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工藝

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工藝技術(shù)

半導體前端工藝之沉積工藝

在前幾篇文章（點擊查看），我們一直在借用餅干烘焙過程來形象地說明半導體制程。在上一篇我們說到，為制作巧克力夾心，需通過“刻蝕工藝”挖出餅干的中間部分，...

2023-06-29 標簽：半導體晶圓工藝 2.9k 0

LPCVD方法在多晶硅制備中的優(yōu)勢與挑戰(zhàn)

本文圍繞單晶硅、多晶硅與非晶硅三種形態(tài)的結(jié)構(gòu)特征、沉積技術(shù)及其工藝參數(shù)展開介紹，重點解析LPCVD方法在多晶硅制備中的優(yōu)勢與挑戰(zhàn)，并結(jié)合不同工藝條件對材...

2025-04-09 標簽：多晶硅半導體工藝 2.9k 0

半導體工藝與制造裝備技術(shù)發(fā)展趨勢

摘要：針對半導體工藝與制造裝備的發(fā)展趨勢進行了綜述和展望。首先從支撐電子信息技術(shù)發(fā)展的角度，分析半導體工藝與制造裝備的總體發(fā)展趨勢，重點介紹集成電路...

2023-05-23 標簽：集成電路半導體工藝 2.9k 0

Cu/low-k互連結(jié)構(gòu)中的電遷移問題

本文介紹了影響集成電路可靠性的Cu/low-k互連結(jié)構(gòu)中的電遷移問題。

2025-03-13 標簽：芯片集成電路工藝 2.8k 0

通孔電鍍填孔工藝研究與優(yōu)化

為了提高高密度互連印制電路板的導電導熱性和可靠性，實現(xiàn)通孔與盲孔同時填孔電鍍的目的，以某公司已有的電鍍填盲孔工藝為參考，適當調(diào)整填盲孔電鍍液各組分濃度，...

2025-04-18 標簽：pcb 印制電路板工藝 2.8k 0

晶圓背面研磨(Back Grinding)工藝簡介

經(jīng)過前端工藝處理并通過晶圓測試的晶圓將從背面研磨（Back Grinding）開始后端處理。背面研磨是將晶圓背面磨薄的工序，其目的不僅是為了減少晶圓厚度...

2023-05-22 標簽：芯片半導體晶圓 2.8k 0

LTCC通孔漿料的工藝研究

低溫共燒陶瓷(LTCC)技術(shù)是一種新型多層基板工藝技術(shù)，采用了獨特的材料體系，因其燒結(jié)溫度低，可與金屬導體共燒，從而提高了電子器件性能。該技術(shù)已廣泛應用...

2023-05-16 標簽：工藝參數(shù)LTCC 2.8k 0

華大九天Empyrean GoldMask平臺重構(gòu)掩模版數(shù)據(jù)處理方案

對芯片產(chǎn)業(yè)鏈上的光罩廠、設計公司而言，掩模版數(shù)據(jù)處理環(huán)節(jié)的效率與精度，直接決定著產(chǎn)品能否如期上市、良率能否達標、成本能否可控。當芯片工藝向更先進節(jié)點跨越...

2025-08-26 標簽：芯片工藝華大九天 2.8k 0

側(cè)墻工藝是什么意思

與亞微米工藝類似，側(cè)墻工藝是指形成環(huán)繞多晶硅的氧化介質(zhì)層，從而保護LDD 結(jié)構(gòu)，防止重摻雜的源漏離子注入到LDD結(jié)構(gòu)的擴展區(qū)。側(cè)墻是由兩個主要工藝步驟形...

2024-11-09 標簽：集成電路工藝蝕刻 2.8k 0

在玻璃上制備大晶粒多晶硅薄膜的方法

我們已經(jīng)使用“種子層概念”在薄膜太陽能電池的玻璃上形成大晶粒多晶硅(多晶硅)膜，該概念基于薄的大晶粒多晶硅模板(種子層)的外延增厚。由于玻璃襯底，所有工...

2022-04-13 標簽：多晶硅工藝玻璃 2.8k 0

ALD和ALE核心工藝技術(shù)對比

ALD 和 ALE 是微納制造領域的核心工藝技術(shù)，它們分別從沉積和刻蝕兩個維度解決了傳統(tǒng)工藝在精度、均勻性、選擇性等方面的挑戰(zhàn)。兩者既互補又相輔相成，未...

2025-01-23 標簽：工藝 ALE 2.8k 0

柵氧化層工藝的制造流程

與亞微米工藝類似，柵氧化層工藝是通過熱氧化形成高質(zhì)量的柵氧化層，它的熱穩(wěn)定性和界面態(tài)都非常好。

2024-11-05 標簽：晶圓工藝光刻 2.8k 0

半導體制造之等離子工藝

熱平衡等離子體中，電子和離子的能量服從玻爾茲曼分布(見下圖)。電容耦合型等離子體源的平均電子能量為2?3eV。等離子體中離子能量主要取決于反應室的溫度，...

2022-12-12 標簽：等離子體工藝半導體制造 2.8k 0

接觸孔工藝簡介

本文主要簡單介紹探討接觸孔工藝制造流程。以55nm接觸控工藝為切入點進行簡單介紹。 ? 在集成電路制造領域，工藝流程主要涵蓋前段工藝（Front End...

2025-02-17 標簽：檢測器工藝 2.8k 0

一文詳解封裝缺陷分類

在電子器件封裝過程中，會出現(xiàn)多種類型的封裝缺陷，主要涵蓋引線變形、底座偏移、翹曲、芯片破裂、分層、空洞、不均封裝、毛邊、外來顆粒以及不完全固化等。

2025-07-16 標簽：芯片封裝工藝 2.8k 0

SiP封裝的優(yōu)勢及應用

SiP封裝是指將多個不同芯片集成在同一個封裝體內(nèi)，形成一個器件系統(tǒng)，以實現(xiàn)多功能、小尺寸、高性能、低成本的目標。由于使用倒裝等不同的互連工藝，它可以分為...

2023-04-13 標簽：處理器芯片 SiP 2.7k 0

一文詳解BSIM-SOI模型

隨著半導體工藝進入納米尺度，傳統(tǒng)體硅（Bulk CMOS）技術(shù)面臨寄生電容大、閂鎖效應等瓶頸。SOI技術(shù)憑借埋氧層（BOX）的物理隔離優(yōu)勢，成為航空航天...

2025-09-22 標簽：工藝 SPICE 模型 2.7k 0

什么是金屬共晶鍵合

金屬共晶鍵合是利用金屬間的化學反應，在較低溫度下通過低溫相變而實現(xiàn)的鍵合，鍵合后的金屬化合物熔點高于鍵合溫度。該定義更側(cè)重于從材料科學的角度定義。

2025-03-04 標簽：晶圓工藝鍵合 2.7k 0

晶圓制造良率限制因素簡述（1）

下圖列出了一個11步工藝，如第5章所示。典型的站點良率列在第3列，累積良率列在第5列。對于單個產(chǎn)品，從站點良率計算的累積fab良率與通過將fab外的晶圓...

2024-10-09 標簽：芯片晶圓工藝 2.7k 0

機械設計必備知識點 —— 密封墊片如何選型

隨著生產(chǎn)裝置的大型化，生產(chǎn)工藝向高溫、高壓、高速的方向發(fā)展，出現(xiàn)泄漏的機會越來越多，發(fā)生事故的概率越來越大，造成的經(jīng)濟損失也越來越大。往往一處法蘭的泄漏...

2023-10-30 標簽：工藝墊片 2.7k 0

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