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      電子發(fā)燒友網(wǎng)>電源/新能源>功率器件>

      智能功率模塊助力業(yè)界加速邁向基于碳化硅（SiC）的電動汽車

      本文討論了在電動汽車應(yīng)用的功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計中選擇CISSOID三相全橋1200V SiC MOSFET智能功率模塊（IPM）體系所帶來的益處，尤其表現(xiàn)在該體系是一個可擴(kuò)展的平臺系列。...

      2020-11-07 標(biāo)簽：電動汽車功率轉(zhuǎn)換器功率模塊碳化硅 2511

      相對于硅（Si）和碳化硅（SiC），GaN有哪些優(yōu)勢

      最終的器件是額定電壓為650 V的FET，具有4 V的高閾值，小于15mΩ的導(dǎo)通電阻以及類似于單芯片的封裝。...

      2020-12-07 標(biāo)簽：晶體管SiCGaN 4165

      深度解讀IGBT 雙面冷卻散熱優(yōu)勢

      深度解讀IGBT 雙面冷卻散熱優(yōu)勢

      什么是IGBT? IGBT全稱為絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor），是由BJT(Bipolar Junction Transistor雙極結(jié)型晶體三極管)和MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor絕緣柵型場效應(yīng)管，也稱金...

      2021-02-27 標(biāo)簽：場效應(yīng)管IGBT晶體管晶體三極管功率半導(dǎo)體器件 15668

      IGBT短路保護(hù)之退飽和即Desat概念

      IGBT在工作的時候，一般是工作在飽和區(qū)的，就是下圖中的紅色區(qū)域。為什么？很容易理解，在這個區(qū)域Vce隨著Ic的變化非常小，因此損耗也就很小，功率半導(dǎo)體讓人關(guān)注的歸根結(jié)底不就是個損耗...

      2021-03-01 標(biāo)簽：三極管IGBT 64717

      一文解讀IGBT驅(qū)動設(shè)計中的熱設(shè)計方案

      一文解讀IGBT驅(qū)動設(shè)計中的熱設(shè)計方案

      IGBT應(yīng)用中，驅(qū)動設(shè)計主要影響IGBT開關(guān)的表現(xiàn)和短路保護(hù)的安全性，結(jié)構(gòu)設(shè)計影響了雜散電感和均流性，而熱設(shè)計對整個系統(tǒng)是決定性的，它決定了變流器能否達(dá)到要求的輸出功率等性能指標(biāo)，...

      2021-02-27 標(biāo)簽：散熱器IGBT熱設(shè)計 8005

      如何在電動汽車系統(tǒng)中實現(xiàn)SiC FET設(shè)計

      帶雙輸出反激變換器的半橋電路，為隔離的柵極驅(qū)動器供電。在這里，12v軌為隔離柵極驅(qū)動器的主側(cè)和副側(cè)供電。...

      2021-03-04 標(biāo)簽：隔離電源場效應(yīng)晶體管反激變換器柵極驅(qū)動器車載充電器 2935

      基于GaN的PFC整流器及GaN無橋PFC拓?fù)?、控制和性?></a></div> <div id="muikaa0wy" class="a-content"> <h3 class="a-title"><a href="http://m.sdkjxy.cn/dianyuan/1362527.html" title="基于GaN的PFC整流器及GaN無橋PFC拓?fù)洹⒖刂坪托阅? target="_blank"><b>基于GaN的PFC整流器及GaN無橋PFC拓?fù)?、控制和性?/b></a></h3> <p class="a-summary">傳統(tǒng)的升壓PFC僅使用一個有源開關(guān)，通常是650V超結(jié)Si MOSFET。當(dāng)今，大多數(shù)常規(guī)開關(guān)電源都采用升壓PFC，從而充分利用其簡單性、低成本和可靠性。...</p> <p class="one-more clearfix" style="display: flex;"> <a href="" target="_blank" style="line-height:16px;margin-left: 0px;margin-right: 10px;max-width: 120px;display: inline-block;white-space: nowrap;overflow: hidden;text-overflow: ellipsis;vertical-align: middle;"></a> <span id="muikaa0wy" class="time">2021-03-09</span> <!--需要輸出文章的瀏覽量和閱讀量還有相關(guān)標(biāo)簽--> <span id="muikaa0wy" class="tag" style="flex: 1;overflow: hidden;text-overflow: ellipsis;white-space: nowrap;word-break: break-all;">標(biāo)簽：<a target="_blank" href="/tags/PFC/" class="blue">PFC</a><a target="_blank" href="/tags/GaN/" class="blue">GaN</a><a target="_blank" href="/tags/PFC%E6%95%B4%E6%B5%81%E5%99%A8/" class="blue">PFC整流器</a></span> <span id="muikaa0wy" class="mr0 lr"> <span id="muikaa0wy" class="seenum ">5046</span> <span id="muikaa0wy" class="type mr0"></span> </span> </p> </div> </div><div id="muikaa0wy" class="article-list"> <div id="muikaa0wy" class="a-content"> <h3 class="a-title"><a href="http://m.sdkjxy.cn/d/1362474.html" title="基于回路熱管（LHP）技術(shù)繁榮大功率電子被動冷卻方案" target="_blank"><b>基于回路熱管（LHP）技術(shù)繁榮大功率電子被動冷卻方案</b></a></h3> <p class="a-summary">在最新的GaN和SiC組件的推動下，功率電子模塊的尺寸在不斷縮小，與此同時，散熱也在不斷增加。因此，在許多應(yīng)用中，工程師正在將主動（抽水）水冷卻作為看似顯而易見的解決方案。利用回...</p> <p class="one-more clearfix" style="display: flex;"> <a href="" target="_blank" style="line-height:16px;margin-left: 0px;margin-right: 10px;max-width: 120px;display: inline-block;white-space: nowrap;overflow: hidden;text-overflow: ellipsis;vertical-align: middle;"></a> <span id="muikaa0wy" class="time">2021-03-09</span> <!--需要輸出文章的瀏覽量和閱讀量還有相關(guān)標(biāo)簽--> <span id="muikaa0wy" class="tag" style="flex: 1;overflow: hidden;text-overflow: ellipsis;white-space: nowrap;word-break: break-all;">標(biāo)簽：<a target="_blank" href="/tags/%E8%92%B8%E5%8F%91%E5%99%A8/" class="blue">蒸發(fā)器</a><a target="_blank" href="/tags/%E7%83%AD%E7%AE%A1/" class="blue">熱管</a><a target="_blank" href="/tags/%E7%89%B5%E5%BC%95%E5%8F%98%E6%B5%81%E5%99%A8/" class="blue">牽引變流器</a><a target="_blank" href="/tags/%E8%92%B8%E5%8F%91%E5%99%A8/" class="blue">蒸發(fā)器</a></span> <span id="muikaa0wy" class="mr0 lr"> <span id="muikaa0wy" class="seenum ">6269</span> <span id="muikaa0wy" class="type mr0"></span> </span> </p> </div> </div><div id="muikaa0wy" class="article-list"> <div id="muikaa0wy" class="a-content"> <h3 class="a-title"><a href="http://m.sdkjxy.cn/d/1362440.html" title="Nexperia均流技術(shù)的并行MOSFET設(shè)計應(yīng)用" target="_blank"><b>Nexperia均流技術(shù)的并行MOSFET設(shè)計應(yīng)用</b></a></h3> <p class="a-summary">多年來，功率MOSFET一直是高功率應(yīng)用的支柱，能夠可靠地提供大電流。然而，隨著功率應(yīng)用技術(shù)的進(jìn)步，需要極高水平的電流。這些應(yīng)用已達(dá)到功率水平要求，而一個MOSFET的實現(xiàn)已不再足夠，這...</p> <p class="one-more clearfix" style="display: flex;"> <a href="" target="_blank" style="line-height:16px;margin-left: 0px;margin-right: 10px;max-width: 120px;display: inline-block;white-space: nowrap;overflow: hidden;text-overflow: ellipsis;vertical-align: middle;"></a> <span id="muikaa0wy" class="time">2021-03-12</span> <!--需要輸出文章的瀏覽量和閱讀量還有相關(guān)標(biāo)簽--> <span id="muikaa0wy" class="tag" style="flex: 1;overflow: hidden;text-overflow: ellipsis;white-space: nowrap;word-break: break-all;">標(biāo)簽：<a target="_blank" href="/tags/MOSFET/" class="blue">MOSFET</a><a target="_blank" href="/tags/Nexperia/" class="blue">Nexperia</a></span> <span id="muikaa0wy" class="mr0 lr"> <span id="muikaa0wy" class="seenum ">6015</span> <span id="muikaa0wy" class="type mr0"></span> </span> </p> </div> </div><div id="muikaa0wy" class="article-list"> <div id="muikaa0wy" class="a-content"> <h3 class="a-title"><a href="http://m.sdkjxy.cn/d/1362427.html" title="為什么需要注意SiC MOSFET柵極？" target="_blank"><b>為什么需要注意SiC MOSFET柵極？</b></a></h3> <p class="a-summary">作者：Martin Warnke和Yazdi Mehrdad Baghaie 各種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中SiC MOSFET的出現(xiàn)大大提高了性能和效率。但是，如果使用不當(dāng)，工程師會很快發(fā)現(xiàn)自己對設(shè)備故障感到沮喪。與客戶的看法形成鮮明對比的是，...</p> <p class="one-more clearfix" style="display: flex;"> <a href="" target="_blank" style="line-height:16px;margin-left: 0px;margin-right: 10px;max-width: 120px;display: inline-block;white-space: nowrap;overflow: hidden;text-overflow: ellipsis;vertical-align: middle;"></a> <span id="muikaa0wy" class="time">2021-03-11</span> <!--需要輸出文章的瀏覽量和閱讀量還有相關(guān)標(biāo)簽--> <span id="muikaa0wy" class="tag" style="flex: 1;overflow: hidden;text-overflow: ellipsis;white-space: nowrap;word-break: break-all;">標(biāo)簽：<a target="_blank" href="/tags/MOSFET/" class="blue">MOSFET</a><a target="_blank" href="/tags/SiC%20MOSFET/" class="blue">SiC MOSFET</a></span> <span id="muikaa0wy" class="mr0 lr"> <span id="muikaa0wy" class="seenum ">3375</span> <span id="muikaa0wy" class="type mr0"></span> </span> </p> </div> </div><div id="muikaa0wy" class="article-list"> <div id="muikaa0wy" class="a-thumb"><a href="http://m.sdkjxy.cn/d/1362224.html" target="_blank"><img src=

      盤點MOSFET技術(shù) MOS在電路中的常見應(yīng)用

      絕緣柵場效應(yīng)管中文全稱是金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，由于這種場效應(yīng)管的柵極被絕緣層隔離，所以又叫絕緣柵場效應(yīng)管，英文簡稱是MOSFET，一般也簡稱為MOS管。...

      2021-03-18 標(biāo)簽：三極管MOSFET半導(dǎo)體三極管MOSFET三極管半導(dǎo)體三極管場效應(yīng)三極管 10484

      為什么選擇氮化鎵？淺談氮化鎵在數(shù)據(jù)中心的應(yīng)用

      對于服務(wù)器，這通常是空調(diào)房間中的AC到12 V DC，而對于傳統(tǒng)的低功能（例如，僅語音）電信系統(tǒng)，這是遠(yuǎn)程潮濕的“蜂窩塔”，需要AC進(jìn)行“防腐蝕” ，負(fù)參考48 V DC用于備用電池。...

      2021-03-21 標(biāo)簽：電源轉(zhuǎn)換器氮化鎵 6753

      探討1,200-V 300-A SiC MOSFET對開關(guān)頻率的影響

      探討1,200-V 300-A SiC MOSFET對開關(guān)頻率的影響

      由于快速的開關(guān)，傳導(dǎo)損耗和擊穿電壓的增加，在現(xiàn)代工業(yè)應(yīng)用中增加了SiC MOSFET的使用。通過最快速的開關(guān)速度和更高的頻率賦能，該框架減小了尺寸并提高了系統(tǒng)效率。大功率SIC MOSFET模塊是...

      2021-03-19 標(biāo)簽：MOSFET開關(guān)頻率SiC MOSFET 8657

      GaN-HEMT器件的動態(tài)R DSon值測量實驗分析

      GaN-HEMT器件的動態(tài)R DSon值測量實驗分析

      GaN（氮化鎵）器件由于具有諸如高開關(guān)速度，更高的功率密度和效率之類的能力而在設(shè)計電源轉(zhuǎn)換器時變得越來越流行[2]，[3]，但是GaN器件的一個缺點是電流損耗會導(dǎo)致電流崩潰。器件關(guān)閉和熱...

      2021-03-22 標(biāo)簽：功率轉(zhuǎn)換器測量電路GaN半導(dǎo)體器件 13010

      意法半導(dǎo)體推出工作電源電壓高達(dá)1200V的隔離式柵極驅(qū)動器STGAP2SiCS

      2021年3月22日，STGAP2SiCS是意法半導(dǎo)體STGAP系列隔離式柵極驅(qū)動器的最新產(chǎn)品，可安全地控制碳化硅（SiC） MOSFET，工作電源電壓高達(dá)1200V。 STGAP2SiCS能夠產(chǎn)生高達(dá)26V的柵極驅(qū)動電壓，將欠壓鎖定（...

      2021-03-22 標(biāo)簽：MOSFET意法半導(dǎo)體柵極驅(qū)動器 4421

      如何在不使用變壓器的情況下設(shè)計大功率系統(tǒng)

      200 mA R5保險絲可保護(hù)齊納二極管免受過量電流的影響。萬一加載失敗，可能會發(fā)生這種情況。該電路假定恒定存在10Ω負(fù)載。...

      2021-03-26 標(biāo)簽：變壓器電容器二極管 5316

      SiC肖特基二極管器件設(shè)計方案解析

      碳化硅（SiC）由于其固有的寬帶隙和高導(dǎo)熱性的材料特性而被廣泛用于中高壓電力半導(dǎo)體器件的制造中。如今，肖特基二極管，MOSFET和JFET是市場上最受歡迎的SiC功率器件。尤其是SiC肖特基二極...

      2021-03-27 標(biāo)簽：MOSFET肖特基二極管SiC 6694

      為什么GaN FET是LLC轉(zhuǎn)換器設(shè)計的最佳選擇

      氮化鎵（GaN）器件以最小的尺寸提供了最佳的性能，提高了效率，并降低了48 V電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用的系統(tǒng)成本。迅速增長的采納的eGaN的?在大批量這些應(yīng)用FET和集成電路已經(jīng)在高密度計算，以及許多...

      2021-03-31 標(biāo)簽：發(fā)動機(jī)混合動力車LLC轉(zhuǎn)換器GaN器件 3913

      功率GaN晶體管中的散熱設(shè)計指南

      功率GaN晶體管中的散熱設(shè)計指南

      GaN晶體管越來越多地用于各個領(lǐng)域：汽車領(lǐng)域中的電源供應(yīng)以及電流的轉(zhuǎn)換和使用。這些組件將很快取代它們各自的前身。讓我們看一下如何更好地管理包括臨界條件在內(nèi)的不同工作條件，以優(yōu)...

      2021-04-01 標(biāo)簽：電源電路散熱器SPICE熱管理GaN晶體管 5804

      飛兆半導(dǎo)體的超結(jié)MOSFET和IGBT SPICE模型解讀

      飛兆半導(dǎo)體的超結(jié)MOSFET和IGBT SPICE模型解讀

      如果有足夠的時間，大多數(shù)工程師都有正確的意圖。作為工程師，您想多久了解一次電路應(yīng)用中每個部分的行為？是的-檢查。半導(dǎo)體公司的模型通常能真正代表電路應(yīng)用條件下的器件嗎？嗯....

      2021-04-02 標(biāo)簽：MOSFETIGBTPSPICE 5993

      關(guān)于SiC MOSFET的新的電路設(shè)計挑戰(zhàn)

      關(guān)于SiC MOSFET的新的電路設(shè)計挑戰(zhàn)

      碳化硅（SiC）MOSFET提供了巨大的新特性和功能，但同時也帶來了新的挑戰(zhàn)。ROHM半導(dǎo)體器件使工程師能夠充分利用SiC MOSFET，同時克服了驅(qū)動它們的挑戰(zhàn)。 擴(kuò)展MOSFET功能 晶體管作為數(shù)字電子的基...

      2021-04-02 標(biāo)簽：MOSFET半導(dǎo)體器件柵極驅(qū)動器SiC MOSFET 4659

      GaN轉(zhuǎn)變充電器設(shè)計方案詳解

      GaN轉(zhuǎn)變充電器設(shè)計方案詳解

      氮化鎵（GaN）開關(guān)技術(shù)使充電器和適配器的小型化取得了進(jìn)步。與使用等效硅器件的電路相比，它允許開發(fā)可在高開關(guān)頻率下工作的轉(zhuǎn)換器。GaN減小了變壓器的尺寸，提供了可顯著提高系統(tǒng)效率...

      2021-04-07 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器電源開關(guān)AC-DCGaN導(dǎo)通損耗 4595

      探討MOSFET對DC/DC穩(wěn)壓器電路適用的EMI的抑制技術(shù)

      探討MOSFET對DC/DC穩(wěn)壓器電路適用的EMI的抑制技術(shù)

      本系列文章的第 1 部分至第 5 部分中，介紹了抑制傳導(dǎo)和輻射電磁干擾 （EMI） 的實用指南和示例，尤其是針對采用單片集成功率 MOSFET 的 DC/DC 轉(zhuǎn)換器解決方案進(jìn)行了詳細(xì)介紹。在此基礎(chǔ)上，本...

      2021-04-09 標(biāo)簽：pcbMOSFETemi陶瓷電容DCDC穩(wěn)壓器emiMOSFETpcbPCB陶瓷電容 7342

      基于無芯變壓器技術(shù)的柵極驅(qū)動器

      基于無芯變壓器技術(shù)的柵極驅(qū)動器

      功率器件在工業(yè)和汽車系統(tǒng)的設(shè)計中起著決定性的作用。為了滿足這些應(yīng)用的特定要求并縮短上市時間，ROHM使用專有的微制造工藝來開發(fā)無核片上變壓器，以實現(xiàn)穩(wěn)健的隔離，這對SiC技術(shù)尤其...

      2021-04-12 標(biāo)簽：變壓器MOSFET碳化硅太陽能逆變器門極驅(qū)動器 2998

      基于硅元素加速質(zhì)子輻照的功率晶閘管和二極管

      基于硅元素加速質(zhì)子輻照的功率晶閘管和二極管

      一個工作周期的持續(xù)時間為4-5小時，其中包括將半導(dǎo)體元件和工藝墨盒的放射性降低到安全水平所需的輻照后存儲時間。...

      2021-04-14 標(biāo)簽：晶閘管PSD電壓抑制器半導(dǎo)體器件 4482

      基于GaN的功率晶體管和集成電路硅分立功率器件

      基于GaN的功率晶體管和集成電路硅分立功率器件

      基于GaN的功率晶體管和集成電路的早期成功最初源于GaN與硅相比的速度優(yōu)勢。GaN-on-Si晶體管的開關(guān)速度比MOSFET快10倍，比IGBT快100倍。...

      2021-04-23 標(biāo)簽：MOSFET晶體管功率器件氮化鎵GaN 4627

      SiC MOSFET的實時結(jié)溫監(jiān)控電路測量方案

      SiC MOSFET的實時結(jié)溫監(jiān)控電路測量方案

      本文介紹了一種新穎的測量電路，以測量用于測量SiC MOSFET的實時或?qū)嶋H結(jié)溫?？梢钥闯?，出于訂購和處理數(shù)據(jù)或電流傳感器的目的，不需要本質(zhì)上復(fù)雜的任何算法。...

      2021-04-23 標(biāo)簽：MOSFET監(jiān)控電路SiC半導(dǎo)體器件碳化硅 6830

      SiC對電力電子的挑戰(zhàn) 碳化硅組件的制造過程

      SiC對電力電子的挑戰(zhàn) 碳化硅組件的制造過程

      由于SiC具有高導(dǎo)熱性，因此它比其他半導(dǎo)體材料更快地散發(fā)熱量。因此，SiC器件可以在極高的功率水平下運行，并且仍然可以散發(fā)器件產(chǎn)生的大量多余熱量。...

      2021-05-13 標(biāo)簽：SiC碳化硅 3140

      如何使用晶體管作為開關(guān)的方案

      如何使用晶體管作為開關(guān)的方案

      使用晶體管來接通和關(guān)斷電源是正確黑客行為的關(guān)鍵特征。雙極晶體管開啟和關(guān)閉事物的能力是鮮為人知的用途之一，而晶體管卻有多種用途。典型示例是使用計算機(jī)的并行端口打開某些外部設(shè)...

      2021-05-15 標(biāo)簽：繼電器晶體管 5352

      基于有限狀態(tài)機(jī)（FSM）的SiC MOSFET開關(guān)瞬態(tài)建模分析模型

      基于有限狀態(tài)機(jī)（FSM）的SiC MOSFET開關(guān)瞬態(tài)建模分析模型

      作者：Maurizio Di Paolo Emilio 在航空，艦船系統(tǒng)和電動汽車領(lǐng)域已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，[1] [2] [3]最好的解決方案之一是碳化硅（SiC）MOSFET，因為它具有高頻HF和高功率。 -其轉(zhuǎn)換器的密度。與基于硅Si的IGBT相比...

      2021-05-18 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器 4435

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