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細(xì)間距小尺寸的焊盤鍵合工藝是微波組件自動(dòng)鍵合工藝面臨的關(guān)鍵技術(shù)瓶頸。針對(duì)具體產(chǎn)品,分析了細(xì)間距小尺寸焊盤的球焊鍵合的工藝控制要點(diǎn),提出了改進(jìn)劈刀結(jié)構(gòu)、改...
GOB是GLUE ON THE BOARD板膠的簡(jiǎn)稱,GOB工藝是一種新型光學(xué)導(dǎo)熱納米填充材料,通過特殊工藝。將常規(guī)LED顯示屏PCB板及其貼片燈珠和雙...
在本研究中,我們?cè)O(shè)計(jì)了一個(gè)150mm晶片的濕蝕刻槽來(lái)防止硅片的背面蝕刻,并演示了優(yōu)化的工藝配方,使各向異性濕蝕刻的背面沒有任何損傷,我們還提出了300m...
近年來(lái),作為取代SPM(硫酸/過氧化氫)清洗的有機(jī)物去除法,通過添加臭氧的超純水進(jìn)行的清洗受到關(guān)注,其有效性逐漸被發(fā)現(xiàn)。在該清洗法中,可以實(shí)現(xiàn)清洗工序的...
CMOS 工藝技術(shù)平臺(tái)的方塊電阻的測(cè)試結(jié)構(gòu)是NW方塊電阻、PW方塊電阻、Poly 方塊電阻、AA 方塊電阻和金屬方塊電阻,它們的版圖尺寸是依據(jù)工藝技術(shù)平...
雖然通過蝕刻的結(jié)構(gòu)化是通過(例如抗蝕劑)掩模對(duì)襯底的全表面涂層進(jìn)行部分腐蝕來(lái)完成的,但是在剝離過程中,材料僅沉積在不受抗蝕劑掩模保護(hù)的位置。本章描述了獲...
雖然 WAT測(cè)試類型非常多,不過業(yè)界對(duì)于 WAT測(cè)試類型都有一個(gè)明確的要求,就是包括該工藝技術(shù)平臺(tái)所有的有源器件和無(wú)源器件的典型尺寸。芯片代工廠會(huì)依據(jù)這...
在晶圓制造領(lǐng)域中,T/R(Turn Ratio)指在制品的周轉(zhuǎn)率。它是衡量生產(chǎn)線效率、工藝設(shè)計(jì)合理性和生產(chǎn)進(jìn)度的重要指標(biāo)之一。本文介紹了T/R的概念、意...
隨著科技的日新月異,半導(dǎo)體技術(shù)已深深植根于我們的日常生活,無(wú)論是智能手機(jī)、計(jì)算機(jī),還是各式各樣的智能裝置,半導(dǎo)體芯片均扮演著核心組件的角色,其性能表現(xiàn)與...
晶圓表面的潔凈度對(duì)于后續(xù)半導(dǎo)體工藝以及產(chǎn)品合格率會(huì)造成一定程度的影響,最常見的主要污染包括金屬、有機(jī)物及顆粒狀粒子的殘留,而污染分析的結(jié)果可用以反應(yīng)某一...
在納米尺度集成電路制造領(lǐng)域,快速熱處理(RTP)技術(shù)已成為實(shí)現(xiàn)器件性能突破與工藝優(yōu)化的核心工具。相較于傳統(tǒng)高溫爐管工藝,RTP通過單片式作業(yè)模式與精準(zhǔn)的...
目前,微電子產(chǎn)業(yè)已經(jīng)逐步演變?yōu)樵O(shè)計(jì)、制造和封裝三個(gè)相對(duì)獨(dú)立的產(chǎn)業(yè)。微電子封裝技術(shù)即半導(dǎo)體封裝技術(shù),又稱先進(jìn)集成電路封裝。半導(dǎo)體封裝包括組裝(Assemb...
航空發(fā)動(dòng)機(jī)渦輪葉片氣膜孔的制造及檢測(cè)技術(shù)
氣膜冷卻技術(shù)是支撐航空發(fā)動(dòng)機(jī)熱端部件承溫能力提升的關(guān)鍵核心技術(shù),使冷卻氣流經(jīng)過氣膜孔等冷卻結(jié)構(gòu)噴射而出,形成覆蓋熱端部件表面的冷卻氣膜,使其免受高溫燃?xì)?..
2025-03-04 標(biāo)簽:工藝航空發(fā)動(dòng)機(jī)渦輪葉片 3k 0
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