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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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納微半導體新一代氮化鎵功率芯片NV6128問世，全新額定電壓650V/800V的大功率
在傳統(tǒng)硅充電器一半的體積和重量情況下，氮化鎵充電器的輸出功率和充電速度與前者相比均可提升三倍。
氮化鎵功率技術(shù)大熱，Transphorm創(chuàng)新HEMT結(jié)構(gòu)“劍走偏鋒”高壓器件
氮化鎵技術(shù)因其在低功耗、小尺寸等特性設(shè)計上的獨特優(yōu)勢和成熟規(guī)?；纳a(chǎn)能力，近年來在功率器件市場大受歡迎。在前不久舉辦的EEVIA第五屆ICT技術(shù)趨勢論...
GaN行業(yè)新標桿：比業(yè)界最佳Si MOSFET效率高2%，兼容所有驅(qū)動器
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/吳子鵬）為了實現(xiàn)“雙碳”（“碳達峰”和“碳中和”）目標，全球主要國家和地區(qū)在環(huán)保法規(guī)上持續(xù)收緊，給消費、汽車、工業(yè)和能源等重點領(lǐng)域...
氮化鎵（GaN）作為半導體第三代材料，近年來高頻進入業(yè)界視野。各大IC廠商先后涉足氮化鎵領(lǐng)域，源由氮化鎵的寬禁帶、高擊穿電壓、大熱導率等特性，確立了其在...
近日，北方華創(chuàng)微電子成功獲得了位于蘇州的一家知名化合物半導體公司批量采購訂單，訂單包括了ELEDE? 330SG刻蝕機、SW GDE C200刻蝕機、 ...
拆解報告 | 安克65W充電器采用DK065G合封氮化鎵芯片
充電頭網(wǎng)拿到了安克的一款65W多口氮化鎵充電器，這款充電器為長條機身，具有藍、白、紫、黑四種配色，外觀設(shè)計簡約。充電器配有國標折疊插腳，整體小巧便攜。支...
日企市場份額占比超9成，國內(nèi)第四代半導體材料加速突破
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）最近國內(nèi)關(guān)于第四代半導體的消息很多，特別是在材料制備方面似乎有不少新突破。我們熟知的碳化硅、氮化鎵等第三代半導體又被稱為寬...
2023-03-27 標簽：氮化鎵行業(yè)現(xiàn)狀寬禁帶半導體 4.8k 0
納維科技將在蘇州建設(shè)氮化鎵(GaN)單晶襯底研發(fā)基地
據(jù)蘇州工業(yè)園區(qū)發(fā)布消息，1月24日，蘇州納維科技有限公司（以下簡稱“蘇州納維科技”）在園區(qū)舉行總部大樓奠基儀式。
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）氮化鎵功率器件的大規(guī)模應(yīng)用，是從2018年開始的。自手機快充功能在市場上迅速普及，經(jīng)過數(shù)年的發(fā)展，氮化鎵HEMT器件早已被...
生長在c面生長表面上的c面氮化鎵基半導體層由于自發(fā)極化和壓電極化而產(chǎn)生內(nèi)電場，這降低了輻射復合率。為了防止這樣的極化現(xiàn)象，正在進行對非極性或半極性氮化鎵...
“雙碳”背景下，高轉(zhuǎn)換效率的氮化鎵應(yīng)用
? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/李誠）在“雙碳”的發(fā)展趨勢下，能源轉(zhuǎn)換效率已成為各行各業(yè)關(guān)注的焦點。據(jù)國家統(tǒng)計局公開信息顯示，2020年城鄉(xiāng)居民總用電量109...
2021-12-13 標簽：氮化鎵 4.8k 0
Anker推出60W氮化鎵USB-C充電器新品:MacBook用戶便攜之選
據(jù)悉，Anker PowerPort PD 2 將于 4 月 29 日上市，價格為 54.99 美元（369 RMB）。
功率模塊前沿技術(shù)解析：寬禁帶+高集成，引領(lǐng)電力電子新趨勢
功率模塊的技術(shù)迭代，始終圍繞“高效、高密、高可靠、智能化”核心，寬禁帶技術(shù)和高集成設(shè)計是當下最核心的發(fā)展方向。對于電子工程師來說，提前掌握前沿技術(shù)，才能...
成都電子科技大學團隊的硅基磁光非互易光子器件向大家展示了團隊在這方面所做的努力和成績。在先進節(jié)點方面，Negative Capacitance FET ...
AI的盡頭或是氮化鎵？2024年多家廠商氮化鎵產(chǎn)品亮相，1200V高壓沖進市場
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/劉靜）氮化鎵是最新的第三代半導體材料，最早是在1932年由W.C.Johnson等人首次合成，2019年開啟在快充領(lǐng)域大規(guī)模商用。...
隨著5G、新能源和快充等應(yīng)用的興起，第三代半導體材料也開始嶄露頭角。br /?br /電子發(fā)燒友網(wǎng)《2021半導體產(chǎn)業(yè)展望》專題， 收到近50位國內(nèi)外半...
氮化鎵（GaN）被譽為是繼第一代 Ge、Si 半導體材料、第二代 GaAs、InP 化合物半導體材料之后的第三代半導體材料，今天金譽半導體帶大家來簡單了...
日前，阿里巴巴達摩院預測了2021年科技趨勢，其中位列第一的是以氮化鎵和碳化硅為代表的第三代半導體將迎來應(yīng)用大爆發(fā)。第三代半導體與前兩代有什么不同？為何...
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