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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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EPC新推最小型化的100 V、2.2 m? 氮化鎵場效應(yīng)晶體管
宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）新推100 V、2.2 mΩ的氮化鎵場效應(yīng)晶體管（EPC2071）,為設(shè)計工程師提供比硅MOSFET更小、更高效的器件，用于高...
2022-05-17 標(biāo)簽：EPC場效應(yīng)晶體管氮化鎵 4.3k 0
音質(zhì)與穩(wěn)定雙突破！爭妍微大功率功放三極管2SC5200音響功率放大配對2SA1943
在大功率音響功放領(lǐng)域，2SC5200與2SA1943互補(bǔ)配對三極管是核心功率器件，其配對精度、熱穩(wěn)定性直接決定音響的音質(zhì)還原度、功率輸出能力及使用壽命。...
氮化鎵晶體管實現(xiàn)理想的電機(jī)逆變器功率損耗
與開關(guān)模式電源不同，三相電機(jī)驅(qū)動逆變器通常使用低開關(guān)頻率；只有幾萬赫茲。大功率電機(jī)尺寸較大，具有高電感繞組；因此，即使在低開關(guān)頻率下，電流紋波也是可以接...
新的氮化鎵IC產(chǎn)品將進(jìn)一步鞏固PI的優(yōu)勢地位
這款產(chǎn)品的發(fā)布日期專門選在了PI二季度財報當(dāng)天，足見該技術(shù)對PI未來的重要性。PI總裁兼首席執(zhí)行官Balu Balakrishnan表示：“在實現(xiàn)高效率...
氮化鎵（GaN）是一種直接帶隙半導(dǎo)體，寬帶隙為3.4 eV（電子伏特），比砷化鎵（GaAs）寬2.4倍，比硅寬3倍。具有禁帶寬度大、擊穿電場高、飽和電子...
性能“捷”出，捷捷微電JMSH1004BG同步整流管助力機(jī)械革命氮化鎵快充釋放140W狂暴能量！
近日，國內(nèi)頂尖游戲硬件品牌機(jī)械革命（MECHREVO）重磅推出了旗下首款140W氮化鎵快充充電器——AY140AA-1C-CH。這款新品以其強(qiáng)大的供電能...
什么是氮化鎵半導(dǎo)體器件？氮化鎵半導(dǎo)體器件特點是什么？
氮化鎵是一種無機(jī)物質(zhì)，化學(xué)式為GaN，是氮和鎵的化合物，是一種具有直接帶隙的半導(dǎo)體。自1990年起常用于發(fā)光二極管。這種化合物的結(jié)構(gòu)與纖鋅礦相似，硬度非...
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）碳化硅在新能源汽車上如魚得水，同為第三代半導(dǎo)體的氮化鎵，目前市場則主要集中在消費電子領(lǐng)域，在消費電子市場站穩(wěn)之后，其實業(yè)界...
2023-04-03 標(biāo)簽：新能源汽車氮化鎵第三代半導(dǎo)體 4.2k 0
東南大學(xué)在氮化鎵功率驅(qū)動芯片技術(shù)上的最新研究成果成功發(fā)表
GaN功率器件具有工作頻率高、導(dǎo)通電阻小、溫度特性好等優(yōu)點，已成為未來高功率密度電源系統(tǒng)的首選器件。在高功率密度電源系統(tǒng)應(yīng)用中，如何降低系統(tǒng)EMI噪聲和...
2021-03-11 標(biāo)簽：氮化鎵電源系統(tǒng)驅(qū)動芯片 4.2k 0
英飛凌12英寸氮化鎵晶圓可擴(kuò)展生產(chǎn)步入正軌，四季度可交付樣品
7 月 5 日消息，英飛凌德國當(dāng)?shù)貢r間 7 月 3 日宣布，其在 300mm晶圓上的可擴(kuò)展氮化鎵 (GaN) 生產(chǎn)已步入正軌，首批樣品將于 2025 年...
氮化鎵適配器充電擴(kuò)展塢：65W快充支持Switch投屏
氮化鎵三孔設(shè)計：分別為功率65w全功能TYPE-C口，5W功率USB3.0口以及4K的HDMI口， 此氮化鎵擁有擴(kuò)展塢功能卻并無HUB驅(qū)動芯片，C口到H...
瞄準(zhǔn)車規(guī)市場，氮化鎵開啟加速“上車”模式
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/李誠）據(jù)阿里巴巴達(dá)摩院預(yù)測，2021年以氮化鎵、碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體將迎來應(yīng)用的大爆發(fā)。據(jù)公開資料顯示，2020年氮化鎵的市...
2021-11-17 標(biāo)簽：氮化鎵納微半導(dǎo)體安世半導(dǎo)體 4.1k 0
太平洋煤氣電力公司為住宅發(fā)起了于2016年7月28日星期四舉行的智能日活動。記得在電費最高的下午2點至7點減少用電量，節(jié)省能源。在德克薩斯和加利福尼亞都...
第一代半導(dǎo)體材料主要是指硅(Si)、鍺(Ge)半導(dǎo)體材料，興起于二十世紀(jì)五十年代，帶動了以集成電路為核心的微電子產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，被廣泛的應(yīng)用于消費電子、...
2023-11-14 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料氮化鎵碳化硅 4.1k 0
Nexperia推出了一款適用于電動汽車中的Nexperia氮化鎵器件
GAN063-650WSA的特點是低導(dǎo)通電阻（最大RDS(on) 僅為 60 m）以及快速的開關(guān)切換；效率非常高。 Nexperia氮化鎵器件的目標(biāo)是高...
電信和國防應(yīng)用推動射頻氮化鎵(RF GaN)蓬勃發(fā)展 專利之爭全面開啟
隨著工業(yè)不斷地發(fā)展，截至2017年底，RF GaN市場產(chǎn)值已經(jīng)接近3.8億美元，2023年將達(dá)到13億美元以上。
USB PD3.1 能夠迅速商業(yè)化，離不開蘋果公司的“鼎力支持”— 2021 年10 月蘋果發(fā)布的16 英寸MacBook Pro，成為全球首款支持US...
氮化鎵接連被手機(jī)廠商們“翻牌” 2025年全球GaN快充市場規(guī)模有望達(dá)600多億元
4月8日，華為舉行P40系列國行版線上發(fā)布會。發(fā)布會上，除了發(fā)布了P40系列三款新機(jī)等，余承東帶來了GaN（氮化鎵）雙口超級快充充電器，最大充電功率為6...
蘋果為環(huán)保不送充電頭：原來是看中氮化鎵充電器市場了
去年iPhone 12不送充電頭后可以說引起了巨大爭議，幾乎沒人相信蘋果這么做是為了環(huán)保，像蘋果這么精明的公司，怎么可能讓自己吃虧呢？雖然大家都知道這是...
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