Buck降壓調(diào)光驅(qū)動(dòng)器的數(shù)字調(diào)光閃爍方案
為了驅(qū)動(dòng)高側(cè)的MOSFET，線(xiàn)路中存在BOOT電容。在每次二極管導(dǎo)通過(guò)程中，芯片內(nèi)部路徑會(huì)對(duì)BOOT電容充電。...
2021-03-13 標(biāo)簽：MOSFET驅(qū)動(dòng)器Boot濾波電感 4451
Nexperia與聯(lián)合汽車(chē)電子有限公司就氮化鎵領(lǐng)域達(dá)成深度合作
隨著汽車(chē)電氣化、5G通信、工業(yè)4.0市場(chǎng)的不斷增長(zhǎng)，基于GaN的主流設(shè)計(jì)正漸入佳境，勢(shì)必推動(dòng)2021年及未來(lái)功率半導(dǎo)體的需求增長(zhǎng)。...
氮化鎵功率晶體管價(jià)格降至1美元以下
GaN Systems其低電流，大批量氮化鎵晶體管的價(jià)格已跌至1美元以下。...
森國(guó)科推出多款快充PFC電路專(zhuān)用碳化硅二極管（SiC JBS）
森國(guó)科針對(duì)大功率快充推出了兩款碳化硅二極管，賦能高功率密度快充產(chǎn)品。該兩款產(chǎn)品型號(hào)為：KS06065（650V/6A）、KS10065（650V/10A），KS06065提供TO-252-2、PDFN3*3、PDFN5*6、PDFN8*8共4種封裝。...
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