功率器件
電子發(fā)燒友網(wǎng)功率器件欄目提供電源設(shè)計(jì)中所需的功率器件最新應(yīng)用技術(shù)和方法以及電源設(shè)計(jì)相關(guān)內(nèi)容，是電源工程師喜歡的網(wǎng)站。
宜普電源轉(zhuǎn)換推出eGaN?FET 98%效率、250W/48V的DC/DC解決方案
EPC9153是一款250 W超薄電源模塊，采用簡(jiǎn)單且低成本的同步降壓配置，峰值效率高達(dá)98.2％，元件的最大厚度為6.5 毫米。...
2020-10-29 標(biāo)簽：MOSFETEPCDC-DC轉(zhuǎn)換器場(chǎng)效應(yīng)晶體管DC-DC轉(zhuǎn)換器eGaNEPCMOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管 1383
GaN使充電器設(shè)計(jì)發(fā)生革命
氮化鎵（GaN）開(kāi)關(guān)技術(shù)使充電器和適配器的小型化取得了重大進(jìn)展。 GaN晶體管的開(kāi)關(guān)效率很高。 這允許開(kāi)發(fā)轉(zhuǎn)換器，該轉(zhuǎn)換器可以以比使用等效硅器件的電路更高的開(kāi)關(guān)頻率工作，從而有可能...
Nexperia全新定義MOSFET產(chǎn)品 為特定應(yīng)用提供優(yōu)化的參數(shù)
Nexperia為電池隔離、電機(jī)控制、熱插拔和以太網(wǎng)供電（PoE）應(yīng)用提供ASFET系列。...
揚(yáng)杰科技||P-100V SGT MOSFET新品發(fā)布
特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì) 1、國(guó)內(nèi)第一顆采用SGT技術(shù)的P-100V的MOSFET產(chǎn)品； 2、P Channel產(chǎn)品在負(fù)載開(kāi)關(guān)應(yīng)用中，電路更簡(jiǎn)潔，高效；...
2020-10-21 標(biāo)簽：MOSFET負(fù)載開(kāi)關(guān)電機(jī)驅(qū)動(dòng)DCDC揚(yáng)杰科技 3312
東芝推出適用于高效率電源的新款1200V碳化硅MOSFET
該功率MOSFET采用碳化硅（SiC）這種新材料，與常規(guī)的硅（Si）MOSFET、IGBT產(chǎn)品相比，具有高耐壓、高速開(kāi)關(guān)和低導(dǎo)通電阻特性，有利于降低功耗，精簡(jiǎn)系統(tǒng)。...
貿(mào)澤開(kāi)售Microchip AgileSwitch相臂功率模塊 兼具SiC MOSFET與二極管之長(zhǎng)
貿(mào)澤電子 （Mouser Electronics） 即日起開(kāi)始備貨Microchip Technology的全新AgileSwitch?相臂SiC MOSFET模塊。...
2020-10-15 標(biāo)簽：二極管microchip貿(mào)澤電子SiC MOSFET 1222
MOS在模擬電路上的應(yīng)用 MOSFET組成的H橋驅(qū)動(dòng)電路
最開(kāi)始學(xué)習(xí)三極管的時(shí)候，很注重它的工作原理，后來(lái)到了實(shí)際應(yīng)用，就直接把三極管或MOSFET直接當(dāng)作一個(gè)開(kāi)關(guān)器件使用。直到前這幾天，接觸到MOSFET組成的H橋驅(qū)動(dòng)電路時(shí)，發(fā)現(xiàn)把它純當(dāng)作一...
2020-10-15 標(biāo)簽：三極管MOSFET步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路H橋驅(qū)動(dòng) 9878
專(zhuān)為強(qiáng)化諧振拓?fù)溥\(yùn)作性能打造，英飛凌推出全新 650 V CoolMOS? CFD7
新款 650 V器件擴(kuò)展了聲譽(yù)卓越的 CoolMOS CFD7 系列的電壓范圍，且為 CoolMOS CFD2 的后繼產(chǎn)品。...
Vishay推出NTC熱敏電阻，采用加長(zhǎng)PEEK絕緣鎳鐵引線實(shí)現(xiàn)快速、高精度測(cè)量
器件符合AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn)，適用于汽車(chē)和工業(yè)應(yīng)用，精度達(dá)到± 0.5 °C，空氣中響應(yīng)時(shí)間小于3秒...
三安集成：碳化硅功率器件量產(chǎn)制造平臺(tái)，助力新能源汽車(chē)產(chǎn)業(yè)可持續(xù)發(fā)展
三安集成副總經(jīng)理?xiàng)罱?、金龍新能源總?jīng)理陳曉冰博士分別代表雙方簽訂戰(zhàn)略合作框架協(xié)議。...
2020-09-29 標(biāo)簽：新能源汽車(chē)功率器件碳化硅三安集成 1344
關(guān)于交流接觸器的基本知識(shí)
使用說(shuō)明書(shū)。七八年前左右，某些接觸器包裝盒里面會(huì)附帶一張?jiān)敿?xì)的紙質(zhì)說(shuō)明書(shū)，有型號(hào)，功能，使用注意事項(xiàng)等。后來(lái)漸漸的，說(shuō)明書(shū)不見(jiàn)了，改為印刷在包裝盒的里面。有機(jī)會(huì)可以搜集下...
2020-10-01 標(biāo)簽：繼電器接觸器電磁感應(yīng) 2908
SiC MOSFET的EMI和開(kāi)關(guān)損耗解決方案解析
碳化硅（SiC）MOSFET的快速開(kāi)關(guān)速度，高額定電壓和低RDSon使其對(duì)于不斷尋求在提高效率和功率密度的同時(shí)保持系統(tǒng)簡(jiǎn)單性的電源設(shè)計(jì)人員具有很高的吸引力。...
SiCMOSFET如何實(shí)現(xiàn)降低功率轉(zhuǎn)換過(guò)程中能量損耗
人們普遍認(rèn)為，SiCMOSFET可以實(shí)現(xiàn)非?？斓拈_(kāi)關(guān)速度，有助于顯著降低電力電子領(lǐng)域功率轉(zhuǎn)換過(guò)程中的能量損耗。然而，由于傳統(tǒng)功率半導(dǎo)體封裝的限制，在實(shí)際應(yīng)用中并不總是能發(fā)揮SiC元器件的...
2021-01-27 標(biāo)簽：SiC功率半導(dǎo)體功率晶體管柵極驅(qū)動(dòng)電路功率元器件 4143
GaN將徹底改變數(shù)據(jù)中心電源 數(shù)據(jù)中心市場(chǎng)是下一個(gè)角逐點(diǎn)
高可靠性，高性能氮化鎵功率轉(zhuǎn)換產(chǎn)品供應(yīng)商Transphorm與貝爾集團(tuán)（Bel Group）聯(lián)合宣布Bel的鈦效率電源中使用了六個(gè)Transphorm的高壓GaN FET，這表明，氮化鎵在數(shù)據(jù)中心服務(wù)器，路由器和網(wǎng)絡(luò)交換機(jī)...
2021-01-22 標(biāo)簽：功率轉(zhuǎn)換器氮化鎵GaN 2423
RF微波功率放大器有哪些半導(dǎo)體材料
雙極結(jié)型晶體管 BJT是三極管，一種具有三個(gè)端子的電子設(shè)備，由具有三種不同摻雜程度的半導(dǎo)體制成。...
2021-01-21 標(biāo)簽：功率放大器emc場(chǎng)效應(yīng)晶體管 4313
基于增強(qiáng)型氮化鎵（eGaN?技術(shù)）的電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)
基于增強(qiáng)型氮化鎵（eGaN?技術(shù)）的電源轉(zhuǎn)換器的優(yōu)點(diǎn)，其現(xiàn)有數(shù)據(jù)中心和集中于低至1VDC負(fù)載電壓的48 VDC輸入電壓所用的電信架構(gòu)解決方案。...
2021-01-20 標(biāo)簽：服務(wù)器電源轉(zhuǎn)換器氮化鎵數(shù)字芯片 3163
村田福井廠因大雪而停工 MLCC產(chǎn)能比重高達(dá)25％
本周被動(dòng)元件產(chǎn)業(yè)天災(zāi)人禍連環(huán)爆，日本經(jīng)濟(jì)新聞報(bào)導(dǎo)，村田福井廠因連日大雪而停工，雖然業(yè)界預(yù)期，村田應(yīng)有庫(kù)存因應(yīng)，然而該廠以MLCC、EMI產(chǎn)品為主力業(yè)務(wù)，MLCC產(chǎn)能比重達(dá)25％，是村田在...
2021-01-15 標(biāo)簽：MLCC被動(dòng)元件 2806
Teledyne e2v HiRel新增兩款大功率GaN HEMT
Teledyne e2v HiRel為其基于GaN Systems技術(shù)的650伏行業(yè)領(lǐng)先高功率產(chǎn)品系列新增兩款耐用型GaN功率HEMT（高電子遷移率晶體管）。 這兩款全新大功率HEMT——TDG650E30B和TDG650E15B——分別提供30A和15A的較低...
2021-01-09 標(biāo)簽：GaN碳化硅功率晶體管Teledynee2v 3639
碳化硅JFET助推功率轉(zhuǎn)換電路的設(shè)計(jì)方案
對(duì)于可再生能源設(shè)備，如太陽(yáng)能逆變器和儲(chǔ)能設(shè)備，我們的碳化硅器件具有極低的RDS（on）特性，可將散熱量保持在最低水平。...
2021-01-08 標(biāo)簽：MOSFET導(dǎo)通電阻晶體管柵極驅(qū)動(dòng)器碳化硅 4471
晶圓代工產(chǎn)能吃緊 MOSFET產(chǎn)業(yè)或?qū)⒂瓉?lái)漲價(jià)潮
晶圓代工產(chǎn)能吃緊，MOSFET供給也連帶緊縮，加上晶圓代工及封測(cè)報(bào)價(jià)全面上漲，全宇昕（6651）將在第二季起對(duì)客戶(hù)溝通議價(jià)，漲幅約落在5～15％左右，藉以轉(zhuǎn)嫁成本提升。業(yè)界也同步傳出，其...
2021年功率半導(dǎo)體可望迎來(lái)高景氣周期
據(jù)報(bào)導(dǎo)，日前，比亞迪股份公告表示，公司董事會(huì)審議通過(guò)《關(guān)于擬籌劃控股子公司分拆上市議案》，同意公司控股子公司比亞迪半導(dǎo)體籌劃擬分拆及于中國(guó)境內(nèi)一家證券交易所獨(dú)立上市事項(xiàng)，...
2021-01-06 標(biāo)簽：IGBT新能源車(chē)場(chǎng)效晶體管 2025
電源拓?fù)渲惺Ｓ嗄芎腖LC輸出的同步整流方案
流階段的損耗一般會(huì)占能耗預(yù)算成本的大部分。 為了進(jìn)一步提高效率，需要使用同步整流。...
德州儀器高度集成GaN解決方案可優(yōu)化成本和功耗
當(dāng)我們?yōu)殡妱?dòng)汽車(chē)（EV）電源管理技術(shù)發(fā)明更高效的集成電路，我們的客戶(hù)就可以設(shè)計(jì)出更高效、更經(jīng)濟(jì)實(shí)用的汽車(chē)，進(jìn)而減少?gòu)U氣排放，保護(hù)環(huán)境。 許多駕駛員因里程焦慮、擔(dān)心找不到可以長(zhǎng)...
2021-01-05 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車(chē)控制器氮化鎵GaN柵極驅(qū)動(dòng)器 1721
近期MLCC需求強(qiáng)勁 MLCC預(yù)計(jì)在明年第2季漲價(jià)
據(jù)臺(tái)媒經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)報(bào)道，全球積層陶瓷電容（MLCC）龍頭日商村田與另一日本大廠太陽(yáng)誘電近期二度通知客戶(hù)再拉長(zhǎng)交貨期14至28天，最長(zhǎng)要等半年才能交貨，凸顯供給嚴(yán)重吃緊。不僅兩大日系指標(biāo)...
GaN FET在汽車(chē)電子高頻變壓器設(shè)計(jì)實(shí)例
當(dāng)前的消費(fèi)者對(duì)于續(xù)航里程、充電時(shí)間和性?xún)r(jià)比等問(wèn)題越來(lái)越關(guān)注，為了加快電動(dòng)汽車(chē)（EV）的采用，全球的汽車(chē)制造商都迫切需要增加電池容量、縮短充電時(shí)間，同時(shí)確保汽車(chē)尺寸、重量和器...
2020-12-21 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車(chē)二極管逆變器車(chē)載充電器GaN FET 3281
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