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半導(dǎo)體技術(shù)

半導(dǎo)體技術(shù)

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半導(dǎo)體技術(shù)是指半導(dǎo)體加工的各種技術(shù),包括晶圓的生長(zhǎng)技術(shù)、薄膜沉積、光刻、蝕刻、摻雜技術(shù)和工藝整合等技術(shù)。

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半導(dǎo)體技術(shù)資訊

關(guān)于DIC EXPO國(guó)際顯示技術(shù)及應(yīng)用創(chuàng)新展暨高峰論壇

面對(duì)疫情,我國(guó)顯示業(yè)界同仁迅速反應(yīng),以極強(qiáng)的應(yīng)變能力,一方面加大封閉管理力度,防止疫情傳入企業(yè)和擴(kuò)散,保護(hù)職工健康;一方面努力協(xié)調(diào)上游材料和裝備,保障生...

2020-05-15 標(biāo)簽:半導(dǎo)體技術(shù)顯示器件顯示技術(shù) 2.3k 0

要怎么樣弄清楚大腦內(nèi)部是如何工作的?

人們通常認(rèn)為對(duì)大腦的研究需要依賴(lài)科學(xué)的進(jìn)展,但實(shí)際上,對(duì)大腦的科學(xué)研究本質(zhì)是傳感器技術(shù)應(yīng)用的進(jìn)步。每一項(xiàng)能夠輔助大腦活動(dòng)的新方法的發(fā)明,包括頭皮電極、核...

2022-06-14 標(biāo)簽:電極計(jì)算機(jī)半導(dǎo)體技術(shù) 2.3k 0

為打破美國(guó)的技術(shù)桎梏,歐盟17國(guó)決定投資研究半導(dǎo)體技術(shù),擬繼續(xù)供貨華為

為了打破美國(guó)的技術(shù)桎梏,歐盟17國(guó)決定,在未來(lái)2-3年內(nèi)投資1450億歐元研究半導(dǎo)體技術(shù),以便服務(wù)華為在內(nèi)的更多海外客戶。 據(jù)新浪財(cái)經(jīng)援引英國(guó)《金融時(shí)報(bào)...

2020-12-24 標(biāo)簽:華為歐盟半導(dǎo)體技術(shù) 2.3k 0

次時(shí)代EUV光刻已箭在弦上!

次時(shí)代EUV光刻已箭在弦上!

半導(dǎo)體技術(shù)的未來(lái)通常是通過(guò)光刻設(shè)備的鏡頭來(lái)看待的,盡管高度挑戰(zhàn)性的技術(shù)問(wèn)題幾乎永無(wú)休止,但光刻設(shè)備仍繼續(xù)為未來(lái)的工藝節(jié)點(diǎn)提供更好的分辨率。

2023-07-28 標(biāo)簽:PTFE半導(dǎo)體技術(shù)car 2.3k 0

西電廣州第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新中心通線,中國(guó)科學(xué)院院士郝躍領(lǐng)銜

西安電子科技大學(xué)表示,該項(xiàng)目竣工后,將具備6至8英寸氮化鎵晶片生長(zhǎng)、工程準(zhǔn)備、密封測(cè)試等整個(gè)工程的研發(fā)和技術(shù)服務(wù)能力。接著革新中心是第三代半導(dǎo)體技術(shù)公共...

2023-09-25 標(biāo)簽:新能源汽車(chē)半導(dǎo)體技術(shù)氮化鎵 2.3k 0

半導(dǎo)體協(xié)會(huì)SIA表示:2017年集成電路將迎來(lái)重大調(diào)整變革

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SIA)6日發(fā)布的報(bào)告顯示,全球半導(dǎo)體市場(chǎng)在2017年迎來(lái)良好開(kāi)局,受中國(guó)市場(chǎng)強(qiáng)勁表現(xiàn)的推動(dòng),1月份全球芯片銷(xiāo)量同比增長(zhǎng)13.9%,達(dá)到...

2017-03-11 標(biāo)簽:集成電路半導(dǎo)體技術(shù) 2.2k 0

高端交換機(jī)芯片篆芯半導(dǎo)體完成A1輪融資,17家投資機(jī)構(gòu)聯(lián)投

篆芯半導(dǎo)體技術(shù)團(tuán)隊(duì)來(lái)自華三、清華大學(xué)等國(guó)內(nèi)知名企業(yè)和大學(xué)。網(wǎng)絡(luò)交換芯片是網(wǎng)絡(luò)設(shè)備的核心組件,是支持?jǐn)?shù)據(jù)中心、園區(qū)網(wǎng)、承載網(wǎng)、核心骨干網(wǎng)等“信息高速公路”...

2023-09-18 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)半導(dǎo)體技術(shù)網(wǎng)絡(luò)設(shè)備 2.1k 0

芯片短缺廠家紛紛減產(chǎn) ASML總裁:中美技術(shù)對(duì)抗或?qū)⒊掷m(xù)存在

近年來(lái),美國(guó)政府對(duì)中國(guó)技術(shù)遏制升級(jí),尤其是在半導(dǎo)體領(lǐng)域,對(duì)中國(guó)企業(yè)進(jìn)行多方打壓和制裁,美國(guó)就是想控制全球的領(lǐng)先技術(shù)不進(jìn)入中國(guó)。在美國(guó)施壓下,荷蘭光刻機(jī)制...

2021-01-15 標(biāo)簽:芯片半導(dǎo)體技術(shù)技術(shù) 2.1k 0

TE推出Multispring插針的MAG-MATE連接器

TE家用電器業(yè)務(wù)部全球漆包線產(chǎn)品經(jīng)理John Sandwell表示:“這款無(wú)需焊接的產(chǎn)品揭開(kāi)了將漆包線連接到PCB板工藝的新篇章。

2013-01-18 標(biāo)簽:連接器半導(dǎo)體技術(shù)TE 2.1k 0

一種室溫工作的能谷自旋的基本單元器

現(xiàn)代半導(dǎo)體器件主要依賴(lài)電荷實(shí)現(xiàn)對(duì)信息的表達(dá)、存儲(chǔ)、傳輸和處理。在此基礎(chǔ)上,以晶體管作為基本單元,通過(guò)控制電荷流,完成信息的處理與計(jì)算等功能。

2020-09-02 標(biāo)簽:集成電路半導(dǎo)體技術(shù)晶體管 2.1k 0

800G硅光芯片,里程碑

800G硅光芯片,里程碑

雖然光子集成電路 (PIC) 已在高帶寬和高效率應(yīng)用中使用了一段時(shí)間,但并非所有工藝的構(gòu)建都是相似的。一些光子學(xué)工藝?yán)面壔蜚熁鶎拵栋雽?dǎo)體。另外,Du...

2023-10-11 標(biāo)簽:CMOS半導(dǎo)體技術(shù)硅光芯片 2.1k 0

晶圓代工江湖的工藝糾葛 5納米/6納米將成今年競(jìng)爭(zhēng)焦點(diǎn)

一則消息十分引人關(guān)注。高通最新發(fā)布旗下第三代5G基帶芯片驍龍X60,該芯片將采用三星5納米工藝進(jìn)行代工生產(chǎn)。

2020-03-09 標(biāo)簽:高通臺(tái)積電半導(dǎo)體技術(shù) 2.1k 0

仿真“器官芯片”未必適用于人體

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的系統(tǒng)單芯片是把多樣功能整合成在一顆芯片里,再透過(guò)硅來(lái)移動(dòng)電子,進(jìn)而使系統(tǒng)運(yùn)作,讓電子產(chǎn)品發(fā)揮功能。然這里所指的“器官芯片”(Organs-o...

2017-03-22 標(biāo)簽:半導(dǎo)體技術(shù)器官芯片 2.1k 0

新思科技IP成功在臺(tái)積公司3nm工藝實(shí)現(xiàn)流片

基于臺(tái)積公司N3E工藝技術(shù)的新思科技IP能夠?yàn)橄M档图娠L(fēng)險(xiǎn)并加快首次流片成功的芯片制造商建立競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)

2023-08-24 標(biāo)簽:USB接口以太網(wǎng)半導(dǎo)體技術(shù) 2k 0

半導(dǎo)體,要進(jìn)入1nm以下時(shí)代了

半導(dǎo)體,要進(jìn)入1nm以下時(shí)代了

回顧大規(guī)模集成電路(LSI)的歷史,英特爾在1971年推出的「Intel 4004」成為起點(diǎn)。當(dāng)時(shí)的線寬為10微米左右,換算成納米是1萬(wàn)納米。從那時(shí)起,...

2023-12-04 標(biāo)簽:英特爾半導(dǎo)體半導(dǎo)體技術(shù) 2k 0

射頻半導(dǎo)體技術(shù)的制造和成本效益的突破

射頻半導(dǎo)體技術(shù)的市場(chǎng)格局近年發(fā)生了顯著變化。 數(shù)十年來(lái),橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)在商業(yè)應(yīng)用中的射頻半導(dǎo)體市場(chǎng)領(lǐng)域起主導(dǎo)作用。如今,這種...

2018-03-26 標(biāo)簽:半導(dǎo)體技術(shù) 2k 0

美光向NPE機(jī)構(gòu)轉(zhuǎn)讓半導(dǎo)體專(zhuān)利,引發(fā)投機(jī)性訴訟擔(dān)憂

美光公司轉(zhuǎn)讓給road star的專(zhuān)利是nand和存儲(chǔ)器等半導(dǎo)體技術(shù)。美光公司自2020年以后還沒(méi)有交出過(guò)如此多的專(zhuān)利。此次與美光公司的交易也是lode...

2023-09-21 標(biāo)簽:NAND存儲(chǔ)器半導(dǎo)體技術(shù) 2k 0

超百億元!一批第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目簽約南京

兆熠微顯示器配件產(chǎn)業(yè)基地項(xiàng)目。投資者南京國(guó)國(guó)兆光電科技有限公司是中國(guó)電子科技集團(tuán)55家下屬企業(yè),擁有完整的驅(qū)動(dòng)芯片設(shè)計(jì)和顯示器件制造技術(shù)。計(jì)劃制造12英...

2023-09-08 標(biāo)簽:OLED半導(dǎo)體技術(shù)顯示器件 2k 0

芯原成都成功通過(guò)“2023年成都市企業(yè)技術(shù)中心”認(rèn)定

芯原成都成功通過(guò)“2023年成都市企業(yè)技術(shù)中心”認(rèn)定

近日,成都市經(jīng)濟(jì)和信息化局公布了“2023年成都市企業(yè)技術(shù)中心”認(rèn)定名單,芯原微電子 (成都) 有限公司 (以下簡(jiǎn)稱(chēng):芯原成都) 憑借公司在技術(shù)創(chuàng)新方面...

2023-10-07 標(biāo)簽:集成電路半導(dǎo)體技術(shù) 1.9k 0

中國(guó)臺(tái)灣發(fā)力碳化硅:目標(biāo)2025年實(shí)現(xiàn)8英寸晶圓及設(shè)備自給自足

相對(duì)于GaAs,GaN、SiC材料有更好的散熱性能,可應(yīng)用在基地臺(tái)、電動(dòng)車(chē)(EV)、低軌衛(wèi)星、能源、充電站與軌道運(yùn)輸。國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)藍(lán)圖(ITRS) 提...

2023-07-12 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶圓半導(dǎo)體技術(shù) 1.9k 0

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