淺談晶圓探針測(cè)試的目的 晶圓探針測(cè)試主要設(shè)備
晶圓探針測(cè)試也被稱為中間測(cè)試（中測(cè)），是集成電路生產(chǎn)中的重要一環(huán)。晶圓探針測(cè)試的目的就是確保在芯片封裝前，盡可能地把壞的芯片篩選出來(lái)以節(jié)約封裝費(fèi)用。
臺(tái)積電官宣3nm正式量產(chǎn)，五年產(chǎn)出1.5萬(wàn)億美元
臺(tái)積電聲稱，基于3nm的N3工藝將實(shí)現(xiàn)60%至70%的邏輯密度提升，15%的性能提升，同時(shí)比5nm的N5功耗降低30%至35%，并支持新的FINFLEX架構(gòu)。
2022中國(guó)（深圳）集成電路峰會(huì)在深圳坪山 第二天論壇熱烈...
由深圳市人民政府、中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)集成電路設(shè)計(jì)分會(huì)、“核高基”國(guó)家科技重大專項(xiàng)總體專家組主辦，深圳市半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)社會(huì)承辦的以“創(chuàng)芯強(qiáng)鏈，雙驅(qū)發(fā)展”為主題的“2022中國(guó)（深圳）集成電路峰會(huì)”（以下簡(jiǎn)稱：ICS2022峰會(huì)），于2022年12月30日在深圳坪山格蘭云天國(guó)際酒店繼續(xù)第二天多場(chǎng)行業(yè)論壇。
2022中國(guó)（深圳）集成電路峰會(huì)圓滿落下帷幕
“2022中國(guó)（深圳）集成電路峰會(huì)”(簡(jiǎn)稱ICS2022峰會(huì))于12月29日和30日成功舉辦高峰論壇和全球存儲(chǔ)器行業(yè)創(chuàng)新論壇二個(gè)主論壇，以及六場(chǎng)專題論壇，包括集成電路設(shè)計(jì)創(chuàng)新論壇、芯火平臺(tái)產(chǎn)教融合創(chuàng)新發(fā)展論壇、半導(dǎo)體供應(yīng)鏈發(fā)展論壇、集成電路產(chǎn)業(yè)融合論壇、珞珈聚芯協(xié)同創(chuàng)新論壇和國(guó)微 EDA 生態(tài)建設(shè)論壇。專業(yè)觀眾與行業(yè)專家和行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)可廣泛討論了技術(shù)、產(chǎn)品、市場(chǎng)、投資、產(chǎn)學(xué)研商合作、國(guó)際環(huán)境對(duì)策、人才戰(zhàn)略和務(wù)實(shí)的技術(shù)創(chuàng)新路線。
2023-01-01 標(biāo)簽：芯片eda深圳半導(dǎo)體 1704
臺(tái)積電3nm和5nm同期良率相當(dāng)，3nm將大量生產(chǎn)
“3nm和5nm同期良率相當(dāng)，也已經(jīng)客戶共同開發(fā)新產(chǎn)品并大量生產(chǎn)?！毕噍^于5nm技術(shù)，3nm密度增加60%，相同速度下功耗降低30%-35%，臺(tái)積電指出：“這是世界上最先進(jìn)的技術(shù)?！?/p>
2022 中國(guó)（深圳）集成電路峰會(huì)隆重召開
2022 中國(guó)（深圳）集成電路峰會(huì)隆重召開...
關(guān)于系統(tǒng)級(jí)封裝 (SiP) 技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)的愿景
日月光的系統(tǒng)級(jí)封裝概念貫穿其廣泛的 IC 產(chǎn)品，包括高性能計(jì)算 (HPC) 芯片、射頻 (RF) 通信模塊、封裝天線 (AiP) 模塊、MEMS、引線鍵合和倒裝芯片(FC) 包裝。
2022-12-23 標(biāo)簽：SiP系統(tǒng)級(jí)封裝 1630
關(guān)于智能制造發(fā)展的五個(gè)階段
工業(yè)革命逐漸解放制造人力。制造本質(zhì)上是從“原材料”到“產(chǎn)品”的過(guò)程，內(nèi)容可以簡(jiǎn)化為工藝設(shè)計(jì)、工藝參數(shù)、過(guò)程控制、執(zhí)行四個(gè)步驟。
2022-12-21 標(biāo)簽：智能制造 1920
沉浮二十載，晶圓制造背后的重要支撐
在半導(dǎo)體CIM領(lǐng)域，絕大部分12英寸晶圓廠系統(tǒng)都被美國(guó)科技巨頭IBM和美國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備巨頭應(yīng)用材料所壟斷，這兩家企業(yè)就占有了全球80%以上的市場(chǎng)份額。IBM更是憑借著其強(qiáng)悍的“know－h(huán)ow”能力，始終保持著領(lǐng)先地位。
2022-12-21 標(biāo)簽：半導(dǎo)體制造晶圓制造 1263
三星計(jì)劃在2027年將成熟制程產(chǎn)能提高2.5倍
為了在與臺(tái)積電的競(jìng)爭(zhēng)中奪回優(yōu)勢(shì)，三星晶圓代工部門還在強(qiáng)化定制化程度較高的特殊制程，計(jì)劃在2024年將特殊制程節(jié)點(diǎn)的數(shù)量增加至10個(gè)及以上。
光刻機(jī)到底比原子彈難在哪？
因?yàn)檫@兩年卡脖子問(wèn)題十分突出，越來(lái)越多的普通中國(guó)人都知道了光刻機(jī)這個(gè)東西。但聽過(guò)光刻機(jī)這個(gè)詞，不代表真正了解它。
2022-12-20 標(biāo)簽：光刻機(jī) 6368
國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)能否拯救中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)？
這次美荷談判的重點(diǎn)就是193nm ArF dry 光刻機(jī)，如果這類型設(shè)備也不能賣，對(duì)asml來(lái)說(shuō)那差距將達(dá)到一百臺(tái)，40億美金左右的銷售額。
2022-12-16 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體芯片制造光刻機(jī)半導(dǎo)體行業(yè) 2449
臺(tái)積電公布3nm工藝真實(shí)數(shù)據(jù) 只比5nm高出5%
對(duì)比N5工藝，N3功耗可降低約25-30％，性能可提升10-15％，晶體管密度提升約70％。
美國(guó)嘗試將大陸芯片產(chǎn)業(yè)“孤立”？
荷蘭ASML光刻機(jī)對(duì)于半導(dǎo)體、對(duì)于中國(guó)半導(dǎo)體的重要性都不言而喻，所以美國(guó)早早就要求用于7nm及以下線寬先進(jìn)工藝的EUV產(chǎn)品，對(duì)華禁售。而最近，美國(guó)又在“慫恿”荷蘭，對(duì)并不那么先進(jìn)的DUV也限制出口中國(guó)。
日本攜手IBM一起強(qiáng)攻2納米芯片
IBM周二宣布，該公司正在與日本政府支持的新成立的芯片制造商Rapidus合作，以幫助其制造目前最先進(jìn)的芯片。
ST與Soitec合作開發(fā)碳化硅襯底制造技術(shù)
雙方同意對(duì)Soitec技術(shù)進(jìn)行產(chǎn)前驗(yàn)證， 以面向未來(lái)的8寸碳化硅襯底制造 提供關(guān)鍵半導(dǎo)體賦能技術(shù)，支持汽車電動(dòng)化和工業(yè)系統(tǒng)能效提升等轉(zhuǎn)型目標(biāo) 意法半導(dǎo)體(簡(jiǎn)稱ST)和世界先驅(qū)的創(chuàng)新半導(dǎo)體材料設(shè)計(jì)制造公司Soitec 宣布了下一階段的碳化硅 (SiC)襯底合作計(jì)劃，由意法半導(dǎo)體在今后18個(gè)月內(nèi)完成對(duì)Soitec碳化硅襯底技術(shù)的產(chǎn)前認(rèn)證測(cè)試。此次合作的目標(biāo)是意法半導(dǎo)體采用 Soitec 的 SmartSiC 技術(shù)制造未來(lái)的8寸碳化硅襯底，促進(jìn)公司的碳化硅器件和模塊制造業(yè)務(wù)，
2022-12-08 標(biāo)簽：ST意法半導(dǎo)體襯底碳化硅SOITEC 1231
紫光國(guó)微壓電晶體業(yè)務(wù)板塊獲認(rèn)國(guó)家企業(yè)技術(shù)中心
近日，由國(guó)家發(fā)展改革委牽頭開展認(rèn)定的第29批國(guó)家企業(yè)技術(shù)中心名單公示完畢，國(guó)內(nèi)壓電晶體領(lǐng)域龍頭企業(yè)唐山國(guó)芯晶源成功入選。 ? 國(guó)家企業(yè)技術(shù)中心由國(guó)家發(fā)展改革委牽頭開展國(guó)家認(rèn)定與評(píng)價(jià)，是指企業(yè)根據(jù)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)需要設(shè)立的技術(shù)研發(fā)與創(chuàng)新機(jī)構(gòu)，其負(fù)責(zé)制定企業(yè)技術(shù)創(chuàng)新規(guī)劃、開展產(chǎn)業(yè)技術(shù)研發(fā)、創(chuàng)造運(yùn)用知識(shí)產(chǎn)權(quán)、建立技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)體系、凝聚培養(yǎng)創(chuàng)新人才、構(gòu)建協(xié)同創(chuàng)新網(wǎng)絡(luò)、推進(jìn)技術(shù)創(chuàng)新全過(guò)程實(shí)施。 ? 壓電晶體作為各類電子產(chǎn)品中必不可
2022-12-07 標(biāo)簽：壓電晶體 1001
英特爾已大規(guī)模生產(chǎn)7納米芯片 4納米芯片準(zhǔn)備中 并將導(dǎo)入3納...
英特爾已大規(guī)模生產(chǎn)7納米芯片 4納米半芯片準(zhǔn)備中 并將導(dǎo)入3納米 英特爾期望能夠在2030年前成長(zhǎng)為全球第二大晶圓代工廠，為了能夠?qū)崿F(xiàn)這個(gè)預(yù)期目標(biāo)，英特爾將投資800億美元在美國(guó)和德國(guó)建設(shè)新的芯片工廠和投入更多研發(fā)資金。 英特爾目前正在大力促進(jìn)芯片生產(chǎn)；現(xiàn)在已經(jīng)在大規(guī)模生產(chǎn)7納米芯片，而且已經(jīng)在積極準(zhǔn)備開始制造4納米芯片，并將于2023年下半年轉(zhuǎn)向3納米制程。 從公開消息可以看出盡管英特爾下調(diào)了2022財(cái)年的業(yè)績(jī)預(yù)期值，但是英特爾依
階段性突破！首款基于RISC-V芯片的工業(yè)防火墻完成實(shí)測(cè)！
為實(shí)現(xiàn)國(guó)家“3060”雙碳目標(biāo)，能源行業(yè)在不斷加強(qiáng)科技創(chuàng)新的實(shí)力。今年4月份國(guó)家出臺(tái)的《“十四五”能源領(lǐng)域科技創(chuàng)新規(guī)劃》中，明確提出了促進(jìn)能源產(chǎn)業(yè)數(shù)字化、智能化升級(jí)的重要任務(wù)。值得關(guān)注的是，在能源行業(yè)加速數(shù)字化轉(zhuǎn)型的同時(shí)，建設(shè)全方位的網(wǎng)絡(luò)和信息安全體系變得尤為重要。 2021年12月6日，RISC-V軟硬件生態(tài)領(lǐng)導(dǎo)者賽昉科技與城市燃?xì)庑袠I(yè)領(lǐng)先企業(yè)港華智慧能源、我國(guó)工控網(wǎng)絡(luò)安全領(lǐng)軍企業(yè)威努特宣布聯(lián)手打造基于RISC-V“中國(guó)芯”的工業(yè)
2022-12-07 標(biāo)簽：RISC-V 758
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