功率器件
電子發(fā)燒友網(wǎng)功率器件欄目提供電源設(shè)計中所需的功率器件最新應(yīng)用技術(shù)和方法以及電源設(shè)計相關(guān)內(nèi)容，是電源工程師喜歡的網(wǎng)站。
SiC MOSFET的短路測試下的引線鍵合應(yīng)力分析
除了提供緊湊，高效的解決方案外，WBG材料還必須在異常或關(guān)鍵工作條件（例如短路和極端溫度操作）的情況下滿足安全要求。...
2021-05-18 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器功率轉(zhuǎn)換器CADSiC MOSFETGaN HEMT 2347
功率轉(zhuǎn)換器中CoolSiC?MOSFET技術(shù)解析
功率轉(zhuǎn)換器中越來越多地使用碳化硅（SiC）晶體管，這對尺寸，重量和/或效率提出了很高的要求。與雙極IGBT器件相反，SiC出色的材料性能使它可以設(shè)計快速開關(guān)的單極器件。因此，現(xiàn)在僅在低...
基于功率MOSFET的H橋PWM DC電機驅(qū)動器
H橋（全橋）驅(qū)動器在驅(qū)動有刷直流電機等負載方面非常流行，并且已廣泛用于機器人技術(shù)和工業(yè)中。使用H橋驅(qū)動器的主要優(yōu)點是效率高，旋轉(zhuǎn)方向變化和制動電動機。...
2021-05-20 標(biāo)簽：驅(qū)動器IGBTMOSFET驅(qū)動器 9876
用于放大小信號或切換較小電流的低功率器件
采用TO-92封裝的設(shè)備不能散發(fā)很多功率，因此，當(dāng)我說“更大”時，我指的是物理上較大的封裝，它們可以更容易地散熱（即，較低的熱阻） 。...
2021-05-20 標(biāo)簽：意法半導(dǎo)體晶體管 2634
關(guān)于BiMOSFET直流電性能及其開關(guān)應(yīng)用
在本應(yīng)用筆記中，我們將討論為高壓和高頻應(yīng)用開發(fā)的BiMOSFET。我們還將討論其直流電性能及其開關(guān)應(yīng)用。 在IXBH40N160中，IXYS通過引入集電極短路器開發(fā)了一種極快，均勻的基極IGBT。由于這種修...
2021-05-20 標(biāo)簽：MOSFET 2227
基于GaN晶體管的500W電機驅(qū)動方案 GaN和汽車究竟是什么關(guān)系
電機是全球耗電大戶，盡管電壓很高，硅仍然是主流。不過，GaN 和 SiC 都在向高效率變頻驅(qū)動的電機驅(qū)動系統(tǒng)進軍。但這個市場非常保守，適應(yīng)新技術(shù)的速度很慢，到 2025 年將有 10%到 15%的替代...
淺談開關(guān)模式電源電路中運行的IGBT數(shù)值算法
該分析描述了一種用于確定IGBT損耗的數(shù)值算法。諸如MathCAD?之類的數(shù)學(xué)工作表程序可用于此應(yīng)用程序。...
如何復(fù)制下一代柵極驅(qū)動光電耦合器的改進，以驅(qū)動和保護SiC MOSFET
為了匹配CREE SiC MOSFET的低開關(guān)損耗，柵極驅(qū)動器必須能夠以快速壓擺率提供高輸出電流和電壓，以克服SiC MOSFET的柵極電容。...
2021-05-24 標(biāo)簽：光電耦合器柵極驅(qū)動器SiC MOSFET 3638
什么是IGBT？功率半導(dǎo)體元器件的特點
除了IGBT外，功率半導(dǎo)體元器件（晶體管領(lǐng)域）的代表產(chǎn)品還有MOSFET、BIPOLAR等，它們主要被用作半導(dǎo)體開關(guān)。...
2021-05-24 標(biāo)簽：MOSFET元器件雙極晶體管功率半導(dǎo)體 16897
800V功率模塊如何選擇IGBT或SiC器件？
我之前一直以為 Taycan 用的是 Delphi 的 SiC 的器件，但是根據(jù)目前日立所 AMS 披露的，包括 Taycan 里面維修手冊所描述的情況來看，情況并不是這樣。...
淺談汽車級光伏驅(qū)動器和分立MOSFET
工程師已經(jīng)研究和開發(fā)了可以代替機械繼電器的固態(tài)繼電器設(shè)備。與機械繼電器相比，這些固態(tài)繼電器具有更高的可靠性，更快的切換時間，沒有切換彈跳以及更小的尺寸。但是隨著這些優(yōu)點的...
柵極驅(qū)動設(shè)計中的關(guān)鍵控制及400W CCM PFC中的效率比較
基于電荷平衡技術(shù)的超級結(jié)MOSFET在降低導(dǎo)通電阻和寄生電容方面提供了出色的性能，這通常需要權(quán)衡取舍。...
關(guān)于使用驅(qū)動器本身及其輸入電路的應(yīng)用分析
本文檔徹底討論了隨機相交三端雙向可控硅驅(qū)動器及其最常見的應(yīng)用。將從三端雙向可控硅開關(guān)驅(qū)動器的基本電氣描述開始。接下來是關(guān)于使用驅(qū)動器本身及其輸入電路的討論。最后一部分將是...
2021-05-25 標(biāo)簽：電阻電阻器電動機固態(tài)繼電器 3140
IXYS功率MOSFET數(shù)據(jù)表中使用的參數(shù)定義
本應(yīng)用筆記介紹了IXYS功率MOSFET數(shù)據(jù)表中使用的參數(shù)定義。本文檔介紹了基本額定值和特性，例如溫度，能量，機械數(shù)據(jù)以及電流和電壓額定值。它還簡要介紹了數(shù)據(jù)手冊中包含的圖形以及功率...
淺談激光二極管和激光驅(qū)動器的特性
以高信息速率將激光驅(qū)動器電路與可工業(yè)訪問的激光二極管接口連接可能會造成混亂和困惑。本應(yīng)用筆記旨在快速解決這一主題，目的是為光學(xué)系統(tǒng)愛好者提供有用的參考，這將使此過程更容易...
基于GaN芯片的電源轉(zhuǎn)換方案設(shè)計
作者：Alex Lidow，Michael de Rooij，Andreas Reiter 氮化鎵（GaN）功率器件已投入生產(chǎn)10多年，除了性能和成本方面的改進外，GaN技術(shù)具有將多個器件集成在同一襯底上的本征特性，這將極有可能給電源...
淺談MOSFET/IGBT驅(qū)動器理論及其應(yīng)用
本應(yīng)用筆記介紹了MOSFET / IGBT驅(qū)動器理論及其應(yīng)用。該文檔介紹了MOSFET和IGBT技術(shù)，驅(qū)動器的類型，隔離技術(shù)以及MOSFET / IGBT驅(qū)動器的IXYS系列以及一些實際考慮因素。 MOSFET和IGBT技術(shù) 由于不存在少...
IGBT柵極驅(qū)動器的隔離式反激轉(zhuǎn)換器的設(shè)計
工業(yè)快速以太網(wǎng) 隔離式IGBT柵極驅(qū)動器需要隔離式電源，以實現(xiàn)安全隔離和電平轉(zhuǎn)換。不幸的是，基于標(biāo)準(zhǔn)電源控制IC的隔離式電源設(shè)計并非易事。要使用離散的組件定制解決方案，就需要專門...
2021-05-26 標(biāo)簽：變壓器整流二極管以太網(wǎng)柵極驅(qū)動器反激轉(zhuǎn)換器 3431
線性功率MOSFETS的輸出特性和應(yīng)用設(shè)計
電子負載，線性穩(wěn)壓器或A類放大器等應(yīng)用程序在功率MOSFET的線性區(qū)域內(nèi)運行，這需要高功耗能力和擴展的正向偏置安全工作區(qū)（FBSOA）特性。這種工作模式與通常使用功率MOSFET的方式不同，后者...
2021-05-27 標(biāo)簽：MOSFET線性穩(wěn)壓器漏極電壓 4912
一文解析IGBT驅(qū)動器的電流隔離
在這種情況下，不再容易忽略需要重新加載的內(nèi)部電容，而這些電容在小型MOSFET的控制中幾乎不起任何作用。...
N溝道耗盡型功率MOSFET的電路應(yīng)用
電源系統(tǒng)中的恒定電流源，固態(tài)繼電器，電信開關(guān)和高壓直流線路等應(yīng)用需要N溝道耗盡型功率MOSFET，當(dāng)柵極至源極電壓為零時，該MOSFET用作常開的開關(guān)。本文將介紹IXYS最新的N溝道耗盡型功率...
2021-05-27 標(biāo)簽：MOSFET固態(tài)繼電器電源系統(tǒng) 9911
絕緣柵雙極晶體管知識：IGBT對比功率MOSFET和BJT的優(yōu)勢
由于電導(dǎo)率調(diào)制，它具有非常低的導(dǎo)通狀態(tài)電壓降，并具有出色的導(dǎo)通狀態(tài)電流密度。因此，較小的芯片尺寸是可能的，并且可以降低成本。...
2021-05-27 標(biāo)簽：驅(qū)動器開關(guān)電源PWMIGBTBJT 5925
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