氮化鎵

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氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。

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氮化鎵資訊

據(jù)統(tǒng)計(jì)，來(lái)自消費(fèi)電子快充的需求是整個(gè)氮化鎵市場(chǎng)主要的驅(qū)動(dòng)力，占氮化鎵器件市場(chǎng)總規(guī)模的60%。作為第三代半導(dǎo)體，氮化鎵器件得益于固有優(yōu)勢(shì)，未來(lái)會(huì)在功率領(lǐng)域...

2023-03-21 標(biāo)簽：數(shù)據(jù)中心氮化鎵快充 1.4k 0

AI電源革命！仁懋氮化鎵如何讓400W服務(wù)器電源效率狂飆至98%

AI算力的“能耗之痛”在AI訓(xùn)練集群中，單臺(tái)服務(wù)器功耗已突破4kW，電源系統(tǒng)面臨三重極限挑戰(zhàn)：效率瓶頸：傳統(tǒng)硅器件在高壓PFC段效率僅95%，年損耗電量...

2025-05-10 標(biāo)簽：服務(wù)器電源氮化鎵仁懋電子 1.4k 0

功率半導(dǎo)體器件氧化鎵市場(chǎng)正在穩(wěn)步擴(kuò)大

調(diào)查結(jié)果顯示，SiC、GaN（氮化鎵）等寬帶隙半導(dǎo)體單晶主要用于功率半導(dǎo)體器件，市場(chǎng)正在穩(wěn)步擴(kuò)大。

2023-09-04 標(biāo)簽：led SiC 氮化鎵 1.4k 0

Panasonic 高效GaN 電源解決方案登陸Mouser

2016年3月29日 – 貿(mào)澤電子（Mouser Electronics）即日起開始分銷Panasonic氮化鎵（GaN）解決方案。為滿足現(xiàn)代電源的...

2016-03-29 標(biāo)簽：晶體管 Mouser 氮化鎵 1.4k 0

高壓氮化鎵的未來(lái)，您能想象得到嗎？

你可以想象有這樣一個(gè)世界，在這個(gè)世界中，你不需要建造這么多發(fā)電廠，來(lái)滿足不斷躥升的數(shù)字需求。在這個(gè)世界中，工業(yè)、企業(yè)計(jì)算、電信和可再生能源系統(tǒng)的運(yùn)行速度...

2017-04-18 標(biāo)簽：氮化鎵 GaN lmg3410 1.4k 0

納微半導(dǎo)體下一代氮化鎵功率芯片全力支持OPPO Reno7 Pro英雄聯(lián)盟手游限定版50W餅干充電器成功發(fā)布

氮化鎵是下一代功率半導(dǎo)體技術(shù)，運(yùn)行速度比傳統(tǒng)硅快20倍，和傳統(tǒng)硅充電器相比，氮化鎵充電器在一半的尺寸和重量下，能實(shí)現(xiàn)3倍功率或3倍的充電速度。

2022-01-12 標(biāo)簽：充電器氮化鎵納微半導(dǎo)體 1.4k 0

英飛凌與AWL-Electricity合作,利用氮化鎵功率半導(dǎo)體優(yōu)化無(wú)線功率

10月16日，中國(guó)網(wǎng)絡(luò)空間安全協(xié)會(huì)發(fā)布了一篇題為《警惕！英特爾產(chǎn)品網(wǎng)絡(luò)安全風(fēng)險(xiǎn)凸顯，系統(tǒng)排查刻不容緩》的文章，讀后引人深思。若文章內(nèi)容屬實(shí)，底層硬件芯片...

2024-10-22 標(biāo)簽：英飛凌氮化鎵車聯(lián)網(wǎng) 1.4k 0

納微半導(dǎo)體發(fā)布GaNSli氮化鎵功率芯片

近日，納微半導(dǎo)體推出了全新一代高度集成的氮化鎵功率芯片——GaNSlim?。這款芯片憑借卓越的集成度和出色的散熱性能，在手機(jī)和筆記本電腦充電器、電視電源...

2024-10-17 標(biāo)簽：氮化鎵功率芯片納微半導(dǎo)體 1.4k 0

25W氮化鎵快充芯片U8723AH合理平衡工作頻率問(wèn)題

25W氮化鎵快充芯片U8723AH合理平衡工作頻率問(wèn)題提升芯片的工作頻率，無(wú)疑能夠加快設(shè)備的處理速度，提升用戶體驗(yàn)，但高頻率意味著更高的功耗和更大的發(fā)熱...

2024-11-22 標(biāo)簽：電壓氮化鎵快充芯片 1.4k 0

氮化鎵襯底晶圓行業(yè)發(fā)展前景分析及市場(chǎng)趨勢(shì)研究報(bào)告

根據(jù)Global Info Research電子及半導(dǎo)體項(xiàng)目團(tuán)隊(duì)最新調(diào)研，預(yù)計(jì)2030年全球氮化鎵襯底晶圓產(chǎn)值達(dá)到305百萬(wàn)美元，2024-2030年期...

2024-09-24 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓氮化鎵 1.4k 0

德州儀器CTO：電源和數(shù)據(jù)的交融與創(chuàng)新

產(chǎn)品的尺寸和外形都在逐步縮小，而其所能實(shí)現(xiàn)的功率轉(zhuǎn)換卻越來(lái)越高。在日常生活中，人們對(duì)于功效、智能化和封裝也提出了更多的要求。目前，移動(dòng)設(shè)備的電池儲(chǔ)能容量...

2017-05-22 標(biāo)簽：德州儀器氮化鎵 type-c 1.4k 0

Microchip推出新型GMICP2731-10 GaN MMIC功率放大器

GMICP2731-10器件有助于保持信號(hào)保真度，讓地面站在不影響信號(hào)質(zhì)量的情況下進(jìn)行高射頻電平的傳輸。

2021-06-22 標(biāo)簽：microchip 衛(wèi)星通信氮化鎵 1.4k 0

基于 GaN 功率器件的高功率和高功率密度電動(dòng)汽車逆變器

提高功率密度的路線圖從降低傳導(dǎo)動(dòng)態(tài)損耗開始。氮化鎵甚至比碳化硅更能顯著降低動(dòng)態(tài)損耗，從而降低整體損耗。因此，這是未來(lái)實(shí)現(xiàn)高功率密度的一種方法。第二個(gè)參...

2022-08-03 標(biāo)簽：半導(dǎo)體逆變器氮化鎵 1.4k 0

氮化鎵的好處

GaN是一種寬禁帶材料。因此，它的帶隙（電子從價(jià)帶移動(dòng)到導(dǎo)帶所需的能量）比硅寬得多：約3.4eV對(duì)1.12 eV。GaN HE MT增強(qiáng)的電子遷移率與更...

2023-10-10 標(biāo)簽：芯片氮化鎵 1.4k 0

電子材料氮化鎵芯片有多大的優(yōu)勢(shì)

氮化鎵快充技術(shù)的普及，絕不僅僅是成品數(shù)量的增加而已，更重要的是，在芯片層面，氮化鎵功率器件的供應(yīng)商從最初的幾家增加到十幾家，產(chǎn)品類型多樣，主控芯片品牌超...

2023-10-12 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體氮化鎵 1.4k 0

Nexperia和KYOCERA AVX Components Salzburg 就車規(guī)氮化鎵功率模塊達(dá)成合作

2023-03-01 標(biāo)簽：氮化鎵功率模塊汽車 1.4k 0

中瓷電子購(gòu)買博威公司/國(guó)聯(lián)萬(wàn)眾股權(quán)獲深交所受理

據(jù)悉，本次募集配套資金擬在支付本次重組相關(guān)費(fèi)用后投入氮化鎵微波產(chǎn)品精密制造生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目、通信功放與微波集成電路研發(fā)中心建設(shè)項(xiàng)目、第三代半導(dǎo)體工藝及封測(cè)...

2023-03-06 標(biāo)簽：核心芯片氮化鎵射頻芯片 1.4k 0

氮化鎵在低功率電動(dòng)車中的應(yīng)用

雖然氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在汽車應(yīng)用中仍處于早期階段，它正迅速進(jìn)入更高電壓領(lǐng)域?？紤]到其高功率密度和效率，氮化鎵技術(shù)正逐漸在汽車工業(yè)中獲得吸引力。適用于...

2023-11-22 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車氮化鎵 GaN 1.3k 0

滿足高功率應(yīng)用與高效電池隔離需求的解決方案

2023-11-30 標(biāo)簽：MOSFET 氮化鎵高功率 1.3k 0

兩位IEEE Fellow授課│第三代半導(dǎo)體器件技術(shù)與應(yīng)用高級(jí)研修班10月上海開班

來(lái)源：內(nèi)容來(lái)自中國(guó)電源學(xué)會(huì)01組織機(jī)構(gòu)主辦單位：中國(guó)電源學(xué)會(huì)承辦單位：中國(guó)電源學(xué)會(huì)科普工作委員會(huì)、英飛凌-上海海事大學(xué)功率器件應(yīng)用培訓(xùn)和實(shí)驗(yàn)中心、上海臨...

2024-09-04 標(biāo)簽：電力電子氮化鎵半導(dǎo)體器件 1.3k 0

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系留無(wú)人機(jī)，又稱系留式無(wú)人機(jī)，為多旋翼無(wú)人機(jī)的一種特殊形式。系留一定是有電傳輸源源不斷的電源供電才稱為系留。
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