電子發(fā)燒友網(wǎng)>模擬技術(shù)>IGBT/功率器件>
IGBT/功率器件
電子發(fā)燒友網(wǎng)IGBT/功率器件欄目提供igbt器件，功率器件，功率半導(dǎo)體器件，功率開(kāi)關(guān)器件，igbt功率模塊，igbt功率管，大功率igbt驅(qū)動(dòng)，大功率igbt等IGBT/功率器件設(shè)計(jì)所需的所有最新行業(yè)新聞、產(chǎn)品信息及技術(shù)熱點(diǎn)方案及介紹。
為什么要用碳化硅？碳化硅晶體長(zhǎng)不“高”到底難在哪兒？
硅是半導(dǎo)體行業(yè)的第一代基礎(chǔ)材料，目前全球95%以上的集成電路都是以硅為襯底制造的。不過(guò)，由于轉(zhuǎn)換效率、開(kāi)關(guān)頻率、工作溫度等多方面受限，當(dāng)電壓大于900V時(shí)，要實(shí)現(xiàn)更大的功率，硅基...
2023-08-01 標(biāo)簽：MOSFETIGBT功率半導(dǎo)體碳化硅半導(dǎo)體芯片 2249
800V電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)解讀
由于電池仍然是電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的最主要成本構(gòu)成，因此以最高效的方式使用電池提供的能量是很重要的，從電能到機(jī)械能的轉(zhuǎn)換效率即電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)效率就顯得及其重要。...
2023-08-01 標(biāo)簽：電動(dòng)機(jī)逆變器驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)SiC純電動(dòng)汽車 1714
常見(jiàn)的plc本體故障有哪些
電源故障也會(huì)占本體故障的一定比率，PLC輸入一般是220交流，也有一些事24伏或者12伏輸入的，但是里邊有芯片，需要5VDC或者3.3VDC，所以有開(kāi)關(guān)電源降壓電路，這種電路因?yàn)殡娏鞔螅瑴囟雀摺?..
國(guó)產(chǎn)汽車級(jí)55V耐壓H橋智能柵極驅(qū)動(dòng)器介紹
該驅(qū)動(dòng)器配合外部四個(gè)MOSFET，可靈活配置成H橋、半橋和高低邊，驅(qū)動(dòng)雙向直流有刷電機(jī)、螺線管、電磁閥等負(fù)載，功率可從數(shù)W擴(kuò)展到數(shù)百W。???????...
2023-08-01 標(biāo)簽：MOSFET驅(qū)動(dòng)器元器件控制器 2173
儲(chǔ)能市場(chǎng)的光，國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體公司能借到嗎？
儲(chǔ)能市場(chǎng)被視作下一個(gè)萬(wàn)億投資機(jī)遇的風(fēng)口。...
2023-07-31 標(biāo)簽：PCB板逆變器IGBT電池管理系統(tǒng)功率半導(dǎo)體 1654
氮化鎵電源發(fā)熱嚴(yán)重嗎 氮化鎵電源優(yōu)缺點(diǎn)
相對(duì)于傳統(tǒng)的硅材料，氮化鎵電源在高功率工作時(shí)產(chǎn)生的熱量較少，因?yàn)榈壘哂休^低的電阻和較高的熱導(dǎo)率。這意味著在相同功率輸出下，氮化鎵電源相對(duì)于傳統(tǒng)的硅電源會(huì)產(chǎn)生較少的熱...
電源緩啟動(dòng)電路作用 MOS管為什么需要電源緩啟動(dòng)
R2/R1和C1：實(shí)現(xiàn)防抖動(dòng)延時(shí)功能，R1給C1提供快速放電通道；R1/R2分壓值大于D3的穩(wěn)壓值；R2選20K歐姆，R1選10K，C1選4.7uF左右（具體根據(jù)濾波時(shí)長(zhǎng)要求）。...
2023-07-31 標(biāo)簽：開(kāi)關(guān)電源穩(wěn)壓二極管MOS管MOS管開(kāi)關(guān)電源穩(wěn)壓二極管防抖動(dòng)電路 6427
功率半導(dǎo)體專業(yè)術(shù)語(yǔ)有哪些
集成電路=IC：一種微型電子器件或部件。具體指采用半導(dǎo)體制備工藝，把一個(gè)電路中所需的晶體管、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起，制作在一小塊或幾小塊半導(dǎo) 體晶片或介質(zhì)基片上...
2023-07-31 標(biāo)簽：集成電路三極管MOSFET功率半導(dǎo)體 2429
浪涌與雪崩高魯棒性氧化鎵功率二極管
反向雪崩擊穿和正向浪涌魯棒性是半導(dǎo)體功率器件在高電場(chǎng)和大電流密度等極端條件下非平衡載流子動(dòng)力學(xué)的基本特征，也是所有元器件在電動(dòng)汽車、軌道交通、電網(wǎng)和新能源等實(shí)際應(yīng)用場(chǎng)景中...
2023-07-30 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車功率二極管半導(dǎo)體浪涌電流氧化鎵 2005
碳化硅MOSFET芯片取得新突破！
“經(jīng)電學(xué)特性測(cè)試后，相應(yīng)數(shù)據(jù)與國(guó)際SiC龍頭企業(yè)美國(guó)科銳公司同類芯片產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻相當(dāng)?！蓖蹩〗榻B，由于引入了場(chǎng)板分離型的分裂柵結(jié)構(gòu)，芯片具有更低的反向傳輸電容，高頻優(yōu)值接近...
IGBT功率模塊的熱阻網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)和散熱系統(tǒng)設(shè)計(jì)研究
隨著絕緣柵雙極晶體管（IGBT ）向高功率和高集成度方向發(fā)展，在結(jié)構(gòu)和性能上有很大的改進(jìn)，熱產(chǎn)生問(wèn)題日益突出，對(duì)散熱的要求越來(lái)越高，IGBT 芯片是產(chǎn)生熱量的核心功能器件，但熱量的積...
2023-07-27 標(biāo)簽：PCM散熱器IGBT功率半導(dǎo)體功率變換器 3582
igbt的工作原理及應(yīng)用（IGBT結(jié)構(gòu)、原理、電氣特性）
IGBT由BJT (雙極性三極管)和MOSFET (絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)復(fù)合而成 BJT ( Bipolar Junction Transistor ) :雙極性晶體管(晶體三極管)，“雙極性"是指工作時(shí)有兩種帶有不同極性電荷的載流子參與導(dǎo)電。...
2023-07-27 標(biāo)簽：三極管場(chǎng)效應(yīng)管IGBT晶體三極管 1555
功率半導(dǎo)體的知識(shí)總結(jié)（MOSFET/IGBT/功率電子器件/半導(dǎo)體分立器件）
功率半導(dǎo)體包括功率半導(dǎo)體分立器件（含模塊）以及功率 IC 等。其中，功率半導(dǎo)體分立器件，按照器件結(jié)構(gòu)劃分，可分為二極管、晶閘管和晶體管等。...
2023-07-26 標(biāo)簽：電力電子器件功率轉(zhuǎn)換功率開(kāi)關(guān)功率半導(dǎo)體半導(dǎo)體分立器件 9796
三極管和MOS管下拉電阻的作用分析
三極管屬于電流型驅(qū)動(dòng)元器件，因此一般在基極都會(huì)串一個(gè)限流電阻，一般小于等于10K，但是在基極為什么會(huì)下拉一個(gè)電阻呢？舉例說(shuō)明。如下圖，是溫度開(kāi)關(guān)控制馬達(dá)電路圖。...
2023-07-25 標(biāo)簽：三極管下拉電阻MOS管溫度開(kāi)關(guān) 1088
濾波電容的作用和選擇原則
諧波濾波器回路由電容器串聯(lián)電抗器組成，在某一諧波階次形成最低阻抗，用以吸收大量諧波電流，電容器的質(zhì)量會(huì)影響諧波濾波器的穩(wěn)定吸收效果，電容器的使用壽命跟溫度有很大的關(guān)系，溫...
表面終端金剛石場(chǎng)效應(yīng)晶體管的研究
金剛石不僅具有包括最高的硬度、極高的熱導(dǎo)率、達(dá)5.5eV的寬帶隙、極高的擊穿電場(chǎng)和高固有載流子遷移率等多種卓越性質(zhì)...
2023-07-25 標(biāo)簽：傳感器MOSFETFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管GaN技術(shù) 1717
羅姆推出650VGaN HEMT和柵極驅(qū)動(dòng)器
通常GaN Hemt驅(qū)動(dòng)存在2個(gè)難題：驅(qū)動(dòng)電壓低，容易誤啟動(dòng)；柵極耐電壓低，柵極容易損耗，因此需要專門的驅(qū)動(dòng)器，不僅增加了設(shè)計(jì)復(fù)雜度，也額外增加了系統(tǒng)成本。...
2023-07-23 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器GaN外圍電路柵極驅(qū)動(dòng)器 1079
一文詳解MOS管驅(qū)動(dòng)電路拓?fù)涞脑O(shè)計(jì)
功率MOSFET是電壓型驅(qū)動(dòng)器件，輸入阻抗高，因而開(kāi)關(guān)速度可以很高。...
2023-07-22 標(biāo)簽：MOSFET電路設(shè)計(jì)MOS管驅(qū)動(dòng)電路寄生電容 5421
電容的極性如何識(shí)別 電容的讀法與極性有關(guān)嗎
電容的單位是法拉，簡(jiǎn)稱法，符號(hào)是F，常用的電容單位有毫法（mF）、微法（μF）、納法（nF）和皮法（pF）等，單位為千進(jìn)行換算，如1uF=1000nF；1nF=1000pF。...
搞懂MOS管的米勒效應(yīng)
通過(guò)了解MOS管的的開(kāi)關(guān)過(guò)程，以及MOS米勒電容的影響，來(lái)改進(jìn)MOS管設(shè)計(jì)。...
編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語(yǔ)言教程專題
| 電機(jī)控制 | DSP | 氮化鎵 | 功率放大器 | ChatGPT | 自動(dòng)駕駛 | TI | 瑞薩電子 |
| BLDC | PLC | 碳化硅 | 二極管 | OpenAI | 元宇宙 | 安森美 | ADI |
| 無(wú)刷電機(jī) | FOC | IGBT | 逆變器 | 文心一言 | 5G | 英飛凌 | 羅姆 |
| 直流電機(jī) | PID | MOSFET | 傳感器 | 人工智能 | 物聯(lián)網(wǎng) | NXP | 賽靈思 |
| 步進(jìn)電機(jī) | SPWM | 充電樁 | IPM | 機(jī)器視覺(jué) | 無(wú)人機(jī) | 三菱電機(jī) | ST |
| 伺服電機(jī) | SVPWM | 光伏發(fā)電 | UPS | AR | 智能電網(wǎng) | 國(guó)民技術(shù) | Microchip |
| Arduino | BeagleBone | 樹(shù)莓派 | STM32 | MSP430 | EFM32 | ARM mbed | EDA |
| 示波器 | LPC | imx8 | PSoC | Altium Designer | Allegro | Mentor | Pads |
| OrCAD | Cadence | AutoCAD | 華秋DFM | Keil | MATLAB | MPLAB | Quartus |
| C++ | Java | Python | JavaScript | node.js | RISC-V | verilog | Tensorflow |
| Android | iOS | linux | RTOS | FreeRTOS | LiteOS | RT-THread | uCOS |
| DuerOS | Brillo | Windows11 | HarmonyOS |
