常見的幾種射頻半導(dǎo)體工藝

半導(dǎo)體材料可以分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類，元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。

2019-04-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵砷化鎵 1.3萬 0

氮化鎵(GaN)是什么

氮化鎵(GaN)是什么 氮化鎵是一種無機物，化學(xué)式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在...

2023-02-17 標(biāo)簽：氮化鎵 1.3萬 0

5G基站電源設(shè)計面臨的挑戰(zhàn)及優(yōu)化策略

可是最近的一篇報道，引起了人們對5G基站能源消耗的關(guān)注。新聞的內(nèi)容是為了減少能耗，節(jié)約電費，中國聯(lián)通在洛陽某地的5G基站在每天21點到次日9點就將關(guān)閉。...

2020-08-07 標(biāo)簽：電源氮化鎵功率密度 1.3萬 0

氮化鎵助力，電源管理迎大變革

氮化鎵功率器件在性能、效率、能耗、尺寸等多方面比市場主流的硅功率器件均有顯著數(shù)量級的提升。例如，相比主流的硅基MOSFET、IGBT，氮化鎵功率器件的開...

2017-08-07 標(biāo)簽：電源管理氮化鎵氮化鎵電源 1.2萬 10

OPPO 65W SuperVOOC和 30W 無線VOOC閃充 技術(shù)亮點全揭曉！

2019年9月17日，OPPO正式發(fā)布最大充電功率為65W的SuperVOOC 2.0、VOOC 4.0以及最大充電功率為30W的無線VOOC閃充。據(jù)O...

2019-09-18 標(biāo)簽：適配器OPPO氮化鎵 1.2萬 1

聚力成半導(dǎo)體項目落戶重慶 將有望突破我國第三代半導(dǎo)體技術(shù)瓶頸

11月13日，聚力成半導(dǎo)體（重慶）有限公司奠基儀式在重慶大足高新區(qū)舉行，該項目以研發(fā)、生產(chǎn)全球半導(dǎo)體領(lǐng)域前沿的氮化鎵外延片、芯片為主。這項擬投資50億元...

2018-11-15 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵 1.2萬 0

氮化鎵芯片是什么？氮化鎵芯片優(yōu)缺點 氮化鎵芯片和硅芯片區(qū)別

氮化鎵芯片是什么？氮化鎵芯片優(yōu)缺點 氮化鎵芯片和硅芯片區(qū)別? 氮化鎵芯片是一種用氮化鎵物質(zhì)制造的芯片，它被廣泛應(yīng)用于高功率和高頻率應(yīng)用領(lǐng)域，如通信、雷達...

2023-11-21 標(biāo)簽：氮化鎵漏電流硅芯片 1.2萬 1

氮化鎵推動無線充電應(yīng)用

無線充電在技術(shù)行業(yè)中變得越來越普遍，提供了一種更方便的設(shè)備充電方式，而無需使用電纜或插頭。隨著技術(shù)的進步，由于氮化鎵（GaN）功率器件的使用，無線充電變...

2023-07-28 標(biāo)簽：電動汽車功率器件氮化鎵 1.2萬 1

德儀LMG5200 GaN半橋功率級

本報告對德州儀器LMG5200器件進行詳細(xì)的逆向分析，包括器件設(shè)計、封裝技術(shù)、制造工藝、成本和價格預(yù)估等。這是我們第一發(fā)現(xiàn)帶有驅(qū)動器的半橋氮化鎵場效應(yīng)晶...

2018-03-05 標(biāo)簽：德州儀器氮化鎵功率級 1.2萬 0

首發(fā)PD 3.1！140W快充終于逼蘋果用上氮化鎵

在10月19日凌晨的發(fā)布會上，蘋果公布了最新一代的Macbook Pro系列產(chǎn)品，更是在16英寸的型號中加入了140W的快充充電器。蘋果在會后證實，這款...

2021-10-21 標(biāo)簽：蘋果氮化鎵快充技術(shù) 1.2萬 0

欣憶電子第三代半導(dǎo)體六英寸氮化鎵項目落戶廣西桂林高新區(qū) 一期總投資達16億元

近日，廣西桂林高新區(qū)管委會與位于中國臺灣的欣憶電子股份有限公司通過視頻連線召開海峽兩岸項目推進會，就第三代半導(dǎo)體六英寸氮化鎵項目推進開展“云洽談”。

2020-04-20 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵 1.2萬 0

TI推出業(yè)內(nèi)最小、最快的GaN驅(qū)動器，擴展其GaN電源產(chǎn)品組合

德州儀器（TI）（NASDAQ： TXN） 近日宣布推出兩款新型高速氮化鎵（GaN）場效應(yīng)晶體管（FET）驅(qū)動器，進一步擴展了其業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的GaN電源產(chǎn)品...

2018-03-12 標(biāo)簽：dc/dc德州儀器氮化鎵 1.2萬 0

小米GaN氮化鎵充電器到底采用的哪家方案

小米10系列發(fā)布會上，雷軍宣布了小米旗下第一款采用GaN氮化鎵材料的充電器，最大功率65W。

2020-02-17 標(biāo)簽：充電器氮化鎵小米 1.1萬 0

為何現(xiàn)在進入氮化鎵射頻市場機會已經(jīng)不大?

“現(xiàn)在正處于從LDMOS轉(zhuǎn)到氮化鎵的時間窗口，但只有三年?！蹦苡嵃雽?dǎo)體總經(jīng)理任勉表示

2019-04-26 標(biāo)簽：射頻氮化鎵 1.1萬 0

維易科（VEECO）和ALLOS展示行業(yè)領(lǐng)先的200MM硅基氮化鎵性能，推動micro-LED的應(yīng)用

Veeco 公司今日宣布和ALLOS Semiconductors （ALLOS）達成了一項戰(zhàn)略舉措，展示了200mm硅基氮化鎵晶圓用于藍/綠光mic...

2018-02-26 標(biāo)簽：氮化鎵microled硅基氮化鎵 1.1萬 0

拆解|QR架構(gòu)、功率密度0.91W/cm3的國產(chǎn)30W 氮化鎵快充

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/李誠）隨著電子設(shè)備充電功率的不斷提高，具有耐高溫 、高壓、高開關(guān)頻率的氮化鎵，在消費類快充領(lǐng)域進入了發(fā)展的快車道。氮化鎵不僅能夠替...

2022-07-30 標(biāo)簽：氮化鎵快充技術(shù) 1.1萬 0

120W氮化鎵充電器拆解對比：看國產(chǎn)芯片如何征服大廠

因為這兩個充電器呢都是PFC+準(zhǔn)諧振反激式的電源架構(gòu)，因此我們可以對應(yīng)著相同功能部分來對比。先看一些被動元器件，像保險絲，NTC浪涌抑制電阻，安規(guī)電容，...

2022-12-14 標(biāo)簽：元器件充電器氮化鎵 1.1萬 0

氮化鎵充電器Galio推出，支持最大充電器功率為120W

　　從倍思推特了解到，倍思推出了全球最小的120W氮化鎵充電器，現(xiàn)已在kickstarter眾籌。

2020-02-25 標(biāo)簽：充電器usb氮化鎵 1.1萬 0