又一個(gè)里程碑！全球首家8英寸氮化鎵工廠量產(chǎn)

2021年6月5日，英諾賽科（蘇州）半導(dǎo)體有限公司在蘇州汾湖高新區(qū)舉辦量產(chǎn)暨研發(fā)樓奠基儀式。英諾賽科成立于2015年，是全球領(lǐng)先的硅基氮化鎵IDM企業(yè)，...

2021-06-08 標(biāo)簽：氮化鎵英諾賽科 7.4k 0

全面分析氮化鎵的誕生、產(chǎn)業(yè)發(fā)展和未來突破

越來越多的人在使用手機(jī)快充充電器的時(shí)候可能不經(jīng)意間會(huì)發(fā)現(xiàn)氮化鎵（GaN）這個(gè)專業(yè)名詞，實(shí)際上，正是“氮化鎵”這一第三代半導(dǎo)體材料的技術(shù)突破，讓第三代半導(dǎo)...

2022-01-01 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件氮化鎵 7.4k 0

氮化鎵功率器件再升級(jí)：GaNsense?技術(shù)能帶來怎樣的改變？

相比傳統(tǒng)的硅器件，氮化鎵器件的開關(guān)速度要比硅快20倍，體積和重量更小，在一些系統(tǒng)里可以節(jié)能40%以上。同時(shí)相比于硅，氮化鎵功率器件的功率密度可以提升3倍...

2021-11-26 標(biāo)簽：氮化鎵納微半導(dǎo)體 7.3k 0

第三代半導(dǎo)體襯底材料供應(yīng)商 中圖科技科創(chuàng)板IPO進(jìn)入已問詢狀態(tài)

4月21日，上海證券交易所網(wǎng)站顯示，廣東中圖半導(dǎo)體科技股份有限公司（簡稱“中圖科技”）科創(chuàng)板IPO進(jìn)入已問詢狀態(tài)。 ? 中圖科技是一家面向藍(lán)寶石上氮化鎵...

2021-04-22 標(biāo)簽：氮化鎵miniled 7.3k 0

耐威科技子公司成功研制“8 英寸硅基氮化鎵外延晶圓

耐威科技表示，本次“8 英寸硅基氮化鎵（GaN-on-Si）外延晶圓”的研制成功，使得聚能晶源成為截至目前公司已知全球范圍內(nèi)領(lǐng)先的可提供具備長時(shí)可靠性的...

2018-12-20 標(biāo)簽：晶圓氮化鎵 7.2k 0

遼寧百思特達(dá)氮化鎵項(xiàng)目正式開工建設(shè) 總投資達(dá)15億元

據(jù)盤錦高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)報(bào)道，近日，遼寧百思特達(dá)半導(dǎo)體科技有限公司氮化鎵項(xiàng)目正式開工建設(shè)，這距離該項(xiàng)目10月4日落戶盤錦高新區(qū)還不足一個(gè)月時(shí)間。

2019-11-05 標(biāo)簽：氮化鎵 7.2k 0

氮化鎵市場需求有望在5G時(shí)代迎來爆發(fā)式增長 我國多家企業(yè)積極布局

日前，華為旗下哈勃投資入股山東天岳的消息，以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表的第三代半導(dǎo)體材料再次走入大眾視野，引起業(yè)界重點(diǎn)關(guān)注。

2019-09-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵5G 7.1k 0

直擊深圳禮品展！氮化鎵、無線充擠爆充電市場，智能穿戴、智能家居再迎破局新風(fēng)向

? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/莫婷婷、劉靜）近期，粵港澳大灣區(qū)車展被認(rèn)為是深圳會(huì)展業(yè)線下重啟的標(biāo)志，就在粵港澳大灣區(qū)車展之后，深圳禮品展也在6月15日正式開...

2022-06-17 標(biāo)簽：氮化鎵無線充電 7.1k 0

寬禁帶的SiC和GaN將會(huì)是下一代功率器件的基礎(chǔ)

行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的收緊和政府法規(guī)的改變是使產(chǎn)品能效更高的關(guān)鍵推動(dòng)因素。例如，數(shù)據(jù)中心正在成倍增長以滿足需求。它們使用的電力約占世界總電力供應(yīng)（400千瓦時(shí)）的3...

2018-07-24 標(biāo)簽：安森美半導(dǎo)體氮化鎵碳化硅 7k 0

浙江博方嘉芯新一代半導(dǎo)體智能制造項(xiàng)目啟動(dòng) 計(jì)劃總投資達(dá)25億元

嘉興日?qǐng)?bào)消息稱，日前浙江博方嘉芯新一代半導(dǎo)體智能制造項(xiàng)目舉行啟動(dòng)典禮。

2019-04-02 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵 7k 0

恩智浦推出適用于5G網(wǎng)絡(luò)的全新高功率射頻產(chǎn)品

美國費(fèi)城（IMS 2018） – 2018年6月12日 – 恩智浦半導(dǎo)體（納斯達(dá)克代碼：NXPI）擴(kuò)展其豐富的GaN和硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體（Si-...

2018-06-13 標(biāo)簽：射頻恩智浦氮化鎵 6.9k 0

總投資25億元！博方嘉芯氮化鎵射頻及功率器件項(xiàng)目開工了

浙江嘉興南湖區(qū)一季度重大項(xiàng)目集中開竣工活動(dòng)儀式舉行，浙江博方嘉芯集成電路科技有限公司氮化鎵射頻及功率器件項(xiàng)目等多個(gè)項(xiàng)目在現(xiàn)場集中開工。

2020-03-05 標(biāo)簽：射頻氮化鎵 6.9k 0

車規(guī)級(jí)eGaN?FET使得激光雷達(dá)系統(tǒng)看到更清晰、更高效、成本更低、更可靠

宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）進(jìn)一步擴(kuò)大車規(guī)級(jí)氮化鎵產(chǎn)品系列 – 再多兩個(gè)產(chǎn)品成功通過國際汽車電子協(xié)會(huì)所制定的AEC Q101分立器件應(yīng)力測試認(rèn)證。

2019-01-24 標(biāo)簽：EPC氮化鎵 6.9k 0

賽微電子擬投資10億元建6-8英寸硅基氮化鎵功率器件產(chǎn)線

近日北京賽微電子股份有限公司發(fā)布了關(guān)于與青州市人民政府簽署《合作協(xié)議》的公告。公告中顯示賽微電子擬在青州經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)發(fā)起投資10億元分期建設(shè)聚能國際6-8...

2021-04-04 標(biāo)簽：氮化鎵GaN硅基氮化鎵 6.9k 0

是時(shí)候采用氮化鎵功率器件設(shè)計(jì)DC/DC轉(zhuǎn)換器了

很多工程師提問關(guān)于氮化鎵(GaN)及碳化硅(SiC)的異同。GaN和SiC都是寬帶隙半導(dǎo)體，因此可以在更小、更快的器件中處理比硅更多的功率。GaN的一個(gè)...

2019-03-14 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器功率器件氮化鎵 6.7k 0