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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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納微半導(dǎo)體邀您相約PCIM Europe 2025
納微半導(dǎo)體宣布將在5月6-8日參加于德國(guó)紐倫堡舉辦的PCIM 2025,全面展示氮化鎵和碳化硅技術(shù)在AI數(shù)據(jù)中心、電動(dòng)汽車(chē)、電機(jī)馬達(dá)和工業(yè)領(lǐng)域的應(yīng)用新進(jìn)展。
2025-04-27 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)中心氮化鎵納微半導(dǎo)體 1.3k 0
據(jù)晶湛半導(dǎo)體消息,晶湛半導(dǎo)體業(yè)界公認(rèn)的硅氮化鎵(e -on-si)外延技術(shù)開(kāi)拓者程凱博士將于2012年3月回國(guó)創(chuàng)業(yè)。國(guó)際先進(jìn)的氮化鎵外延材料開(kāi)發(fā)和產(chǎn)業(yè)化基地
我們發(fā)現(xiàn)機(jī)架式電源對(duì)電信服務(wù)器具有一定的吸引力。即使在 5g 數(shù)據(jù)、數(shù)據(jù)場(chǎng)中,他們只需要越來(lái)越高的效率,所有輸出范圍內(nèi)的效率都超過(guò) 90%,這讓您進(jìn)入鈦...
氮化鎵電源芯片U8722CAS打嗝模式實(shí)現(xiàn)噪音和紋波最優(yōu)化
氮化鎵電源芯片U8722CAS打嗝模式實(shí)現(xiàn)噪音和紋波最優(yōu)化打嗝模式本質(zhì)為電源保護(hù)機(jī)制(如短路保護(hù)),優(yōu)化需在保障可靠性的前提下進(jìn)行。高頻噪聲問(wèn)題需協(xié)同芯...
氮化鎵和碳化硅作為第三代半導(dǎo)體材料,整體發(fā)展較晚,滲透率較低。隨著半導(dǎo)體化合物的穩(wěn)定發(fā)展,第三代半導(dǎo)體具有高穿透電場(chǎng)、高導(dǎo)熱率、高電子遷移率、高操作溫度...
Maxim MAX2270x隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器在貿(mào)澤開(kāi)售 具有超高共模瞬態(tài)抗擾性(CMTI)
MAX22701E 是MAX22700–MAX22702系列的首款產(chǎn)品,屬于單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器,具有超高共模瞬態(tài)抗擾性 (CMTI),用于驅(qū)動(dòng)各種逆...
臺(tái)亞半導(dǎo)體再度調(diào)整業(yè)務(wù)結(jié)構(gòu)
臺(tái)亞半導(dǎo)體于近日成功召開(kāi)股東會(huì),會(huì)議通過(guò)了將8英寸GaN(氮化鎵)事業(yè)群分割給子公司冠亞半導(dǎo)體的計(jì)劃。這是繼兩年前臺(tái)亞將系統(tǒng)事業(yè)群劃分給星亞視覺(jué)后,再次...
碳化硅襯底產(chǎn)品通過(guò)外延和核心器件企業(yè),制成的終端產(chǎn)品應(yīng)用于新能源汽車(chē)、光伏、軌道交通、電力電子等核心系統(tǒng)。
射頻功率放大器是無(wú)線通信系統(tǒng)中的關(guān)鍵部件,其性能直接影響到無(wú)線設(shè)備的整體性能。傳統(tǒng)的射頻功率放大器主要采用三五族化合物半導(dǎo)體材料,如GaAs、InP等。...
飛宏新推出的適配器采用Transphorm的氮化鎵技術(shù)
高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先鋒和全球供應(yīng)商Transphorm, Inc.?(Nasdaq: TGAN)今天宣布,全球電源產(chǎn)品和電動(dòng)...
2022-07-29 標(biāo)簽:適配器氮化鎵Transphorm 1.2k 0
全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商–國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱IR) 近日宣布已經(jīng)為一套家庭影院系統(tǒng)測(cè)試并裝運(yùn)...
聞泰科技助力浩思動(dòng)力閃耀2025上海車(chē)展
近日,在2025上海國(guó)際車(chē)展上,吉利與雷諾合資的浩思動(dòng)力攜Gemini小型增程器驚艷亮相。這款超級(jí)集成動(dòng)力系統(tǒng)搭載聞泰科技半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的氮化鎵器件,憑借高...
投資5000萬(wàn)元!瑞能半導(dǎo)取得中電化合物1.4663%股權(quán)
本次投資是瑞能半導(dǎo)從長(zhǎng)遠(yuǎn)戰(zhàn)略布局出發(fā)做出的投資決定,中電化合物在未來(lái)實(shí)際經(jīng)營(yíng)中可能面臨宏觀經(jīng)濟(jì)、行業(yè)政策、市場(chǎng)變化、經(jīng)營(yíng)管理等因素的不確定性風(fēng)險(xiǎn)。瑞能半...
2023-07-06 標(biāo)簽:氮化鎵碳化硅瑞能半導(dǎo)體 1.2k 0
未來(lái)氮化鎵快充技術(shù)將會(huì)得到更加廣泛的應(yīng)用
2020年2月13日小米的線上發(fā)布會(huì)上,小65W氮化鎵充電器問(wèn)世。同時(shí),氮化鎵(GaN)快充在發(fā)布會(huì)上也被雷軍一舉捧紅,成為了當(dāng)下的一個(gè)熱門(mén)高頻詞匯。 ...
全球氮化鎵功率半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)廠商GaN Systems 今推出全新第四代氮化鎵平臺(tái) (Gen 4 GaN Power Platform),不僅在能源效率及尺...
香港科技大學(xué)陳敬教授課題組公布氮化鎵與碳化硅領(lǐng)域多項(xiàng)最新研究成果
? 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)獲悉: 香港科技大學(xué)電子與計(jì)算機(jī)工程系陳敬教授課題組 ,在第70屆國(guó)際電子器件大會(huì)(IEEE International Electro...
小米11于12月28日晚正式發(fā)布,起售價(jià)3999元。在發(fā)布會(huì)上,小米還帶來(lái)了一款充電器配件。
蘇州高新區(qū)新添三大總部項(xiàng)目,覆蓋多領(lǐng)域產(chǎn)業(yè)
國(guó)微納半導(dǎo)體設(shè)備有限公司專注于第三代半導(dǎo)體氮化鎵及碳化硅外延設(shè)備的研究、開(kāi)發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售,以此一設(shè)備平臺(tái)滿足氮化鎵與碳化硅兩種半導(dǎo)體工藝需求。
2024-01-05 標(biāo)簽:氮化鎵碳化硅半導(dǎo)體設(shè)備 1.2k 0
TI的600V GaN FET功率級(jí)革命性地提升高性能電力轉(zhuǎn)換效能
基于數(shù)十年的電源管理創(chuàng)新經(jīng)驗(yàn),德州儀器(TI)近日宣布推出一款600V氮化鎵(GaN)70 mù場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)功率級(jí)工程樣片,從而使TI成為...
? 全球繼電器銷(xiāo)售額呈現(xiàn)整體增長(zhǎng)趨勢(shì),主要得益于汽車(chē)、家用電器、工業(yè)控制等傳統(tǒng)下游市場(chǎng)穩(wěn)定增長(zhǎng),以及新能源、人工智能(AI)、智能制造等新興產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)...
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