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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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德州儀器正在將其多個工廠的氮化鎵（GaN）芯片生產(chǎn)從6英寸晶圓轉(zhuǎn)換為8英寸晶圓。模擬芯片公司正在為達拉斯和日本會津的8英寸晶圓準備設(shè)備，這將使其能夠提供...
南海區(qū)科學技術(shù)局領(lǐng)導蒞臨國星半導體調(diào)研LED芯片、功率器件用GaN芯片
? 為提高企業(yè)創(chuàng)新能力，為南海區(qū)實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展提供有力支撐，11月2日下午，南海區(qū)科學技術(shù)局局長薛佩華，科技規(guī)劃和監(jiān)督股股長熊惠芬，科技成果轉(zhuǎn)化股股...
氮化鎵(GaN)功率半導體市場風起云涌,引領(lǐng)技術(shù)革新與產(chǎn)業(yè)升級
自去年以來，氮化鎵（GaN）功率半導體市場持續(xù)升溫，成為半導體行業(yè)的焦點。英飛凌、瑞薩電子、格芯等業(yè)界巨頭紛紛通過并購GaN技術(shù)公司，加速在這一領(lǐng)域的布...
納微半導體GaNSense半橋芯片達到更高層級的效率和節(jié)能水平
GaNSense半橋氮化鎵功率芯片集成了兩個GaN FETs 和驅(qū)動器，以及控制、電平轉(zhuǎn)換、傳感和保護功能，為電子元件創(chuàng)建了一個易于使用的系統(tǒng)構(gòu)建塊。相...
納微第四代氮化鎵器件樹立大功率行業(yè)應用內(nèi)新標桿
納微半導體第四代高度集成氮化鎵平臺在效率、密度及可靠性要求嚴苛的大功率行業(yè)應用內(nèi)樹立新標桿
英諾賽科發(fā)布100V車規(guī)級GaN推進汽車激光雷達市場
英諾賽科宣布推出100V車規(guī)級氮化鎵器件INN100W135A-Q，該器件已通過AEC-Q101 認證，適用于自動駕駛及其他先進駕駛輔助系統(tǒng)應用中的車規(guī)...
什么是氮化鎵合封芯片科普，氮化鎵合封芯片的應用范圍和優(yōu)點
氮化鎵功率器和氮化鎵合封芯片在快充市場和移動設(shè)備市場得到廣泛應用。氮化鎵具有高電子遷移率和穩(wěn)定性，適用于高溫、高壓和高功率條件。氮化鎵合封芯片是一種高度...
英飛凌公布一款功率為65W的USBPD充電器 采用第三代半導體材料氮化鎵
在近日的業(yè)內(nèi)電源展會上，英飛凌公布了最新的氮化鎵材料應用，一款功率為65W的USB PD充電器。
Power Integrations發(fā)布全球電壓最高的單開關(guān)氮化鎵電源IC
新型PowiGaN開關(guān)為工業(yè)應用提供了巨大的裕量，在具有挑戰(zhàn)性的電網(wǎng)環(huán)境中尤為重要。 Power Integrations發(fā)布了全球電壓最高的單開關(guān)氮化...
機械革命無界14 Pro銳龍版即將上市，配備2.8K 120Hz顯示屏和5.1G網(wǎng)卡
在屏幕方面，新款電腦也同樣出色。其配置了2.8K 120Hz的顯示屏，像素達到了2880*1800，且具有400nit的光照度（典型值）與100%的sR...
對于近幾年的電子產(chǎn)品來說，隨著充電技術(shù)的普及，快速充電技術(shù)在各種電子設(shè)備上得到了普及。我們經(jīng)常在智能手機上看到40W快充、65W快充等字樣。充電環(huán)節(jié)中最...
該外延片專為新能源汽車電驅(qū)系統(tǒng)開發(fā)，以適用目前更高效的800V電壓架構(gòu)。并且該外延片基于國產(chǎn)設(shè)備開發(fā)，完全自主可控。
2022-11-18 標簽：氮化鎵 2.1k 0
“芯”品發(fā)布｜鎵未來推出“9mΩ”車規(guī)級 GaN FET，打破功率氮化鎵能效天花板！
在追求高效能、高可靠性功率半導體技術(shù)的道路上邁出關(guān)鍵一步，打破車規(guī)級功率半導體性能邊界 近日，鎵未來正式宣布推出G2E65R009 系列 650V 9m...
現(xiàn)代生活離不開手機，但是低效率和漫長的充電時間卻讓人煩惱不已。現(xiàn)在，有一種新型的氮化鎵充電器能夠解決這些問題。氮化鎵充電器采用了最新的半導體材料技術(shù)，使...
全球功率半導體市場迅猛增長：消費電子產(chǎn)品與新興技術(shù)共同驅(qū)動
除了智能手機，通信設(shè)備、計算機、娛樂系統(tǒng)和家用電器等其他消費電子產(chǎn)品也對功率半導體市場產(chǎn)生了深遠影響。
在當今的高科技社會中，氮化鎵（GaN）功率器件已成為電力電子技術(shù)領(lǐng)域的明星產(chǎn)品，其具有的高效、高頻、高可靠性以及高溫工作能力等優(yōu)勢在眾多領(lǐng)域得到廣泛應用...
Other Parts Discussed in Post: LMG5200當測定氮化鎵（GaN）晶體管的皮秒量級上升時間時，即使有1GHz的觀察儀器和...
大大減少體積及損耗！羅姆Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”重磅來襲
為進一步滿足消費電子和工業(yè)設(shè)備的電源提出的更高節(jié)能要求，以實現(xiàn)社會的可持續(xù)發(fā)展，羅姆開發(fā)出集650V GaN HEMT和柵極驅(qū)動用驅(qū)動器等于一體的Pow...
近日，美國一家GaN企業(yè)宣布破產(chǎn)倒閉，該企業(yè)還有一個晶圓廠，總投資超過10億人民幣，而且該企業(yè)此前還宣布他們的GaN器件即將上主驅(qū)，倒閉原因是什么？
Nexperia將于2021年9月21日-23日舉辦“Power Live”
Nexperia新款MOSFET電熱模型的詳細預覽，該模型可以在仿真中準確呈現(xiàn)器件的靜態(tài)和動態(tài)特性，并降低在設(shè)計過程后期發(fā)現(xiàn)EMC問題的風險。
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