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電子發(fā)燒友網(wǎng) > 制造/封裝 > 業(yè)界新聞

拯救摩爾定律 IBM 9nm工藝碳納米晶體管

根據(jù)最新消息,IBM成功利用碳納米材料,在單個芯片上集成了上萬個9nm制程工藝的晶體管,相信大家對于著名的摩爾定律都略知一二,但是隨著集成電路晶體管尺寸越來越小,CPU內(nèi)存等

2012-11-08 標(biāo)簽:IBM摩爾定律碳納米管 4233

英特爾開發(fā)48核智能手機平板電腦芯片

英特特爾研究人員在開發(fā)面向智能手機和平板電腦的48核芯片,但距離真正上市銷售可能還需要5至10年時間。英特爾實驗室科學(xué)家恩瑞克·赫雷羅(Enric Herrero)說,目前,他們已經(jīng)開發(fā)了

2012-10-30 標(biāo)簽:芯片英特爾 963

意法半導(dǎo)體(ST)與Soitec攜手CMP提供28納米FD-...

意法半導(dǎo)體(ST)、Soitec與CMP(Circuits Multi Projets)攜手宣佈,大專院校、研究實驗室和設(shè)計公司將可透過CMP的硅中介服務(wù)採用意法半導(dǎo)體的CMOS 28奈米FD-SOI (Fully Depleted Silicon-on-Insulator,

2012-10-25 標(biāo)簽:CMOS意法半導(dǎo)體st公司28nm 1682

DRAM成長率明年恐創(chuàng)新低

根據(jù)TrendForce旗下研究部門DRAMeXchange調(diào)查數(shù)據(jù)指出,在臺系廠商逐步退出標(biāo)準(zhǔn)型DRAM市場下,TrendForce預(yù)估,2013年DRAM的位元供給增長僅有22.2%,為歷年來最低水位。

2012-10-22 標(biāo)簽:DRAM力晶集邦科技南科 1168

摩爾定律等待跨越微影障礙

專家們一致認(rèn)為,過去幾十年來一直扮演半導(dǎo)體創(chuàng)新引擎的摩爾定律(Moore“s Law ),正由于下一代超紫外光(EUV)微影技術(shù)的延遲而失去動力。

2012-10-10 標(biāo)簽:摩爾定律IMEC微影技術(shù) 1189

MCU市場快速增長 差異化成制勝關(guān)鍵

從去年到2016年,MCU市場每年都會增長,基于ARM核的MCU市場份額是13%到23%,其中采用Cortex-M核的市場最大。

2012-10-09 標(biāo)簽:MCUARMCortex-M 1369

LED芯片收購緋聞爆破 晶電未考慮讓陸廠入股

對于今年以來不斷傳出陸廠欲以參股方式與臺廠合作,晶電董事長李秉杰直言,晶電私募案并未考慮讓陸廠入股,傾向持續(xù)與陸廠采合資方式合作。

2012-10-08 標(biāo)簽:led產(chǎn)業(yè)led芯片晶電 977

適用于下一代移動設(shè)備的高電流IHLP電感器

電子發(fā)燒友網(wǎng)核心提示 :日前,Vishay宣布推出2020外形尺寸的新款I(lǐng)HLP低高度、高電流電感器。小尺寸的IHLP-2020AB-01具有1.2mm的超低高度和低至0.10H的感值。新IHLP電感器的頻率范圍達5MHz,

2012-10-07 標(biāo)簽:電源轉(zhuǎn)換器電感器Vishay 1259

組合芯片 未來發(fā)展趨勢

目前,將調(diào)制解調(diào)器與移動處理器相集成已成為一股新興風(fēng)潮,正如Marvell公司聯(lián)合創(chuàng)始人戴偉立女士指出的那樣,這是未來的發(fā)展趨勢。 戴偉立女士表示:將調(diào)制解調(diào)器與應(yīng)用處理器

2012-10-06 標(biāo)簽:調(diào)制解調(diào)器平板電腦Marvell移動處理器 1299

TDK打破單盤密度限制 新技術(shù)將可制造超大容量硬盤

電子發(fā)燒友網(wǎng)核心提示 :雖然傳統(tǒng)硬盤在速度與厚度上很難與SSD 競爭,但這個老朋友仍然是提供價位、容量與速度三者兼具最好的選擇。在這次日本 CEATEC 展場上,TDK 展出僅改變磁頭

2012-10-04 標(biāo)簽:硬盤TDKSSD 1445

DDR4:速度加倍,能耗更低

微電子產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)機構(gòu)JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會終于發(fā)布了下一代同步DDR內(nèi)存的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn):DDR4,它的數(shù)據(jù)傳輸速度將比DDR3快一倍,且功耗更低。JEDEC的DDR4技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)的公布是數(shù)年來世界各地的內(nèi)存

2012-09-30 標(biāo)簽:DRAM三星電子存儲器微電子 2103

電子元件:產(chǎn)量全球第一 創(chuàng)新步伐加快

為應(yīng)對復(fù)雜多變的國際國內(nèi)市場環(huán)境,在科學(xué)發(fā)展觀的指引下,在戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的促進下,中國電子元件重點骨干企業(yè)在結(jié)構(gòu)調(diào)整、轉(zhuǎn)型升級的道路上邁出了新的步伐。

2012-09-28 標(biāo)簽:LTCC瑞聲科技宇陽科技 3255

半導(dǎo)體顯示:促進產(chǎn)業(yè)內(nèi)涵式整合

經(jīng)過十多年的發(fā)展,TFT-LCD已成為顯示領(lǐng)域絕對主流。隨著TFT-LCD和電致發(fā)光(EL)技術(shù)的進步,有源有機發(fā)光顯示(AMOLED)也開始產(chǎn)業(yè)化。

2012-09-28 標(biāo)簽:AMOLEDTFT-LCD激光顯示柔性顯示 1432

傳富士通將出售旗下半導(dǎo)體業(yè)務(wù)

據(jù)彭博社報道,消息人士稱,富士通在重組中準(zhǔn)備出售半導(dǎo)體業(yè)務(wù)。

2012-09-26 標(biāo)簽:半導(dǎo)體富士通半導(dǎo)體 1214

“IMPROVE”提升歐洲半導(dǎo)體業(yè)的全球競爭力

參與歐洲 IMPROVE 研究計劃的 35個成員成功提升了歐洲半導(dǎo)體業(yè)的全球競爭力。在 2009 年時,由數(shù)家全球知名的歐洲半導(dǎo)體公司加入了由英飛凌負(fù)責(zé)技術(shù)管理的專案計劃,他們的目標(biāo)是開

2012-09-25 標(biāo)簽:英飛凌 1120

格羅方德推出優(yōu)化新世代行動裝置的FinFET電晶體架構(gòu)

GLOBALFOUNDRIES推出專為成長快速的行動市場所設(shè)計的新技術(shù),加速其頂尖的發(fā)展藍圖。該公司推出的14nm-XM技術(shù),將為客戶提供3D「FinFET」電晶體的效能及能源優(yōu)勢,不僅可降低風(fēng)險,更能

2012-09-24 標(biāo)簽:SoCARM處理器FinFET格羅方德 1257

haswell處理器解析:高性能與低功耗并重

按照注明的IntelTick,Tock計劃,2013年我們將迎來22納米更新架構(gòu)的haswell處理器系列。以Intel以往的慣例,haswell將在性能上比Ivy Bridge有所增強,無論從CPU還是核芯顯卡方面。如果不出意外

2012-09-14 標(biāo)簽:處理器CPU22nmIvy Bridgehaswell處理器 4192

新技術(shù)再突破!英特爾四核芯片離10nm工藝還有多遠(yuǎn)?

電子發(fā)燒友網(wǎng)訊【編譯/David】:據(jù)信,英特爾已經(jīng)通過最新技術(shù)——浸潤式微影技術(shù),半導(dǎo)體工藝再次獲得突破。

2012-09-13 標(biāo)簽:英特爾四核處理器四核芯片半導(dǎo)體工藝浸潤式微影技術(shù) 2233

芯片競爭向產(chǎn)業(yè)鏈更深層次加速延伸

近來,英特爾、三星、臺積電等國際半導(dǎo)體大公司紛紛大幅增加研發(fā)費用,并開始進軍半導(dǎo)體設(shè)備制造領(lǐng)域。他們或自投資搞設(shè)備研發(fā),或共同合作進行設(shè)備研發(fā),或以入股入資等方式

2012-07-19 標(biāo)簽:三星電子半導(dǎo)體制造 926

科銳公司推出兩項新型GaN工藝技術(shù)

科銳公司(CREE)宣布推出兩項新型GaN工藝:0.25微米、漏極電壓最高為40V的G40V4和0.4微米、漏極電壓最高為50VG50V3。新的工藝技術(shù)增加了工作電壓和無線射頻功率密度,與傳統(tǒng)的技術(shù)相比

2012-07-18 標(biāo)簽:CREE無線射頻科銳工藝技術(shù) 1760

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