功率器件
電子發(fā)燒友網(wǎng)功率器件欄目提供電源設(shè)計(jì)中所需的功率器件最新應(yīng)用技術(shù)和方法以及電源設(shè)計(jì)相關(guān)內(nèi)容，是電源工程師喜歡的網(wǎng)站。
具有保護(hù)功能的GaN器件實(shí)現(xiàn)下一代工業(yè)電源設(shè)計(jì)的挑戰(zhàn)
氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體的物理特性與硅器件不相上下。傳統(tǒng)的電源供應(yīng)器金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)和絕緣柵極雙極晶體管(IGBT)只有在犧牲效率、外形尺寸和散熱的前提下才能提高功率密...
2020-12-20 標(biāo)簽：開關(guān)電源場(chǎng)效應(yīng)晶體管氮化鎵GaN柵極驅(qū)動(dòng)器 3575
硅基氮化鎵IC是如何制成的？重新定義電源轉(zhuǎn)換
隨著氮化鎵器件性能的提高，人們對(duì)這些器件的可靠性和可用性有了更大的信心后，氮化鎵器件被用于廣闊的全新應(yīng)用。...
宜普電源轉(zhuǎn)換公司推出兩款100V eGaN FET，為業(yè)界樹立全新性能基準(zhǔn)
EPC2218（3.2 mΩ、231 Apulsed）和EPC2204（6 mΩ、125 Apulsed）比前代eGaN FET的導(dǎo)通電阻降低了接近20%及提高了額定直流功率。...
2020-09-24 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)晶體管氮化鎵激光雷達(dá)eGaNeGaN場(chǎng)效應(yīng)晶體管宜普電源氮化鎵激光雷達(dá) 1464
寬禁帶生態(tài)系統(tǒng)：碳化硅功率MOSFET模型的部分特性
寬禁帶材料實(shí)現(xiàn)了較當(dāng)前硅基技術(shù)的飛躍。它們的大帶隙導(dǎo)致較高的介電擊穿，從而降低了導(dǎo)通電阻(RSP)。更高的電子飽和速度支持高頻設(shè)計(jì)和工作，降低的漏電流和更好的導(dǎo)熱性有助于高溫下...
2020-10-10 標(biāo)簽：IC設(shè)計(jì)安森美半導(dǎo)體寬禁帶 4179
Vishay推出新款200V N溝道MOSFET的RDS(ON)導(dǎo)通電阻達(dá)到業(yè)內(nèi)最低水平，提高系統(tǒng)功率
TrenchFETa器件典型RDS（ON）為 61 mΩ，優(yōu)值系數(shù)為 854 mΩ*nC，封裝面積10.89 mm2...
Vishay推出B和C外殼代碼新產(chǎn)品擴(kuò)充EP1高能量密度濕鉭電容器
增強(qiáng)型EP1采用Vishay成熟的SuperTan? 技術(shù)，B外殼代碼和C外殼代碼器件超高容量分別達(dá)到3，600 μF~40，000 μF和5，300 μF~58，000 μF。...
交流接觸器不為人知的一面！
針對(duì)交流接觸器的這種現(xiàn)象，筆者曾多次向某品牌接觸器生產(chǎn)廠家的技術(shù)人員請(qǐng)教。經(jīng)過交流學(xué)習(xí)后，筆者方知之所以存在這種現(xiàn)象的原因主要出于兩方面的考慮...
Power Integrations推出適合智能照明應(yīng)用的新款LYT6078C驅(qū)動(dòng)器IC
LYT6078C的性能優(yōu)勢(shì)在新的設(shè)計(jì)報(bào)告（DER-920）中得到了充分體現(xiàn)，該報(bào)告詳細(xì)介紹了使用PFC升壓級(jí)外加隔離反激拓?fù)浼?jí)的兩級(jí)可調(diào)光LED鎮(zhèn)流器設(shè)計(jì)。...
2020-09-19 標(biāo)簽：led驅(qū)動(dòng)器IC鎮(zhèn)流器Power氮化鎵 1359
Vishay推出汽車級(jí)DC-Link金屬化聚丙烯薄膜電容器——MKP1848H DC-Link
日前發(fā)布的徑向灌封電容器確保惡劣工作環(huán)境條件下極為穩(wěn)定的容量和ESR值，延長使用壽命。...
2020-09-10 標(biāo)簽：電容器濾波器電源轉(zhuǎn)換器薄膜電容器 1814
最后3天！報(bào)名英飛凌云端大會(huì)，感受極致 “功率 & 傳感技術(shù)”
號(hào)外、號(hào)外、號(hào)外， 英飛凌電源與傳感系統(tǒng)云端大會(huì) 啟動(dòng)啦~ 9月7日-11日， 兩岸三地、專家攜手， 一場(chǎng)功率 傳感的技術(shù)盛會(huì)正在襲來！ 精彩主題搶先看 01 極致功率，引領(lǐng)廣泛應(yīng)用的能效創(chuàng)新...
2020-09-03 標(biāo)簽：英飛凌開關(guān)電源功率器件傳感技術(shù) 3758
Microchip推出AgileSwitch柵極驅(qū)動(dòng)器和功率模塊工具包，助力開發(fā)人員設(shè)計(jì)投產(chǎn)
Microchip的AgileSwitch?數(shù)字可編程?hào)艠O驅(qū)動(dòng)器和SP6LI SiC功率模塊工具包解決方案可加快開發(fā)人員從設(shè)計(jì)到投產(chǎn)的步伐。...
2020-09-01 標(biāo)簽：microchip逆變器功率模塊柵極驅(qū)動(dòng)器碳化硅 2228
Vishay推出超小型高性能器件，擴(kuò)充TNPW e3系列高穩(wěn)定性薄膜扁平片式電阻器
該器件適用于自動(dòng)SMD組裝系統(tǒng)貼片加工以及自動(dòng)焊接。電阻器無鹵素，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，純錫電鍍兼容無鉛（Pb）和含鉛（Pb）焊接工藝。...
2020-08-31 標(biāo)簽：電阻器VishaySMD可穿戴設(shè)備 940
ITECH功率半導(dǎo)體測(cè)試解決方案亮相2020世界半導(dǎo)體大會(huì)
雖然遭受疫情的影響，全球經(jīng)濟(jì)大環(huán)境不容樂觀，但中國半導(dǎo)體市場(chǎng)在今年仍呈現(xiàn)了增長的趨勢(shì)。...
2020-08-28 標(biāo)簽：功率半導(dǎo)體功率分析儀半導(dǎo)體測(cè)試ITECH世界半導(dǎo)體大會(huì) 1425
寬禁帶功率器件讓人“愛恨交織”，大滿貫選手教你如何一招選型
與傳統(tǒng)主流的硅材料相比，作為新材料的SiC和GaN有哪些特性？以SiC為例，如下圖所示，從物理特性來看，SiC與硅材料的電子遷移率相差不大，但其禁帶寬度、臨界場(chǎng)強(qiáng)、熱導(dǎo)率和電子遷移速度分...
提高功率密度的利弊權(quán)衡及所需技術(shù)
多年來，工程師和研究人員一直致力于尋找提高功率密度的方法。這是一項(xiàng)艱巨的任務(wù)。大多數(shù)公司將研究重點(diǎn)集中在減小用于能量轉(zhuǎn)換的無源組件的尺寸上。...
2020-08-25 標(biāo)簽：電感器ti反激式轉(zhuǎn)換器功率器件功率密度 5156
德州儀器白皮書：推動(dòng)電源管理變革的5大趨勢(shì)
在更小的空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)更大的功率，從而以更低的系統(tǒng)成本增強(qiáng)系統(tǒng)功能...
2020-09-02 標(biāo)簽：電源管理德州儀器信號(hào)完整性電磁干擾 1963
宜普電源轉(zhuǎn)換公司推出兩款新一代200 V 氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管
EPC2215（8 mΩ、162 Apulsed）和EPC2207（22 mΩ、54 Apulsed）的尺寸比前代200 V eGaN器件大約縮小50%，而性能卻倍增。...
2020-08-22 標(biāo)簽：MOSFET晶體管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 2126
德州儀器：功率密度基礎(chǔ)技術(shù)簡介
為了更好地理解對(duì)功率密度的關(guān)注，讓我們看看實(shí)現(xiàn)高功率密度所需的條件。即使是外行也能看出，效率、尺寸和功率密度之間的特殊關(guān)系是顯而易見的。...
2020-08-20 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器德州儀器功率密度 2078
微波功率模塊的三種焊接工藝分析比較
從微波功率模塊的生產(chǎn)效率、模塊的焊接質(zhì)量和加工難度等方面，對(duì)三種工藝方式進(jìn)行綜合性比較，從而得出各自的適用場(chǎng)合，以指導(dǎo)生產(chǎn)。...
金升陽推出6-42VDC超寬壓輸入、小功率DC/DC電源—CUWF24_J（Y）T-3/6WR3系列
可廣泛應(yīng)用于汽車、工控、電力、儀器儀表、通信等領(lǐng)域。在超級(jí)電容汽車上使用時(shí)，CUWF2405J（Y）T-6WR3作為主電源給監(jiān)控板供電，可對(duì)超級(jí)電容充放電過程中存在的熱量變化、電容工作過程中...
ITECH半導(dǎo)體測(cè)試方案解析，從容應(yīng)對(duì)全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)風(fēng)起云涌
功率模塊供應(yīng)商會(huì)搭建不同的產(chǎn)品解決方案，并進(jìn)行轉(zhuǎn)換效率，溫升等指標(biāo)驗(yàn)證，向下游的客戶（生產(chǎn)電機(jī)控制器，UPS，光伏逆變器制造商…）提供參考案例并證明其性能，例如使用該廠商的功...
2020-08-17 標(biāo)簽：IGBT功率模塊功率半導(dǎo)體半導(dǎo)體測(cè)試ITECH 1321
Vishay推出業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的-30 V P溝道MOSFET，可提高能效和功率密度
日前發(fā)布的MOSFET導(dǎo)通電阻比市場(chǎng)上排名第二的產(chǎn)品低43%，降低壓降并減小傳導(dǎo)損耗，從而實(shí)現(xiàn)更高功率密度。...
揚(yáng)杰科技推出性能優(yōu)異的輸入整流二極管，可應(yīng)用于主流的充電樁行業(yè)
材料具有較低的正向壓降VF與反向漏電IR（IR《5uA），應(yīng)用在充電樁上能夠很好地提高工作效率。...
2020-08-14 標(biāo)簽：整流二極管充電樁揚(yáng)杰科技 2893
提高4H-SiC肖特基二極管和MOSFET的雪崩耐受性
SiC器件的市場(chǎng)份額預(yù)計(jì)將在未來幾年加速增長，主要推動(dòng)因素是運(yùn)輸行業(yè)的電氣化。SiC管芯將成為車載充電器和動(dòng)力傳動(dòng)牽引系統(tǒng)等應(yīng)用的模塊中的基本構(gòu)件。...
Vishay推出卡扣式功率鋁電容器提高功率密度，延長使用壽命
日前發(fā)布的器件紋波電流高達(dá)3.27 A，因此設(shè)計(jì)人員可以使用更少的元件，從而節(jié)省電路板空間并降低成本。...
IGBT –電動(dòng)汽車空調(diào)的一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)
與使用內(nèi)燃機(jī)的傳統(tǒng)汽車相比，電動(dòng)汽車的能效要高得多，但這也帶來一個(gè)問題：來自電機(jī)的廢熱不再足以滿足車內(nèi)的取暖需求。...
2020-08-04 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車逆變器IGBT加熱器 1807
碳化硅為何備受廠商青睞？安森美半導(dǎo)體碳化硅側(cè)重的4大重點(diǎn)
01?年輕就要“燃”起來 輕薄便攜就是它...
2020-09-11 標(biāo)簽：逆變器安森美半導(dǎo)體碳化硅 2374
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