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標(biāo)簽 > 氮化鎵

氮化鎵

氮化鎵

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氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。

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2021-05-21 標(biāo)簽:MOSFET氮化鎵碳化硅 5.8k 0

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自從20年前第一批商用產(chǎn)品問世,GaN在射頻功率應(yīng)用領(lǐng)域已成為LDMOS和GaAs的重要競爭對手,并且,正在以更低的成本不斷提高性能和可靠性。首批GaN...

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基于GaN的功率晶體管和集成電路的早期成功最初源于GaN與硅相比的速度優(yōu)勢。GaN-on-Si晶體管的開關(guān)速度比MOSFET快10倍,比IGBT快100倍。

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氮化鎵外延片指采用外延方法,使單晶襯底上生長一層或多層氮化鎵薄膜而制成的產(chǎn)品。近年來,在國家政策支持下,我國氮化鎵外延片行業(yè)規(guī)模不斷擴(kuò)大。

2023-02-06 標(biāo)簽:氮化鎵外延片硅基氮化鎵 5.7k 0

led發(fā)光的顏色由什么決定 LED的發(fā)光原理

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氮化鎵外延片是一種由氮化鎵制成的薄片,它可以用于制造電子元件、電子器件和電子零件。氮化鎵外延片具有良好的熱穩(wěn)定性和電磁屏蔽性,可以用于制造高精度的零件和...

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2024-09-02 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料氮化鎵碳化硅 5.6k 0

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SlimQ 65W氮化鎵USB PD快充充電器的包裝盒異于常規(guī)產(chǎn)品,采用黑色的收納盒包裝,相比同類產(chǎn)品更為精致,也可以方便用戶后續(xù)收納使用。

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2023-09-27 標(biāo)簽:led發(fā)光二極管氮化鎵 5.4k 0

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2023-02-05 標(biāo)簽:充電器氮化鎵GaN 5.2k 0

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TE Connectivity Toshiba OMRON Sensirion Broadcom Semtech 旺宏 英飛凌
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MPS 億光 Exar 菲尼克斯 CUI WIZnet Molex Yageo
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