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電子發(fā)燒友網(wǎng)>模擬技術(shù)>IGBT/功率器件>

IGBT/功率器件

電子發(fā)燒友網(wǎng)IGBT/功率器件欄目提供igbt器件,功率器件,功率半導(dǎo)體器件,功率開關(guān)器件,igbt功率模塊,igbt功率管,大功率igbt驅(qū)動(dòng),大功率igbt等IGBT/功率器件設(shè)計(jì)所需的所有最新行業(yè)新聞、產(chǎn)品信息及技術(shù)熱點(diǎn)方案及介紹。
igbt參數(shù)詳解 IGBT功率模塊 IGBT模塊靜態(tài)參數(shù)

igbt參數(shù)詳解 IGBT功率模塊 IGBT模塊靜態(tài)參數(shù)

在可使用的結(jié)溫范圍內(nèi)柵極-發(fā)射極短路狀態(tài)下,允許的斷態(tài)集電極-發(fā)射極最高電壓。...

2023-07-21 標(biāo)簽:二極管連接器IGBTIGBT模塊雜散電感 7064

硬件設(shè)計(jì)常用電路類型分享

硬件設(shè)計(jì)常用電路類型分享

對(duì)于一個(gè)從事電子行業(yè)工作的朋友來講,如何快速的成長、入門是一個(gè)很頭疼的事情,因?yàn)楹芏嗷A(chǔ)的理論,比較乏味,太過專業(yè)的知識(shí),看起來,很是讓人傷透腦筋,今天就給大家分享一些,...

2023-07-21 標(biāo)簽:電路圖電路設(shè)計(jì)數(shù)碼管蜂鳴器硬件設(shè)計(jì) 689

提高開關(guān)電源效率的方法 怎樣提高開關(guān)電源效率

提高開關(guān)電源效率的方法 怎樣提高開關(guān)電源效率

能量轉(zhuǎn)換系統(tǒng)必定存在能耗,雖然實(shí)際應(yīng)用中無法獲得100%的轉(zhuǎn)換效率。但是,一個(gè)高質(zhì)量的電源效率可以達(dá)到非常高的水平,效率接近95%。...

2023-07-20 標(biāo)簽:電源二極管轉(zhuǎn)換器MOSFET開關(guān)電源電源轉(zhuǎn)換器 3162

三星電子進(jìn)軍氮化鎵市場 氮化鎵要“吃進(jìn)”部分碳化硅市場?

根據(jù)韓國媒體 BusinessKorea 報(bào)導(dǎo),三星電子即將進(jìn)軍氮化鎵 (GaN)市場,目的是為了滿足汽車領(lǐng)域?qū)β拾雽?dǎo)體的需求。...

2023-07-19 標(biāo)簽:三星電子功率器件氮化鎵碳化硅 1379

過壓保護(hù)怎么恢復(fù)正常 典型的過壓保護(hù)電壓電路設(shè)計(jì)方案

過壓保護(hù)怎么恢復(fù)正常 典型的過壓保護(hù)電壓電路設(shè)計(jì)方案

當(dāng)輸入電壓小于穩(wěn)壓二極管的穩(wěn)定電壓Uz時(shí),穩(wěn)壓二極管截止,這時(shí)三極管的Vbe=0,所以三極管截止,PMOS柵極和源極的壓差等于負(fù)的電源電壓,只要這個(gè)電壓小于PMOS的開啟電壓,這時(shí)PMOS就是導(dǎo)...

2023-07-18 標(biāo)簽:三極管穩(wěn)壓二極管過壓保護(hù)電源電壓電壓比較器 21843

基于PSOCTM 62處理器的諧波發(fā)生器設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)

基于PSOCTM 62處理器的諧波發(fā)生器設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)

隨著社會(huì)經(jīng)濟(jì)的發(fā)展和人民生活水平的提高,居民生活用電、商業(yè)用電的結(jié)構(gòu)和用電量也發(fā)生了根本性的變化,已經(jīng)從過去單一的照明用電變?yōu)橐噪娮釉O(shè)備和電炊具等家用電器為主的生活、辦公...

2023-07-18 標(biāo)簽:處理器電感器發(fā)生器SPWM控制PWM模塊 719

怎么去設(shè)計(jì)一種具有多模式配置功能的新型智能功率模塊?

怎么去設(shè)計(jì)一種具有多模式配置功能的新型智能功率模塊?

傳統(tǒng)智能功率模塊在實(shí)際應(yīng)用中需要更多的外圍電路設(shè)計(jì),會(huì)增加電路設(shè)計(jì)和脈寬調(diào)制策略的復(fù)雜性,而且需要占用更多的微處理器外設(shè)資源。...

2023-07-18 標(biāo)簽:微處理器功率模塊PWM信號(hào)SVPWM控制光電隔離芯片 793

汽車芯片的智能化和電動(dòng)化趨勢

汽車的智能化和電動(dòng)化趨勢,勢必帶動(dòng)車用半導(dǎo)體的價(jià)值量提升,其中功率半導(dǎo)體和模擬芯片便迎來了發(fā)展良機(jī)。...

2023-07-18 標(biāo)簽:動(dòng)力電池新能源汽車功率半導(dǎo)體模擬芯片ADAS技術(shù) 670

CAN總線通信不加終端電阻會(huì)怎樣?

CAN總線通信不加終端電阻會(huì)怎樣?

根據(jù)ISO11898-2對(duì)終端電阻的取值規(guī)定,必須在總線的首尾兩端各掛一個(gè)120Ω的終端電阻,即總線上加60Ω的終端電阻,而中間節(jié)點(diǎn)則不需要掛終端電阻。...

2023-07-17 標(biāo)簽:CAN總線通信終端電阻 2084

Wolfspeed碳化硅MOSFET滿足高功率應(yīng)用的需要

碳化硅(SiC)技術(shù)帶來了無限的新機(jī)會(huì)。只要存在對(duì)高可靠性功率系統(tǒng)的需求,碳化硅 MOSFET 就能在許多行業(yè)中的許多不同應(yīng)用(包括必須在惡劣環(huán)境中工作的應(yīng)用)中實(shí)現(xiàn)高效率。...

2023-07-17 標(biāo)簽:MOSFET逆變器IGBTUPS電源碳化硅 527

電感升降壓電路基本原理

電感升降壓電路基本原理

MOS管一-讓輸入電源Vin電流有控制的流向輸出Vout; 電容C--儲(chǔ)能作用,保證負(fù)載有連續(xù)的能量供給; 電感L.-一抑制由電容充放電帶來的沖擊電流; 二極管一-開關(guān)閉 合時(shí)為電感電流提供回路。...

2023-07-15 標(biāo)簽:降壓電路電感 1202

柵極鉗位TVS二極管對(duì)IGBT雙脈沖開關(guān)特性的影響

柵極鉗位TVS二極管對(duì)IGBT雙脈沖開關(guān)特性的影響

階段1(0—t1),在t=0時(shí)刻,開關(guān)S動(dòng)作,lGBT開始關(guān)斷,柵極通過RG開始放電,VGE下降。這導(dǎo)致通過溝道注入到基區(qū)的電子數(shù)量變少,但是由于感性負(fù)載的存在,通過抽取N基區(qū)中多余的電子和空穴來...

2023-07-14 標(biāo)簽:二極管電感器TVS二極管IGBT續(xù)流二極管 1166

IGBT雙脈沖仿真—脈沖寬度、負(fù)柵極電壓、發(fā)射極寄生電感的影響

IGBT雙脈沖仿真—脈沖寬度、負(fù)柵極電壓、發(fā)射極寄生電感的影響

階段2(tl—t2):在t1時(shí)刻,VGE>Vth,溝道開啟,電子開始通過溝道注入到基區(qū),同時(shí)背面的集電極開始向基區(qū)內(nèi)注入空穴,集電極開始產(chǎn)生電流IC,此時(shí)IC<IL,隨著溝道開啟程度的增加,IC逐漸...

2023-07-14 標(biāo)簽:TVS二極管IGBT續(xù)流二極管寄生電感VDC 2390

IGBT雙脈沖仿真—柵極電感的影響

IGBT雙脈沖仿真—柵極電感的影響

階段1(0—t1):在此階段,柵極電流開始對(duì)柵電容CGE充電,但是VGE<Vth,溝道未開啟。...

2023-07-14 標(biāo)簽:電感器IGBT續(xù)流二極管VCE柵極電壓 1289

半導(dǎo)體制造商專注擴(kuò)大功率半導(dǎo)體和成熟的工藝產(chǎn)能

晶圓代工龍頭中芯國際在未來5至7年內(nèi)將有約34萬片晶圓產(chǎn)能的12英寸生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目,其中包括深圳、北京、上海等地項(xiàng)目。...

2023-07-14 標(biāo)簽:中芯國際晶圓代工功率半導(dǎo)體半導(dǎo)體制造碳化硅 295

IGBT模塊的常規(guī)檢查以及常見故障問題維修方法

IGBT模塊具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn);當(dāng)前市場上銷售的多為此類模塊化產(chǎn)品,一般所說的IGBT也指IGBT模塊;...

2023-07-14 標(biāo)簽:RCD吸收電路二極管MOSFET變頻器IGBT模塊 6224

BLDC電機(jī)常用IGBT:適用各類家電優(yōu)選IGBT單管

BLDC電機(jī)常用IGBT:適用各類家電優(yōu)選IGBT單管

BLDC電機(jī)不管在工業(yè)用還是家用領(lǐng)域的滲透率都在持續(xù)提升,除傳統(tǒng)的電動(dòng)工具、吸塵器、小家電外,還有汽車、電動(dòng)兩輪車、高速風(fēng)筒等都是不斷在提升的。...

2023-07-13 標(biāo)簽:電機(jī)驅(qū)動(dòng)IGBT驅(qū)動(dòng)電路快恢復(fù)二極管BLDC電機(jī) 805

羅姆宣布收購,再建SiC工廠

2023年7月12日,羅姆宣布將收購原Solar Frontier國富工廠(宮崎縣國富町),以擴(kuò)大SiC(碳化硅)功率半導(dǎo)體的產(chǎn)能。...

2023-07-13 標(biāo)簽:太陽能電池SiC功率半導(dǎo)體碳化硅 1230

IGBT雙脈沖仿真—片內(nèi)寄生電感的影響

IGBT雙脈沖仿真—片內(nèi)寄生電感的影響

階段1(0—t1):在此階段,柵極電流開始對(duì)柵電容CGE充電,但是VGE<Vth,溝道未開啟。...

2023-07-13 標(biāo)簽:仿真器IGBT續(xù)流二極管寄生電感VDD 1149

IGBT短路特性

IGBT短路特性

IGBT是雙極型三極管和MOS管結(jié)合在一起的產(chǎn)物,雙極型三極管具有低頻(10KHz以下)大電流能力,MOSFET具有高頻(100KHz以上)小電流特點(diǎn)。...

2023-07-13 標(biāo)簽:三極管MOSFETMOS管IGBT續(xù)流二極管 758

IGBT穩(wěn)態(tài)輸出特性及其工作原理

IGBT穩(wěn)態(tài)輸出特性及其工作原理

IGBT是雙極型三極管和MOS管結(jié)合在一起的產(chǎn)物,雙極型三極管具有低頻(10KHz以下)大電流能力,MOSFET具有高頻(100KHz以上)小電流特點(diǎn)。...

2023-07-13 標(biāo)簽:三極管IC設(shè)計(jì)MOS管IGBT續(xù)流二極管 2307

IGBT開通特性簡析

IGBT開通特性簡析

采用TCAD器件仿真和工藝仿真軟件對(duì)芯片進(jìn)行結(jié)構(gòu)仿真、特性仿真、電場分布仿真和工藝仿真。...

2023-07-13 標(biāo)簽:振蕩器emiIGBT單晶硅電池TCAD 1737

森國科推出最小封裝碳化硅二極管 具備高浪涌電流和雪崩能力

森國科推出最小封裝碳化硅二極管 具備高浪涌電流和雪崩能力

TO-220-2L封裝散熱效果最佳,但是相對(duì)來說占用空間; TO-252-2L封裝具備優(yōu)秀的散熱能力,體積上也有一定的優(yōu)勢,在應(yīng)用場景上的利用率較高。...

2023-07-13 標(biāo)簽:二極管pcb電解電容碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體 810

鎵、鍺元素為何會(huì)影響整個(gè)半導(dǎo)體領(lǐng)域?

鎵、鍺元素為何會(huì)影響整個(gè)半導(dǎo)體領(lǐng)域?

中國對(duì)鎵、鍺實(shí)施出口管制,短期內(nèi)會(huì)引起全球鎵、鍺的備貨潮,遭到相關(guān)企業(yè)瘋搶,推動(dòng)相關(guān)海外產(chǎn)品價(jià)格大幅上漲,國外企業(yè)AXT股價(jià)已大幅下跌。...

2023-07-13 標(biāo)簽:半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)物聯(lián)網(wǎng)氮化鎵砷化鎵5G 2552

為什么Servo drive使用PWM,它是如何工作的?

為什么Servo drive使用PWM,它是如何工作的?

伺服驅(qū)動(dòng)器的基本功能是將來自控制器的低功率信號(hào)(low-power signals)轉(zhuǎn)換或放大(convert or amplify)為更高功率的信號(hào)(higher-power signals),以傳遞給電機(jī)繞組(motor windings)。...

2023-07-12 標(biāo)簽:電機(jī)控制SVPWM伺服放大器伺服驅(qū)動(dòng)器PWM波 3175

聊聊IGBT功率模塊的結(jié)溫計(jì)算及其模型

聊聊IGBT功率模塊的結(jié)溫計(jì)算及其模型

電機(jī)控制器的功率模塊,即IGBT器件和續(xù)流二極管,在開關(guān)和導(dǎo)通電流會(huì)產(chǎn)生損耗,損失的能量會(huì)轉(zhuǎn)化成熱能,表現(xiàn)為功率模塊發(fā)熱。...

2023-07-12 標(biāo)簽:新能源汽車IGBT電機(jī)控制器續(xù)流二極管simulink仿真 7593

電動(dòng)汽車電機(jī)控制器硬件功能安全

電動(dòng)汽車電機(jī)控制器硬件功能安全

純電動(dòng)或混動(dòng)動(dòng)力汽車上的電機(jī)控制器MCU(Motor Control Unit),其主要功能就是將電池的高壓直流電,轉(zhuǎn)換為交流電,來驅(qū)動(dòng)電機(jī)運(yùn)行。...

2023-07-12 標(biāo)簽:電池電壓IGBT電機(jī)控制器永磁電機(jī)動(dòng)力汽車 4224

基于準(zhǔn)DPC的LCL型光伏并網(wǎng)逆變器的控制策略

基于準(zhǔn)DPC的LCL型光伏并網(wǎng)逆變器的控制策略

針對(duì)三相LCL型光伏并網(wǎng)逆變系統(tǒng)中,直接功率控制(DPC)開關(guān)頻率不固定、電流閉環(huán)控制動(dòng)態(tài)響應(yīng)慢的缺點(diǎn),本文提出一種內(nèi)環(huán)采用電流控制、外環(huán)采用功率控制的準(zhǔn)DPC 方法...

2023-07-12 標(biāo)簽:濾波電容諧振控制器大功率晶體管光伏并網(wǎng)逆變器LCL濾波器 1447

二極管結(jié)面積的影響

二極管結(jié)面積的影響

階段6(t6—t7):在t6時(shí)刻,VCE下降到使IGBT進(jìn)入飽和狀態(tài),柵極反射極電壓增加以維持IL,當(dāng)VCE衰減穩(wěn)定后,穩(wěn)定值即為飽和導(dǎo)通壓降VCE(sat),到此開通過程完全結(jié)束。...

2023-07-12 標(biāo)簽:二極管電感器IGBT續(xù)流二極管VDC 938

談?wù)劧O管與IGBT少子壽命的影響

談?wù)劧O管與IGBT少子壽命的影響

在IGBT開關(guān)過程中通常用開通延遲td(on)、關(guān)斷延遲td(off)、上升時(shí)間tr和下降時(shí)間tf來進(jìn)行描述。圖5是IGBT整個(gè)開關(guān)過程的波形。...

2023-07-12 標(biāo)簽:二極管電感器IGBT續(xù)流二極管 975

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