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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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據(jù)外媒報道，格芯已獲得美國政府3500萬美元（折合人民幣約2.56億元）的資助，用于其佛蒙特州的晶圓廠開發(fā)和生產(chǎn)硅基氮化鎵（GaN-on-Si）晶圓，該...
小體積30W氮化鎵PD參考設計,CX75GE030DI合封芯片來助力！
高集成30W氮化鎵合封芯片CX75GE030DI助力充電器輕松實現(xiàn)簡化電源設計，CX75GE030DI內(nèi)部集成了氮化鎵功率管控制和驅(qū)動電路芯片，外圍精簡...
數(shù)據(jù)中心能耗越來越大，氮化鎵會是效救星嗎？
在AI的蓬勃發(fā)展下，數(shù)據(jù)中心對電力與運算的需求呈正比成長，激增的用電量不僅對營運效率造成壓力，更成為數(shù)據(jù)中心達成凈零排放目標的阻礙。當前數(shù)據(jù)中心所采用的...
2023-10-18 標簽：數(shù)據(jù)中心氮化鎵人工智能 1.3k 0
10月13日，譽鴻錦半導體在深圳國際會展中心（寶安新館）隆重舉行了氮化鎵（GaN）器件品牌發(fā)布會，暨譽鴻錦2023年度GaN功率電子器件及招商發(fā)布會活動...
Transphorm氮化鎵器件助力DAH Solar(大恒能源)全球首個全集成化微型逆變器光伏系統(tǒng)
使用更為先進的 Transphorm氮化鎵器件，使突破性的太陽能電池板系統(tǒng)外形更小、更輕，且擁有更高的性能和效率。 ? ? 加利福尼亞州戈萊塔 － 20...
2023-10-16 標簽：氮化鎵 1.5k 0
隨著科學技術(shù)的不斷進步，電力電子設備的應用越來越廣泛，而氮化鎵（GaN）材料在提高能源效率方面發(fā)揮著重要作用。本文將討論氮化鎵材料的特性，氮化鎵在電力電...
氮化鎵快充技術(shù)的普及，絕不僅僅是成品數(shù)量的增加而已，更重要的是，在芯片層面，氮化鎵功率器件的供應商從最初的幾家增加到十幾家，產(chǎn)品類型多樣，主控芯片品牌超...
隨著科技的不斷進步，電力電子領域正在發(fā)生著深刻的變化。在這個變化中，第三代半導體氮化鎵（GaN）技術(shù)成為了焦點，其對于充電器的性能和效率都帶來了革命性的...
作為氮化鎵快充控制器國產(chǎn)化的先行者，KeepTops率先實現(xiàn)了氮化鎵控制芯片的自主可控性，并成功量產(chǎn)集成GaN直驅(qū)的控制器。得到了業(yè)界的廣泛認可，現(xiàn)已推...
開關(guān)模式電源（Switch Mode Power Supply，簡稱SMPS），又稱交換式電源、開關(guān)變換器，是一種高頻化電能轉(zhuǎn)換裝置，是電源供應器的一種。
2023-10-11 標簽：開關(guān)電源smps氮化鎵 1.1k 0
毫無疑問，5G更高的帶寬、更低的延遲和更高的可用性使其非常適合一系列應用。然而，較高頻段，特別是毫米波 (mmWave)，也給實現(xiàn)這些改進帶來了挑戰(zhàn)。因...
第三代寬禁帶半導體SiC和GaN在新能源和射頻領域已經(jīng)開始大規(guī)模商用。與第一代和第二代半導體相比，第三代半導體具有許多優(yōu)勢，這些優(yōu)勢源于新材料和器件結(jié)構(gòu)的創(chuàng)新。
GaN是一種寬禁帶材料。因此，它的帶隙（電子從價帶移動到導帶所需的能量）比硅寬得多：約3.4eV對1.12 eV。GaN HE MT增強的電子遷移率與更...
CGD 的 ICeGaN HEMT 榮獲臺積電歐洲創(chuàng)新區(qū)“最佳演示”
英國劍橋 - Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無晶圓廠環(huán)保科技半導體公司，開發(fā)了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造...
全球氮化鎵功率半導體領導廠商GaN Systems 今推出全新第四代氮化鎵平臺 (Gen 4 GaN Power Platform)，不僅在能源效率及尺...
在元件層面，硅 IGBT 比 SiC 同類產(chǎn)品便宜得多，并且不會很快從電力應用中消失。但一級制造商和原始設備制造商表示，將高功率密度碳化硅應用到逆變器設...
在當今的高科技社會中，氮化鎵（GaN）功率器件已成為電力電子技術(shù)領域的明星產(chǎn)品，其具有的高效、高頻、高可靠性以及高溫工作能力等優(yōu)勢在眾多領域得到廣泛應用...
GaN技術(shù)正在電力電子領域嶄露頭角，受到了廣泛的關(guān)注和投資。這一前沿技術(shù)在汽車、消費電子和航空航天等領域，特別是在功率轉(zhuǎn)換應用中，展現(xiàn)了巨大的潛力。這將...
作為第三代功率半導體的絕世雙胞胎，氮化鎵MOS管和碳化硅MOS管日益受到業(yè)界特別是電氣工程師的關(guān)注。電氣工程師之所以如此關(guān)注這兩種功率半導體，是因為它們...
GaN及相關(guān)合金可用于制造藍色/綠色/紫外線發(fā)射器以及高溫、高功率電子器件。由于 III 族氮化物的濕法化學蝕刻結(jié)果有限，因此人們投入了大量精力來開發(fā)干...
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