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氮化鎵

氮化鎵

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氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。

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氮化鎵資訊

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日本電氣股份有限公司 (NEC) 擁有追求技術(shù)創(chuàng)新以及與領(lǐng)先行業(yè)供應(yīng)商合作的悠久傳統(tǒng)。NEC 已與 Qorvo 合作實(shí)施 QPA3908 和 QPA38...

2022-08-17 標(biāo)簽:氮化鎵5GQorvo 3.7k 0

安世半導(dǎo)體氮化鎵器件助力浩思動(dòng)力2025上海車展核心技術(shù)首秀

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2025-04-29 標(biāo)簽:氮化鎵安世半導(dǎo)體第三代半導(dǎo)體 3.7k 0

Nexperia(安世半導(dǎo)體)宣布推出新一代650V氮化鎵 (GaN) 技術(shù)

新一代氮化鎵技術(shù)針對(duì)汽車、5G 和數(shù)據(jù)中心等應(yīng)用;新器件采用了傳統(tǒng)的TO-247封裝和創(chuàng)新的銅夾片貼片封裝CCPAK

2020-06-11 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)中心氮化鎵Nexperia 3.7k 0

中興通訊在其母國(guó)中國(guó)推出了一種新型的高速氮化鎵充電器

 新的中興通訊超快速充電器使用氮化鎵(GaN),因此,它比基于硅的類似規(guī)格快速充電器要小。這款65W充電器具有90°折疊銷,并帶有三個(gè)輸出端口–分別是2...

2021-02-18 標(biāo)簽:充電器usb氮化鎵 3.7k 0

天科合達(dá)談八英寸SiC

本實(shí)驗(yàn)通過(guò)以自主研發(fā)的由c軸偏向<11-20>方向4°的6英寸4H-SiC襯底作為籽晶和擴(kuò)徑生長(zhǎng)的起始點(diǎn),采用物理氣相傳輸(physical...

2023-01-17 標(biāo)簽:SiC氮化鎵 3.7k 0

曝69W雙USB-C口氮化鎵充電器進(jìn)入試產(chǎn)階段 將支持VOOC等超級(jí)快充

此前,我們見(jiàn)過(guò)了30W、45W、65W的氮化鎵USB PD充電器,但都是單USB-C接口的,今天從供應(yīng)鏈獲悉了一款雙USB-C口氮化鎵充電器,總功率69W。

2019-03-31 標(biāo)簽:充電器氮化鎵快充 3.7k 0

紫米33W氮化鎵充電器mini疾速充電,媲美原裝充電器

本月初,紫米宣布推出33W氮化鎵充電器mini,原計(jì)劃3月8日上市開(kāi)賣。

2021-03-19 標(biāo)簽:半導(dǎo)體充電器氮化鎵 3.7k 0

解析連接器半導(dǎo)體材料之氮化鎵(GaN)篇

半導(dǎo)體材料(semiconductor material)是一類具有半導(dǎo)體性能(導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間,電阻率約在1mΩ·cm~1GΩ·cm范圍內(nèi)...

2020-08-03 標(biāo)簽:半導(dǎo)體連接器氮化鎵 3.6k 0

Plessey已開(kāi)發(fā)出專有的二維平面硅基氮化鎵工藝

為了產(chǎn)生綠光,LED制造商通常將磷光體或量子點(diǎn)轉(zhuǎn)換材料應(yīng)用在天然藍(lán)色LED上。然后,這些材料將短波長(zhǎng)(通常為450nm)藍(lán)光轉(zhuǎn)換為紅色或綠色波長(zhǎng),轉(zhuǎn)換效...

2019-04-16 標(biāo)簽:led顯示器氮化鎵 3.6k 0

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近日,全球知名充電品牌安克創(chuàng)新推出旗艦級(jí)氮化鎵充電器——Prime智顯充Pro160W,憑借其多口智能功率分配、實(shí)時(shí)功率顯示屏與緊湊高效的氮化鎵架構(gòu),為...

2026-03-13 標(biāo)簽:充電器氮化鎵捷捷微電 3.6k 0

支持瓦特到千瓦級(jí)應(yīng)用的氮化鎵技術(shù)

毫無(wú)疑問(wèn),氮化鎵在半導(dǎo)體競(jìng)爭(zhēng)中處于領(lǐng)先地位,可用于超級(jí)電源開(kāi)關(guān)。

2019-05-31 標(biāo)簽:半導(dǎo)體氮化鎵 3.6k 0

氮化鎵mos管普通的驅(qū)動(dòng)芯片可以驅(qū)動(dòng)嗎?

氮化鎵mos管普通的驅(qū)動(dòng)芯片可以驅(qū)動(dòng)嗎? 當(dāng)涉及到驅(qū)動(dòng)氮化鎵(GaN)MOS管時(shí),需要考慮多個(gè)因素,包括工作電壓、功率需求、頻率要求以及電路保護(hù)等。通常...

2023-11-22 標(biāo)簽:MOS管氮化鎵驅(qū)動(dòng)芯片 3.6k 0

1200V高壓硅基氮化鎵功率器件動(dòng)態(tài)特性實(shí)測(cè)

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在此方向上,青桐資本項(xiàng)目伙伴「量芯微半導(dǎo)體(GaNPower)」(以下簡(jiǎn)稱「量芯微」)在全球范圍內(nèi)率先實(shí)現(xiàn)1200V 硅基GaN HEMT的商業(yè)化量產(chǎn),...

2023-07-19 標(biāo)簽:逆變器功率器件氮化鎵 3.6k 0

氮化鎵市場(chǎng)前景光明,快充技術(shù)越來(lái)越平民化

在5G、電動(dòng)車、電源裝置等應(yīng)用的推動(dòng)下,第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵(GaN)產(chǎn)業(yè)需求已逐漸升溫。

2020-04-23 標(biāo)簽:氮化鎵快充技術(shù) 3.6k 0

Transphorm推出基于GaN的新型汽車/EV功率轉(zhuǎn)換解決方案

Transphorm驗(yàn)證并實(shí)現(xiàn)了采用電橋配置的分立封裝GaN器件的功率可達(dá)10千瓦,這進(jìn)一步印證了GaN用于電動(dòng)汽車轉(zhuǎn)換器和變頻器的令人興奮的前景。

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納微半導(dǎo)體發(fā)布雙向GaNFast氮化鎵功率芯片

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唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及下一代氮化鎵(GaN)功率芯片和碳化硅(SiC)技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼: NVTS)今日重磅發(fā)布...

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基于氮化鎵光電集成芯片的微型光纖曲率傳感器

近些年,輕量化、低成本和小型化的曲率傳感器在呼吸監(jiān)測(cè)、關(guān)節(jié)角度評(píng)估和運(yùn)動(dòng)頻率測(cè)量等人體運(yùn)動(dòng)監(jiān)測(cè)領(lǐng)域廣受關(guān)注。尤其是基于光纖的曲率傳感器,因其成本低、耐腐...

2023-01-05 標(biāo)簽:傳感器led氮化鎵 3.6k 0

產(chǎn)品應(yīng)用 | 東科AHB氮化鎵芯片助力安克150W超強(qiáng)性能快充

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前言近期充電頭網(wǎng)拿到了知名品牌ANKER安克推出的一款超強(qiáng)性能氮化鎵充電器A2655,產(chǎn)品由蘋果獨(dú)家提供,現(xiàn)已上架蘋果商城。產(chǎn)品配備多達(dá)四口USB-C快...

2024-12-23 標(biāo)簽:芯片氮化鎵東科 3.6k 0

回顧2021年國(guó)內(nèi)外氮化鎵產(chǎn)業(yè)的重大事件

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/李誠(chéng))高頻、高功率密度、低損耗的氮化鎵突破了傳統(tǒng)硅材料的物理極限,成為了市場(chǎng)的寵兒。如今氮化鎵在消費(fèi)類電子市場(chǎng)快速起量的同時(shí),還在...

2022-01-20 標(biāo)簽:氮化鎵GaN5G 3.6k 0

65W氮化鎵(GaN)充電頭PD快充方案

65W氮化鎵(GaN)充電頭PD快充方案

65W快充是目前快充市場(chǎng)出貨的主流規(guī)格;氮化鎵具有高可靠性,能夠承受短時(shí)間過(guò)壓;將GaN用于充電器的整流管后,能降低開(kāi)關(guān)損耗和驅(qū)動(dòng)損耗,提升開(kāi)關(guān)頻率,附...

2023-04-20 標(biāo)簽:充電器PD氮化鎵 3.6k 0

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