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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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氮化鎵芯片市場份額分析 氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體器件分類
中國氮化鎵芯片市場占據(jù)全球約 %的市場份額，為全球最主要的消費(fèi)市場之一，且增速高于全球。2021年市場規(guī)模約 億元，2017-2021年年復(fù)合增長率約為 %。
峰值效率98%，納微12kW AI數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源，支持英偉達(dá)Backwell GPU
去年底納微半導(dǎo)體發(fā)布全球首款8.5kW AI數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源，其采用了氮化鎵和碳化硅技術(shù)的混合設(shè)計，實(shí)現(xiàn)了>97.5%的超高效率，完美適配AI和...
2025-05-06 標(biāo)簽：電源氮化鎵納微半導(dǎo)體 5.6k 0
氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)功率晶體管這兩種化合物半導(dǎo)體器件已作為方案出現(xiàn)。這些器件與長使用壽命的硅功率橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS) M...
2022-04-01 標(biāo)簽：氮化鎵半導(dǎo)體器件碳化硅 5.6k 0
智創(chuàng)無界，芯向未來：深圳爭妍微參與2026 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢大會
2026 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢大會暨 2025 年度華強(qiáng)電子網(wǎng)優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商-電子元器件行業(yè)優(yōu)秀國產(chǎn)品牌頒獎盛典圓滿舉行，深圳爭妍微電子有限公司亮相展會并斬獲...
由美國麻省理工學(xué)院（MIT）獨(dú)立出來的WiTricity現(xiàn)任總裁EricGiler，曾在2009年曾于TED發(fā)表題為“無線電力技術(shù)示范”的精彩演說，展示...
硅基氮化鎵技術(shù)成熟嗎 硅基氮化鎵用途及優(yōu)缺點(diǎn)
硅基氮化鎵是一個正在走向成熟的顛覆性半導(dǎo)體技術(shù)，硅基氮化鎵技術(shù)是一種將氮化鎵器件直接生長在傳統(tǒng)硅基襯底上的制造工藝。在這個過程中，由于氮化鎵薄膜直接生長...
2023-02-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體技術(shù)氮化鎵硅基氮化鎵技術(shù) 5.5k 0
解密華虹宏力硅半導(dǎo)體產(chǎn)品和氮化鎵產(chǎn)品混合生產(chǎn)的專利
集微網(wǎng)消息，現(xiàn)如今是人工智能、無人駕駛汽車、5G等高新技術(shù)的發(fā)展浪潮，在汽車電子、5G基站和智能芯片的推動下，第三代半導(dǎo)體材料（尤其是碳化硅(SiC)與...
努比亞推出65W GaN Pro氮化鎵充電器 體積再減小40%
去年3月，努比亞發(fā)布了旗下首款氮化鎵充電器，功率達(dá)65W三口（2C1A），此后又推出了120W三口（2C1A）氮化鎵充電器、45W雙口（1A1C）氮化鎵...
意法半導(dǎo)體與英諾賽科簽署氮化鎵技術(shù)開發(fā)與制造協(xié)議 借力雙方制造產(chǎn)能
??雙方簽署氮化鎵（GaN）技術(shù)聯(lián)合開發(fā)協(xié)議，致力于為AI數(shù)據(jù)中心、可再生能源發(fā)電與存儲、汽車等領(lǐng)域打造面向未來的功率電子技術(shù)。 ??英諾賽科可借助意法...
2025-04-01 標(biāo)簽：意法半導(dǎo)體氮化鎵英諾賽科 5.5k 0
國產(chǎn)第三代半導(dǎo)體原廠上市即遭大廠訴訟，產(chǎn)業(yè)前景如何解讀？
電子發(fā)燒友網(wǎng)（文/梁浩斌）最近國內(nèi)的首個第三代半導(dǎo)體芯片原廠提出了在港交所IPO上市的申請，不出意外的話將會獲得成功上市。這對于國內(nèi)眾多三代半的功率器件...
2024-08-05 標(biāo)簽：氮化鎵GaN第三代半導(dǎo)體 5.4k 0
“創(chuàng)新從來都是九死一生”，道出了創(chuàng)新的不易。在碳化硅晶體產(chǎn)業(yè)做強(qiáng)的道路上，未來還充滿了許許多多的坎坷險阻，還有很多需要解決的科學(xué)和技術(shù)難題。隨著碳化硅器...
GaN（氮化鎵）與硅基功放芯片的優(yōu)劣勢解析及常見型號
一、GaN（氮化鎵）與硅基材料的核心差異及優(yōu)劣勢對比 ? ? ? ?GaN（氮化鎵）屬于寬禁帶半導(dǎo)體（禁帶寬度 3.4 eV），硅基材料（硅）為傳統(tǒng)半導(dǎo)...
電子產(chǎn)品的廣泛使用催生了大眾對于快充的需求，而提到快充，大家一定不會陌生的就是氮化鎵充電器。只要選擇信得過的品牌、品質(zhì)和售后，優(yōu)質(zhì)的氮化鎵充電器并不難選...
MIMO代表“多輸入多輸出”，是一種用于無線通信的天線技術(shù)，它使用多個天線來發(fā)送和接收信號。
2月2日消息報道，國外廠商推出了一款名為HyperJuice的100W氮化鎵充電器，2A2C，外觀只有一副紙牌大小，電源效率達(dá)到了95%。
價格下降、與Si器件價差縮小，氮化鎵或成終端廠商進(jìn)入高端市場的“寶劍”
價格下降、與Si器件價差縮小 ，氮化鎵 或成終端廠商進(jìn)入高端市場的“寶劍” ? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/莫婷婷）作為第三代半導(dǎo)體，氮化鎵材料由于具備禁帶寬...
針對工業(yè)和400V系統(tǒng)汽車電源，PI推出新款PowiGaN InnoSwitch-3器件
PI宣布推出900V氮化鎵(GaN)器件，為InnoSwitch3系列反激式開關(guān)IC再添新品。新IC采用了PI特有的PowiGaN技術(shù)，可提供高達(dá)100...
ALLOS利用200mm/300mm硅基氮化鎵外延片解決晶片尺寸不匹配問題
近日，為了解決晶片尺寸不匹配的問題并應(yīng)對 microLED 生產(chǎn)產(chǎn)量方面的挑戰(zhàn)，ALLOS 應(yīng)用其獨(dú)特的應(yīng)變工程技術(shù)，展示了 200 mm 硅基氮化鎵 ...
氮化鎵根據(jù)襯底不同可分為硅基氮化鎵和碳化硅基氮化鎵：碳化硅基氮化鎵射頻器件具有高導(dǎo)熱性能和大功率射頻輸出優(yōu)勢，適用于5G基站、衛(wèi)星、雷達(dá)等領(lǐng)域；硅基氮化...
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