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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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采用氮化鎵應(yīng)用模塊實(shí)現(xiàn)DCDC的設(shè)計(jì)
氮化鎵功率器件及其應(yīng)用(二)TI用氮化鎵器件實(shí)現(xiàn)的DCDC設(shè)計(jì)方案
Yole電力電子技術(shù)與市場(chǎng)分析師Ana Villamor與意法半導(dǎo)體功率RF和GaN產(chǎn)品部經(jīng)理Filippo Di Giovanni會(huì)面，討論意法半導(dǎo)體...
2018-12-24 標(biāo)簽：意法半導(dǎo)體氮化鎵 6.7k 0
可在25至300攝氏度的溫度范圍內(nèi)工作的氮化鎵存儲(chǔ)器
在可耐高溫的下一代電子產(chǎn)品方面，Zhao和他的團(tuán)隊(duì)最近在IEEE Electron Device Letters上介紹了他們研發(fā)的可在25至300攝氏度...
Transphorm 最新技術(shù)白皮書： 常閉耗盡型 (D-Mode)與增強(qiáng)型 (E-Mode) 氮化鎵晶體管的優(yōu)勢(shì)對(duì)比
氮化鎵功率半導(dǎo)體器件的先鋒企業(yè) Transphorm說(shuō)明了如何利用其Normally-Off D-Mode平臺(tái)設(shè)計(jì)充分發(fā)揮氮化鎵晶體管的優(yōu)勢(shì)，而E-Mo...
2023-10-24 標(biāo)簽：氮化鎵 6.7k 0
業(yè)內(nèi)首款1700V氮化鎵開關(guān)IC登場(chǎng)！高耐壓且效率大于90%，PI是如何做到的
? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/莫婷婷）從硅產(chǎn)品、碳化硅產(chǎn)品，再到氮化鎵的功率變換開關(guān)產(chǎn)品，PI都走在行業(yè)前列。近期，PI推出InnoMux?-2系列單級(jí)、獨(dú)...
浙江博方嘉芯氮化鎵射頻及功率器件項(xiàng)目開工 將對(duì)“中國(guó)芯”打造提供強(qiáng)勁助力
4月10日，浙江博方嘉芯集成電路科技有限公司氮化鎵射頻及功率器件項(xiàng)目正式開工。
Power Integrations發(fā)布全球額定耐壓最高的單管氮化鎵(GaN)電源IC
Power Integrations 近日發(fā)布全球額定耐壓最高的單管氮化鎵(GaN)電源IC。該IC采用了1250V的PowiGaN開關(guān)技術(shù)。InnoS...
氮化鎵充電器前景非常明朗，大概率會(huì)取代傳統(tǒng)充電器。 氮化鎵充電器為何能夠取代傳統(tǒng)的充電器呢，或者說(shuō)氮化鎵充電器都有哪些優(yōu)勢(shì)？下面給給大家進(jìn)行解答。
國(guó)產(chǎn)氮化鎵芯片“上天”，中國(guó)空間站、北斗、火星探測(cè)都已經(jīng)用上
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）上周日，問天實(shí)驗(yàn)艙由長(zhǎng)征5號(hào)B遙三運(yùn)載火箭送上太空，并與中國(guó)空間站天和核心艙順利完成對(duì)接。而除了將問天實(shí)驗(yàn)艙這個(gè)當(dāng)今世界上...
好像從我使用 iPhone 以來(lái)，蘋果給用戶附贈(zèng)的就一直是祖?zhèn)鞯哪穷w5V1A超級(jí)慢充電源，好不容易 iPhone 11Pro 系列給升級(jí)成了 18W 快...
倍思Baseus 65W氮化鎵GaN充電器 帶給我的幾點(diǎn)啟示
19年12月份，購(gòu)買了一款 明星產(chǎn)品：倍思的雙C＋A口 65W 氮化鎵GaN充電器產(chǎn)品。 京東上售價(jià) 268 元； 購(gòu)買的目的就是想看看 氮化鎵GaN ...
前言本期為大家?guī)?lái)的是TORRAS圖拉斯旗下小冰塊快充系列一款新品——圖拉斯45W小冰塊充電器CQ14的拆解，其延續(xù)小冰塊系列小巧精美專利外觀設(shè)計(jì)，同時(shí)...
哪些射頻和微波技術(shù)將在2019年推動(dòng)行業(yè)發(fā)展
在更高數(shù)據(jù)速率下的高功率效率： GaN具有軟壓縮特性，使其更容易預(yù)失真和線性化。因此，它更容易用于數(shù)字預(yù)失真（DPD）高效應(yīng)用。GaN能夠在多個(gè)蜂窩頻段...
最近風(fēng)靡的氮化鎵充電器，對(duì)我們消費(fèi)者最直觀的感覺就是小。當(dāng)然，在充電功率等同的情況下，體積越大的充電器，散熱必然就越好，如果一個(gè)充電器不做好電路可靠性就...
氮化鎵（GaN）是第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料，禁帶寬度為3.4eV，對(duì)應(yīng)截至波長(zhǎng)365nm，對(duì)可見光無(wú)響應(yīng)，克服了硅基紫外傳感器對(duì)可見光有強(qiáng)烈響應(yīng)，且紫外靈...
GaN Systems和安森美半導(dǎo)體的半橋評(píng)估板展示氮化鎵的下一個(gè)性能飛躍
這評(píng)估板的優(yōu)勢(shì)包括顯著減小損耗、重量、尺寸（布板尺寸可減小達(dá)80％）和系統(tǒng)成本（可節(jié)省達(dá)60％的BOM成本），非常適用于如AC-DC適配器、數(shù)據(jù)中心電源...
2019-11-29 標(biāo)簽：晶體管安森美半導(dǎo)體氮化鎵 6.4k 0
手機(jī)廠商紛紛入局 華為也將發(fā)布65W氮化鎵充電器？
小米10系列發(fā)布會(huì)讓氮化鎵充電器一舉捧紅，成為新晉網(wǎng)紅配件。小米的入局，可以說(shuō)是極大地提高了氮化鎵的關(guān)注度。
第一代半導(dǎo)體材料：主要指Si、Ge元素為主的半導(dǎo)體，它們是半導(dǎo)體分立器件、集成電路和太陽(yáng)能電池的基礎(chǔ)材料。
探析寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)與氮化鎵的未來(lái)前景
過去一些年，功率電子行業(yè)的工程師一直處于一個(gè)非常尷尬的境地，一方面他們無(wú)法在現(xiàn)有空間內(nèi)繼續(xù)提高功率，但同時(shí)又不希望增大設(shè)備所需的空間。
氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)管制備方法的簡(jiǎn)單分析
氮化鎵是第三代半導(dǎo)體的代表，具有寬禁帶、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高飽和電子漂移速率等優(yōu)異的電學(xué)特性，在半導(dǎo)體器件領(lǐng)域逐漸受到重視。
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