未來的材料寵兒“碳化硅”和“氮化鎵”

在功率元器件的發(fā)展中，主要半導(dǎo)體材料當(dāng)然還是Si。同樣在以Si為主體的LSI世界里，在“將基本元件晶體管的尺寸縮小到1/k，同時將電壓也降低到1/k，力...

2012-11-21 標簽：氮化鎵碳化硅 1.1萬 0

濟寧高新區(qū)舉辦2019年第一批重大項目集中開工儀式

山大氮化鎵單晶襯底項目由山東加睿晶欣新材料股份有限公司與山東大學(xué)進行產(chǎn)學(xué)研合作，將氮化鎵單晶襯底實驗室成果實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化的重點項目。項目總投資15億元，總建...

2019-03-08 標簽：半導(dǎo)體氮化鎵產(chǎn)業(yè)鏈 1.1萬 0

耐威科技第三代半導(dǎo)體材料制造項目正式投產(chǎn) 將打造世界級氮化鎵材料公司

9月10日，北京耐威科技股份有限公司（以下簡稱“耐威科技”）發(fā)布公告稱，公司控股子公司聚能晶源（青島）半導(dǎo)體材料有限公司（以下簡稱“聚能晶源”）投資建設(shè)...

2019-09-11 標簽：半導(dǎo)體氮化鎵耐威科技 1.0萬 0

氮化鎵是什么半導(dǎo)體材料 氮化鎵充電器的優(yōu)缺點

氮化鎵屬于第三代半導(dǎo)體材料，相對硅而言，氮化鎵間隙更寬，導(dǎo)電性更好，將普通充電器替換為氮化鎵充電器，充電的效率更高。

2023-02-14 標簽：充電器半導(dǎo)體材料氮化鎵 1.0萬 0

納微GaNFast推動世界上最薄的旅行適配器

納微（Navitas）宣布GaNFast?功率IC應(yīng)用在前所未有的14mm超薄外形通用型45W電源適配器Mu One。這個用于全球范圍的超薄適配器可輕松...

2018-03-06 標簽：適配器氮化鎵納微半導(dǎo)體 1.0萬 0

安世半導(dǎo)體2020年首發(fā)氮化鎵新品，透露了哪些信息？

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃晶晶）最近，聞泰科技發(fā)布公告稱將進一步收購安世剩余股權(quán)，并將增資為安世半導(dǎo)體進行工藝升級等項目。而在年初，安世半導(dǎo)體也任命了張學(xué)...

2020-06-17 標簽：功率器件氮化鎵安世半導(dǎo)體 1.0萬 0

氮化鎵新動態(tài)：傳感器融入芯片、導(dǎo)通電阻大幅下降

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文、李誠）氮化鎵和碳化硅一樣，不斷地挑戰(zhàn)著硅基材料的物理極限，多用于電力電子、微波射頻領(lǐng)域，在電力電子的應(yīng)用中，氮化鎵的禁帶寬度是硅基...

2021-11-16 標簽：傳感器氮化鎵納微半導(dǎo)體 1.0萬 0

5G時代氮化鎵的優(yōu)勢到底有多明顯

氮化鎵（GaN）被譽為繼第一代Ge、Si半導(dǎo)體材料、第二代GaAs、InP化合物半導(dǎo)體材料之后的第三代半導(dǎo)體材料，具有帶隙寬、原子鍵強、導(dǎo)熱率高、化學(xué)性...

2020-03-17 標簽：半導(dǎo)體氮化鎵5G 9.7k 0

英飛凌新推氮化鎵開關(guān)管驅(qū)動芯片

隨著市場對高功率高電壓材料的需求增長，全球第三代半導(dǎo)體材料開始備受關(guān)注。第三代半導(dǎo)體材料具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、更高的熱導(dǎo)率、更大的電子飽和...

2018-12-06 標簽：英飛凌氮化鎵 9.3k 0

納微半導(dǎo)體 GaN功率IC實現(xiàn) 世界上最小的65W USB-PD 手提電腦電源適配器

納微 （Navitas） 半導(dǎo)體宣布推出世界上最小的65W USB-PD （Type-C） 電源適配器參考設(shè)計，以跟上過去十年來筆記型電腦在更小尺寸和更...

2017-09-15 標簽：電源適配器氮化鎵GaN 9.3k 0

安世半導(dǎo)體Nexperia 2024年財報：營收20.6億美元，市場份額從2023年的8.9%提升至9.7%

安世半導(dǎo)體近日公布了2024財年財務(wù)業(yè)績。在宏觀經(jīng)濟持續(xù)不確定和市場周期性疲軟的背景下，公司展現(xiàn)出強大的抗風(fēng)險能力，通過強化執(zhí)行力和堅持創(chuàng)新投入，實現(xiàn)了...

2025-05-16 標簽：氮化鎵碳化硅Nexperia 9.2k 0

射頻氮化鎵領(lǐng)域的知識產(chǎn)權(quán)現(xiàn)狀

目前，有30多家廠商申請了與GaN MMIC相關(guān)的專利，其中，東芝和科銳擁有最重要的專利組合?？其J在該領(lǐng)域擁有最強大的專利布局，但作為后來者的東芝是Ga...

2019-04-11 標簽：射頻氮化鎵半導(dǎo)體器件 8.9k 0

氮化鎵(GaN)襯底晶片實現(xiàn)國產(chǎn) 蘇州納維的2英寸氮化鎵名列第一

氮化鎵單晶材料生長難度非常大，蘇州納維的2英寸氮化鎵名列第一。真正的實現(xiàn)了“中國造”的氮化鎵襯底晶片。氮化物半導(dǎo)體的產(chǎn)業(yè)發(fā)展非?？?，同樣也是氮化物半導(dǎo)體...

2018-01-30 標簽：氮化鎵晶片 8.8k 0

總投資10億元 百識第三代半導(dǎo)體項目落戶南京浦口

近日，南京百識半導(dǎo)體股份有限公司（以下簡稱“百識”）第三代半導(dǎo)體項目正式落戶南京浦口經(jīng)濟開發(fā)區(qū)（以下簡稱“浦口經(jīng)開區(qū)”）。

2019-06-21 標簽：新能源半導(dǎo)體氮化鎵 8.8k 0

GaN下游：功率、射頻市場格局；國內(nèi)外產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀

【核芯觀察】是電子發(fā)燒友編輯部出品的深度系列專欄，目的是用最直觀的方式令讀者盡快理解電子產(chǎn)業(yè)架構(gòu)，理清上、中、下游的各個環(huán)節(jié)，同時迅速了解各大細分環(huán)節(jié)中...

2022-08-07 標簽：功率器件氮化鎵GaN 8.8k 0

蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司4英寸氮化鎵芯片產(chǎn)線建成 達產(chǎn)后可實現(xiàn)產(chǎn)值20億元

據(jù)新華社報道，近日，蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司4英寸氮化鎵芯片產(chǎn)線建成。

2019-05-21 標簽：芯片氮化鎵能訊 8.7k 0

一文讀懂半導(dǎo)體大硅片

單晶硅錠經(jīng)過切片、研磨、蝕刻、拋光、外延（如有）、鍵合（如有）、清洗等工藝步驟，制造成為半導(dǎo)體硅片。在生產(chǎn)環(huán)節(jié)中，半導(dǎo)體硅片需要盡可能地減少晶體缺陷，保...

2022-11-02 標簽：半導(dǎo)體材料氮化鎵硅片 8.7k 0

從LDMOS轉(zhuǎn)到氮化鎵的時間窗口只有三年

“現(xiàn)在正處于從LDMOS轉(zhuǎn)到氮化鎵的時間窗口，但只有三年?！蹦苡嵃雽?dǎo)體總經(jīng)理任勉表示，在氮化鎵領(lǐng)域耕耘十二年，能訊半導(dǎo)體迎來關(guān)鍵時間節(jié)點，抓住5G基站建...

2018-10-19 標簽：氮化鎵LDMOS 8.6k 0