內(nèi)外皆精密｜使用NexION 5000 SP-ICP-MS分析半導(dǎo)體工藝化學(xué)品中的金屬納米顆粒

半導(dǎo)體產(chǎn)品中的金屬污染會對設(shè)備性能產(chǎn)生不利影響，并影響制造工藝的產(chǎn)量。為了滿足對晶圓基板更高產(chǎn)量和性能的需求，必須最大限度地減少晶圓表面和基板本身的污染...

2026-05-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓ICP 38 0

劃片機(jī)為什么叫晶圓切割機(jī)

劃片機(jī)和晶圓切割機(jī)本質(zhì)上是同一臺半導(dǎo)體精密加工設(shè)備，只是叫法不同，核心原因在于：這款設(shè)備最核心、最主流的應(yīng)用場景就是切割晶圓，“晶圓切割機(jī)”是直白描述核...

2026-05-07 標(biāo)簽：晶圓劃片機(jī)博捷芯 33 0

晶圓級均勻薄膜的制備與表征技術(shù)：從磁控濺射工藝優(yōu)化到橢偏儀膜厚測量

薄膜作為一類重要的低維材料，在太陽能電池、精密光學(xué)設(shè)備、薄膜體聲波諧振器（FBAR）等高科技領(lǐng)域發(fā)揮著不可替代的作用。薄膜的制備方法主要包括化學(xué)氣相沉積...

2026-05-06 標(biāo)簽：晶圓測量 332 0

深度解析薄膜應(yīng)力與晶圓曲率法

薄膜是現(xiàn)代微電子、光子學(xué)與微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）器件最基礎(chǔ)的構(gòu)成單元，小到芯片里的導(dǎo)電層、絕緣層，大到光學(xué)鏡頭的鍍膜、MEMS傳感器的微結(jié)構(gòu)，都離不開薄...

2026-04-22 標(biāo)簽：薄膜mems晶圓 288 0

炎懷科技TPS導(dǎo)熱測試儀器-晶圓導(dǎo)熱測試案例-瞬態(tài)平面熱源法

炎懷科技TPS導(dǎo)熱測試儀器-晶圓導(dǎo)熱測試案例。瞬態(tài)平面熱源法可在小溫升、短時間條件下完成測試，更適合用于晶圓等高價值、薄片材料的無損導(dǎo)熱性能測量。

2026-04-20 標(biāo)簽：晶圓測試儀器TPS 140 0

共聚焦顯微鏡在晶圓檢測中的應(yīng)用

在半導(dǎo)體制造中，晶圓檢測正從“發(fā)現(xiàn)缺陷”逐步走向“精確量化缺陷”。隨著工藝不斷向微納尺度推進(jìn)，缺陷形態(tài)更加復(fù)雜，往往具有低對比度、多層結(jié)構(gòu)疊加等特征。傳...

2026-04-16 標(biāo)簽：晶圓檢測顯微鏡 125 0

芯片制造真正的“底片”——Reticle（掩膜版）全解析

從DUV到EUV，掩膜版為什么越來越難？Reticle的結(jié)構(gòu)、制造與缺陷在晶圓廠里，最像“押運(yùn)黃金”的物件之一不是晶圓，而是Reticle（倍縮式掩模/...

2026-04-12 標(biāo)簽：芯片晶圓芯片制造 449 0

一文詳解器件級立體封裝技術(shù)

2D、2.5D和3D立體封裝技術(shù)已廣泛應(yīng)用于倒裝芯片和晶圓級封裝工藝中，成為后摩爾時代芯片性能提升的核心支撐技術(shù)。

2026-04-10 標(biāo)簽：晶圓封裝技術(shù)倒裝芯片 2.5k 0

扇出型晶圓級封裝技術(shù)介紹

本文主要介紹扇出型（先上晶芯片面朝下）晶圓級封裝（FOWLP）。首個關(guān)于扇出型晶圓級封裝（FOWLP）的美國專利由英飛凌（Infineon）于2001年...

2026-04-10 標(biāo)簽：芯片晶圓晶圓級封裝 2.1k 0

用于3D集成的精細(xì)節(jié)距Cu/Sn微凸點(diǎn)倒裝芯片互連工藝研究

芯片異構(gòu)集成的節(jié)距不斷縮小至 10 μm 及以下，焊料外擴(kuò)、橋聯(lián)成為焊料微凸點(diǎn)互連工藝的主要技術(shù)問題。通過對微凸點(diǎn)節(jié)距為 8 μm 的 Cu/Sn 固液...

2026-04-09 標(biāo)簽：芯片晶圓工藝 2.2k 0

光刻技術(shù)中的晶圓形貌效應(yīng)詳解

第一次對非平面襯底上的光刻曝光的詳細(xì)研究出現(xiàn)在20世紀(jì)80年代后期,Matsuzawa等人72]采用有限元方法來描述硅襯底上高臺階的光散射,他們證明了散...

2026-03-24 標(biāo)簽：晶圓光刻散射 197 0

集成電路制造中的前道、中道和后道工藝介紹

集成電路的制造，堪稱現(xiàn)代工業(yè)體系中最復(fù)雜精密的系統(tǒng)工程之一。一片硅晶圓從進(jìn)入晶圓廠到最終完成電路結(jié)構(gòu)，需要經(jīng)歷數(shù)百乃至上千道工序。為了便于工藝管理、質(zhì)量...

2026-03-24 標(biāo)簽：集成電路晶圓 457 0

聚焦晶圓鍵合檢測：深度解析探頭三大核心參數(shù)的權(quán)衡與選擇

在半導(dǎo)體制造和后道封裝工藝中，晶圓鍵合技術(shù)已成為實(shí)現(xiàn)三維集成、MEMS（微機(jī)電系統(tǒng)）封裝等先進(jìn)工藝的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。而如何確保鍵合質(zhì)量，尤其是對于厚度達(dá)到75...

2026-03-24 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓檢測 177 0

背面供電網(wǎng)絡(luò)技術(shù)的架構(gòu)革命

隨著晶體管密度逼近極限，傳統(tǒng)前端供電（Front-side Power Delivery）導(dǎo)致的 IR Drop（電壓降）和布線擁擠已成為性能殺手。

2026-03-24 標(biāo)簽：集成電路晶圓晶體管 376 0

扇入型晶圓級封裝技術(shù)介紹

扇入技術(shù)屬于單芯片晶圓級或板級封裝形式，常被用于制備晶圓級或面板級芯片尺寸封裝（W/PLCSP，一般簡稱為WLCSP）。

2026-03-09 標(biāo)簽：晶圓封裝wlcsp 744 0

2.3DIC集成技術(shù)簡介

在2.3DIC集成工藝中，精細(xì)金屬線寬/線距（L/S）重分布層（RDL）基板（或有機(jī)轉(zhuǎn)接板）與積層封裝基板或高密度互連（HDI）板采用分開制造的方式，兩...

2026-03-06 標(biāo)簽：晶圓制造工藝集成技術(shù) 723 0

集成電路制造中薄膜生長工藝的發(fā)展歷程和分類

薄膜生長是集成電路制造的核心技術(shù)，涵蓋PVD、CVD、ALD及外延等路徑。隨技術(shù)節(jié)點(diǎn)演進(jìn)，工藝持續(xù)提升薄膜均勻性、純度與覆蓋能力，支撐銅互連、高k柵介質(zhì)...

2026-02-27 標(biāo)簽：集成電路薄膜晶圓 839 0

晶圓工藝制程清洗方法

晶圓工藝制程清洗是半導(dǎo)體制造的核心環(huán)節(jié)，直接決定芯片良率與器件性能，需針對不同污染物（顆粒、有機(jī)物、金屬離子、氧化物）和制程需求，采用物理、化學(xué)、干法、...

2026-02-26 標(biāo)簽：芯片晶圓半導(dǎo)體制造 673 0

拋光設(shè)備的核心自動化配置要求和關(guān)鍵工藝參數(shù)

在半導(dǎo)體器件規(guī)?；慨a(chǎn)過程中，拋光設(shè)備的自動化水平直接決定生產(chǎn)效率、工藝穩(wěn)定性與作業(yè)安全性，需同時滿足交互便捷性、運(yùn)行可視化、安全可控性等核心訴求。

2026-02-09 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓拋光 924 0

利用Solido Design Environment準(zhǔn)確預(yù)測SRAM晶圓良率

晶圓級 SRAM 實(shí)測數(shù)據(jù)表明：由存取干擾導(dǎo)致的位失效數(shù)量，與單純基于本征器件波動的預(yù)測結(jié)果存在顯著偏差。失效分析表明，SRAM 位單元 NFET 存在...

2026-02-02 標(biāo)簽：晶圓工藝sram 607 0