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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱(chēng)Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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氮化鎵芯片爆發(fā)式出貨，國(guó)內(nèi)外廠(chǎng)商2023新品不斷，向汽車(chē)及工業(yè)應(yīng)用邁進(jìn)
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/劉靜）2018年開(kāi)始氮化鎵被引入快充充電器，為充電器工廠(chǎng)提供了巨大的發(fā)展空間，大批的傳統(tǒng)充電器廠(chǎng)商紛紛轉(zhuǎn)戰(zhàn)氮化鎵市場(chǎng)。隨著蘋(píng)果推出...
2023-07-21 標(biāo)簽：氮化鎵 4.7k 0
硬實(shí)力對(duì)決|華廈半導(dǎo)體聯(lián)合創(chuàng)始人談謙：純度決定高度，粒度決定深度
視頻鏈接： https://media.elecfans.com/elecfans/2021/11/20211122.mp4 全國(guó)13強(qiáng)項(xiàng)目——高純鎵及...
2020年氮化鎵半導(dǎo)體材料行業(yè)研究報(bào)告
據(jù)Yole估計(jì)，在0~900V的低壓市場(chǎng)，GaN潛在市場(chǎng)約為105 億美元； 2019年全球GaN元件市場(chǎng)規(guī)模為5.6億美元，預(yù)計(jì)2022年將達(dá)12億美...
新品推薦 | 東科推出業(yè)內(nèi)首款合封氮化鎵有源箝位控制芯片
DK120GA是一款合封氮化鎵功率器件的有源箝位反激AC-DC功率轉(zhuǎn)換芯片。它具有超高集成度，內(nèi)置有源箝位拓?fù)渌璧膬深wGaNHEMT功率管，邏輯控制電...
深耕質(zhì)量賽道 鑄就半導(dǎo)體標(biāo)桿 —— 深圳爭(zhēng)妍微電子獲 “全國(guó)質(zhì)量檢驗(yàn)穩(wěn)定合格產(chǎn)品” 認(rèn)證
近日，深圳爭(zhēng)妍微電子有限公司憑借嚴(yán)苛的質(zhì)量管控體系與優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品表現(xiàn)，成功通過(guò)中國(guó)質(zhì)量檢驗(yàn)協(xié)會(huì)審核，榮獲 “全國(guó)質(zhì)量檢驗(yàn)穩(wěn)定合格產(chǎn)品” 認(rèn)證，并獲頒專(zhuān)用標(biāo)...
氮化鎵快充已然成為了當(dāng)下一個(gè)非常高頻的詞匯，在氮化鎵快充市場(chǎng)迅速增長(zhǎng)之際，65W這個(gè)功率段恰到好處的解決了大部分用戶(hù)的使用痛點(diǎn)，從而率先成為了各大品牌的...
使用銅鹵素化合物的半導(dǎo)體材料新技術(shù)可取代氮化鎵生產(chǎn)藍(lán)光LED
據(jù)韓國(guó)消息報(bào)道，韓國(guó)科學(xué)技術(shù)研究院（KIST）于日前宣布，一個(gè)KIST團(tuán)隊(duì)已經(jīng)成功開(kāi)發(fā)出一種新的化合物，可以取代氮化鎵來(lái)生產(chǎn)藍(lán)光LED。
隨著氮化鎵功率器件在 PD快充領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用，氮化鎵功率器件已經(jīng)成為了消費(fèi)電子領(lǐng)域的新寵，應(yīng)用范圍也越來(lái)越廣。氮化鎵功率器件憑借著自身優(yōu)異的性能和良好的...
安森美攜手格羅方德開(kāi)發(fā)下一代氮化鎵功率器件
概要： 安森美（onsemi ） 與格羅方德（GlobalFoundries, GF）達(dá)成全新合作協(xié)議，進(jìn)一步鞏固其在智能電源產(chǎn)品領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位，雙方將...
與傳統(tǒng)材料相比，第三代半導(dǎo)體材料更適合制造耐高溫、耐高壓、耐大電流的高頻大功率器件，因此，其為基礎(chǔ)制成的第三代半導(dǎo)體具備更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場(chǎng)、...
2021-01-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料氮化鎵碳化硅 4.6k 0
Soitec收購(gòu)EpiGaN nv，整合氮化鎵優(yōu)勢(shì)
法國(guó)Soitec半導(dǎo)體公司宣布已與氮化鎵（簡(jiǎn)稱(chēng)GaN）外延硅片材料供應(yīng)商EpiGaN達(dá)成最終協(xié)議，以3,000萬(wàn)歐元現(xiàn)金收購(gòu)EpiGaN公司。
高功率密度65W氮化鎵快充方案：仁懋MOS 1145G開(kāi)啟快充新紀(jì)元
在快充技術(shù)飛速發(fā)展的今天，65W功率檔位已成為市場(chǎng)主流，而氮化鎵技術(shù)的出現(xiàn)，正在重新定義充電器的尺寸與效能邊界。仁懋電子推出的MOT1145GMOSFE...
2461源測(cè)量單元的產(chǎn)品特點(diǎn)、功能及應(yīng)用范圍
2461高電流SourceMeter? 源測(cè)量單元（SMU）儀器把先進(jìn)的Touch、Test、Invent? 技術(shù)放到您的手中。它把創(chuàng)新的圖形用戶(hù)界面（...
2021-01-03 標(biāo)簽：太陽(yáng)能電池氮化鎵電池 4.5k 0
小米發(fā)布旗下首款氮化鎵充電器 售價(jià)149元
小米10 Pro已經(jīng)標(biāo)配一顆65W功率的USB-C充電器(單買(mǎi)價(jià)格99元)，同時(shí)小米還發(fā)布了旗下第一款采用GaN氮化鎵材料的充電器，官方名稱(chēng)“小米GaN...
來(lái)源：《半導(dǎo)體芯科技》雜志12/1月刊 近年來(lái)，芯片材料、設(shè)備以及制程工藝等技術(shù)不斷突破，在高壓、高溫、高頻應(yīng)用場(chǎng)景中第三代半導(dǎo)體材質(zhì)優(yōu)勢(shì)逐漸顯現(xiàn)。其中...
意法半導(dǎo)體推出四款全新VIPERGAN氮化鎵功率器件
從快充充電器到工業(yè)自動(dòng)化，氮化鎵正成為高功率密度電源設(shè)計(jì)的核心選擇。意法半導(dǎo)體近日推出四款全新VIPERGAN氮化鎵功率器件，持續(xù)推動(dòng)氮化鎵技術(shù)在更廣闊...
2026-04-11 標(biāo)簽：意法半導(dǎo)體晶體管氮化鎵 4.5k 0
爭(zhēng)妍微快訊：反傾銷(xiāo)調(diào)查劍指日本半導(dǎo)體材料
2026年1月7日，中國(guó)商務(wù)部宣布對(duì)原產(chǎn)于日本的進(jìn)口二氯二氫硅發(fā)起反傾銷(xiāo)立案調(diào)查，產(chǎn)業(yè)損害調(diào)查期追溯至2022年初。這一針對(duì)半導(dǎo)體核心原料的調(diào)查，迅速引...
軍用、航空系統(tǒng)從 GaN 和 SiC 功率器件中獲得巨大提升
現(xiàn)在，碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 的寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體材料滿(mǎn)足了軍事和航空航天系統(tǒng)對(duì)更高功率密度和改進(jìn)冷卻的巨大需求，這讓這兩個(gè)行...
2022-07-28 標(biāo)簽：氮化鎵碳化硅軍事應(yīng)用 4.5k 0
9月19日，英諾賽科蘇州第三代半導(dǎo)體基地舉行設(shè)備搬入儀式。這意味著英諾賽科蘇州第三代半導(dǎo)體基地開(kāi)始由廠(chǎng)房建設(shè)階段進(jìn)入量產(chǎn)準(zhǔn)備階段，標(biāo)志著全球最大氮化鎵工...
氮化鎵芯片和硅芯片有什么區(qū)別？有什么優(yōu)勢(shì)？
氮化鎵芯片是目前世界上速度最快的電源開(kāi)關(guān)器件之一。氮化鎵本身就是第三代材料，很多特性都強(qiáng)于傳統(tǒng)的硅基半導(dǎo)體。
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