功率器件
電子發(fā)燒友網(wǎng)功率器件欄目提供電源設(shè)計(jì)中所需的功率器件最新應(yīng)用技術(shù)和方法以及電源設(shè)計(jì)相關(guān)內(nèi)容，是電源工程師喜歡的網(wǎng)站。
非隔離式LED驅(qū)動(dòng)器的參考設(shè)計(jì)方案介紹
變壓器的匝數(shù)比為18：6：1。初級(jí)電感為800μH，額定電流為750mA（峰值），占空比始終小于50％。...
影響線性模式下溝槽MOSFET器件熱不穩(wěn)定性條件的因素分析
多年來，半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展已取得了令人矚目的成果。當(dāng)今的設(shè)備具有顯著改善的性能，特別是在降低漏源導(dǎo)通狀態(tài)電阻，降低柵極電荷和提高開關(guān)速度方面。整個(gè)系統(tǒng)的低功耗和高性能是當(dāng)今...
2021-05-27 標(biāo)簽：MOSFET半導(dǎo)體技術(shù) 5023
隨機(jī)相位交叉三端雙向可控硅驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用分析
本文檔全面討論了隨機(jī)相位交叉三端雙向可控硅驅(qū)動(dòng)器及其最常見的應(yīng)用。它將從三端雙向可控硅驅(qū)動(dòng)器的基本電氣描述開始。接下來是關(guān)于使用驅(qū)動(dòng)器本身及其輸入電路的討論。最后一部分將...
2021-05-31 標(biāo)簽：led驅(qū)動(dòng)器 4761
基于SiC的功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)高功率密度
作者：Maurizio Di Paolo Emilio CISSOID宣布了專門為降低開關(guān)損耗或提高功率而量身定制的新型液冷模塊，屬于其三相碳化硅（SiC）?MOSFET智能功率模塊（IPM）產(chǎn)品系列。在接受CISSOID首席技術(shù)官Pierre...
2021-05-28 標(biāo)簽：功率轉(zhuǎn)換器SiC柵極驅(qū)動(dòng)器 1766
淺談齊納二極管和并聯(lián)拓?fù)?如何選擇合適的分流電阻
兩種最常見的參考類型是齊納和帶隙。齊納二極管通常用于兩端并聯(lián)拓?fù)渲?。帶隙基?zhǔn)通常用于三端串聯(lián)拓?fù)洹?..
2021-05-28 標(biāo)簽：齊納二極管分流電阻基準(zhǔn)電壓 2940
功率轉(zhuǎn)換器尋找高壓模塊時(shí)需要注意的事項(xiàng)
根據(jù)高壓需要做的事情，需要定義電壓和電流以及極性。這主要取決于負(fù)載規(guī)格。例如，光電倍增管可能需要1200VDC和微安的電流。...
2021-05-31 標(biāo)簽：功率轉(zhuǎn)換器 1987
淺談隔離式0-10 V至4-20 mA轉(zhuǎn)換器應(yīng)用
在存在高共模噪聲且需要保護(hù)設(shè)備和人員免受高壓影響的環(huán)境中，工業(yè)控制器和數(shù)據(jù)采集設(shè)備經(jīng)常需要隔離的電壓-電流環(huán)路轉(zhuǎn)換器。電流回路通常為4-20mA，用于驅(qū)動(dòng)控制閥或圖表記錄器的輸入...
2021-05-28 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器隔離電壓壓力變送器工業(yè)控制器 2858
大電流雙列直插式溝道MOSFET分析
在汽車中使用越來越多的功率驅(qū)動(dòng)器，其功率范圍從幾百瓦到幾千瓦不等，例如用作起動(dòng)發(fā)電機(jī)或電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向風(fēng)扇泵的致動(dòng)器，以及將來的線控制動(dòng)系統(tǒng)。通常使用三相交流電機(jī)，這需要根據(jù)...
2021-05-28 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器發(fā)電機(jī) 1278
RL78 系列的注意事項(xiàng)和噪聲對(duì)策分析
如果噪聲進(jìn)入時(shí)鐘輸入/輸出引腳，時(shí)鐘波形可能不穩(wěn)定。這可能會(huì)導(dǎo)致程序失敗或程序失控。...
激光二極管基礎(chǔ)知識(shí)介紹：何謂像散差 （As）？
激光二極管接合部在垂直方向和水平方向上外觀的焦點(diǎn)位置不同。將這2個(gè)焦點(diǎn)間的距離定義為像散差 （As）。...
2021-05-31 標(biāo)簽：激光二極管半導(dǎo)體激光器 3966
淺談汽車PTC模塊中用低側(cè)驅(qū)動(dòng)器IC的作用分析
分立式電路的一個(gè)顯著缺點(diǎn)是它不提供保護(hù)，而柵極驅(qū)動(dòng)器IC集成了對(duì)于確保可預(yù)測(cè)和穩(wěn)定的柵極驅(qū)動(dòng)非常重要的功能。...
2021-05-31 標(biāo)簽：MOSFETIGBT電源開關(guān)PTC加熱器 5438
具有反向阻斷能力的新型 IGBT
本應(yīng)用筆記介紹了為反向阻斷功能而開發(fā)的新型 IGBT。應(yīng)用筆記介紹了新型 IGBT 的應(yīng)用及其電氣特性。 抽象的 開發(fā)了一種新的 IGBT，具有反向阻斷能力。各種應(yīng)用都需要此功能，例如電流源逆變...
2021-06-01 標(biāo)簽：二極管轉(zhuǎn)換器逆變器IGBT諧振電路 3916
激光二極管的LD封裝和LD芯片結(jié)構(gòu)
由于包層材料的禁帶寬度比有源層寬，因此將載體（電子和空穴）能量性的封閉起來。并且，由于包層材料的折射率比有源層小，因此光也封閉在有源層內(nèi)。(與光纖的原理相同)...
淺談肖特基二極管和特定應(yīng)用的勢(shì)壘高度調(diào)整
本應(yīng)用筆記將真正的肖特基二極管作為最低正向壓降的最佳選擇。本文檔描述了低、中和高電壓電平應(yīng)用，以及具有理想動(dòng)態(tài)行為的二極管、快速反向恢復(fù) PN 二極管、真正的肖特基二極管和特...
650V場(chǎng)截止IGBT 現(xiàn)代廚房技術(shù)分析
現(xiàn)代廚房技術(shù)現(xiàn)在涉及感應(yīng)烹飪，以提供更簡單的方法和更快的食物準(zhǔn)備。由于不同制造商品牌在市場(chǎng)上競爭，秘訣在于感應(yīng)加熱器可產(chǎn)生更多功率輸出，從而縮短烹飪時(shí)間。本文檔將簡要介紹...
反激式轉(zhuǎn)換器的基本原理及其操作背后的機(jī)制分析
本文檔介紹了反激式轉(zhuǎn)換器的基本原理及其操作背后的機(jī)制。它包括關(guān)于設(shè)計(jì)電阻-電容-二極管 (RCD) 緩沖器的簡短而簡明的討論，這是這些反激式轉(zhuǎn)換器最重要的部分。此外，F(xiàn)airchild 在本說明...
2021-06-01 標(biāo)簽：串聯(lián)電阻二極管反激式轉(zhuǎn)換器電解電容 4713
砷化鎵 (GaAs) 功率肖特基二極管的電氣測(cè)量（靜態(tài)和動(dòng)態(tài)）技術(shù)
該文展示了新型砷化鎵 （GaAs） 功率肖特基二極管與雙極硅二極管相比的電氣特性。該文還介紹了其電氣測(cè)量（靜態(tài)和動(dòng)態(tài)）以及最先進(jìn)的技術(shù)。 通常，硅雙極二極管用于轉(zhuǎn)換器。它們的反向...
2021-06-04 標(biāo)簽：肖特基二極管砷化鎵動(dòng)態(tài)測(cè)量砷化鎵肖特基二極管 5795
基于IGBT / MOSFET 的柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器設(shè)計(jì)方案
本應(yīng)用筆記涵蓋了計(jì)算柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器 IC 的柵極驅(qū)動(dòng)器功率和熱耗散的主題。柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器用于驅(qū)動(dòng)、導(dǎo)通和關(guān)斷、功率半導(dǎo)體開關(guān)、MOSFET/IGBT。柵極驅(qū)動(dòng)功率計(jì)算可分為三部分；驅(qū)動(dòng)器...
2021-06-14 標(biāo)簽：MOSFETIGBT柵極驅(qū)動(dòng)器 5364
淺談半橋或全橋中的開關(guān) FET 和死區(qū)時(shí)間
正在瀏覽一些舊筆記，偶然發(fā)現(xiàn)了我了解死時(shí)間的那一天。不，這不是我們都試圖忽視的致命時(shí)刻；在此期間，在半橋或全橋中打開和關(guān)閉 FET 至關(guān)重要。那么它是什么，為什么 FET 的開關(guān)如此...
2021-06-14 標(biāo)簽：電容器電阻器驅(qū)動(dòng)ICPWM發(fā)生器 13778
如何選擇合適的 PNP 或 NPN 晶體管開關(guān)
用于制造晶體管的半導(dǎo)體材料層由字母表示。為了保持直線發(fā)射器符號(hào)，原理圖中的箭頭始終是發(fā)射器。...
淺談金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管
通過將柵極放置在絕緣氧化層上來控制 MOSFET 溝道區(qū)的導(dǎo)電性。作為跨絕緣介電層電容感應(yīng)的電場(chǎng)的結(jié)果，溝道的電導(dǎo)率由施加到柵極的電壓控制。...
2021-06-14 標(biāo)簽：MOSFET半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管電壓控制 6763
淺談結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (JFET) 的特性
結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的溝道由 N 型半導(dǎo)體或 P 型半導(dǎo)體材料組成，柵極由相反的半導(dǎo)體類型制成。N 溝道摻雜有施主雜質(zhì)，其中通過溝道的電流以電子的形式為負(fù)。P 溝道摻雜受主雜質(zhì)，其中電流...
2021-06-14 標(biāo)簽：半導(dǎo)體FET場(chǎng)效應(yīng)晶體管 8186
如何使用自供電運(yùn)算放大器創(chuàng)建低泄漏整流器
您可以將一個(gè)精心挑選的運(yùn)算放大器、一個(gè)低閾值 P 溝道 MOSFET 和兩個(gè)反饋電阻結(jié)合起來，制成正向壓降比二極管小的整流器電路（圖 1）。整流后的輸出電壓為有源電路供電，因此不需要額外...
2021-06-14 標(biāo)簽：二極管運(yùn)算放大器肖特基二極管二極管整流器電路肖特基二極管運(yùn)算放大器 1666
功率 MOSFET類別 N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET結(jié)構(gòu)
N 溝道增強(qiáng)模式最常用于電源開關(guān)電路，因?yàn)榕c P 溝道器件相比，它的導(dǎo)通電阻低。...
2021-06-14 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器MOSFET雙極晶體管 5490
以PFC電路說明如何選擇最佳二極管
在具有感性負(fù)載的硬開關(guān)應(yīng)用中，續(xù)流二極管會(huì)在電源開關(guān)的導(dǎo)通轉(zhuǎn)換期間造成高損耗。...
碳化硅材料的特性和優(yōu)勢(shì)分析
碳化硅半導(dǎo)體 一、碳化硅材料的特性 SiC（碳化硅）是由硅（Si）和碳（C）組成的化合物半導(dǎo)體。與 Si 相比，SiC 具有十倍的介電擊穿場(chǎng)強(qiáng)、三倍的帶隙和三倍的熱導(dǎo)率。在半導(dǎo)體材料中形成器...
2021-06-15 標(biāo)簽：碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管 11159
淺談齊納二極管和并聯(lián)拓?fù)?如何選擇合適的分流電阻器
齊納二極管是針對(duì)在反向偏置擊穿區(qū)域中工作而優(yōu)化的二極管。由于擊穿是相對(duì)恒定的，它可用于通過反向驅(qū)動(dòng)已知電流來產(chǎn)生穩(wěn)定的參考。...
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