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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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前言曼科推出一款小火山智充艙桌面插排，這款插座采用柱狀外觀設(shè)計(jì)，一側(cè)設(shè)有兩個(gè)新國(guó)標(biāo)五孔插孔，另一側(cè)設(shè)有2C1A快充接口，支持最大65W快充輸出，總體負(fù)載...
隨著科學(xué)技術(shù)的不斷進(jìn)步，電力電子設(shè)備的應(yīng)用越來越廣泛，而在這些設(shè)備中，電源是一個(gè)非常重要的部件。近年來，氮化鎵（GaN）材料在電源領(lǐng)域的應(yīng)用逐漸受到關(guān)注...
氮化鎵（GaN）是第三代半導(dǎo)體材料，其運(yùn)行速度比舊式慢速硅（Si）技術(shù)加快了二十倍，并且能夠?qū)崿F(xiàn)高出三倍的功率，用于尖端快速充電器產(chǎn)品時(shí)，可以實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)遠(yuǎn)超...
數(shù)據(jù)中心能耗越來越大，氮化鎵會(huì)是效救星嗎？
在AI的蓬勃發(fā)展下，數(shù)據(jù)中心對(duì)電力與運(yùn)算的需求呈正比成長(zhǎng)，激增的用電量不僅對(duì)營(yíng)運(yùn)效率造成壓力，更成為數(shù)據(jù)中心達(dá)成凈零排放目標(biāo)的阻礙。當(dāng)前數(shù)據(jù)中心所采用的...
2023-10-18 標(biāo)簽：數(shù)據(jù)中心氮化鎵人工智能 1.3k 0
中國(guó)管制鎵、鍺，韓國(guó)召開緊急會(huì)議
報(bào)道援引韓工業(yè)部官員消息稱，韓國(guó)企業(yè)目前仍有可維持約40天左右生產(chǎn)所需的鎵庫(kù)存，而且他們能夠從美國(guó)和加拿大等中國(guó)以外的國(guó)家進(jìn)口鍺產(chǎn)品，不過當(dāng)局仍希望通過...
PI推出業(yè)界首款1700V氮化鎵開關(guān)IC
深耕于高壓集成電路高能效功率變換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations（納斯達(dá)克股票代號(hào)：POWI）今日推出InnoMux-2系列單級(jí)、獨(dú)立...
彭博社采訪納微半導(dǎo)體：氮化鎵將為電動(dòng)汽車節(jié)省 70%的能量
“氮化鎵功率芯片可以將電動(dòng)汽車充電時(shí)間，從原來的11.3小時(shí)縮短到4.7小時(shí)。這個(gè)變化可以節(jié)省70%的能量。
2021-10-08 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車氮化鎵納微半導(dǎo)體 1.3k 0
一種高能效、高可靠性氮化鎵芯片進(jìn)入電子領(lǐng)域
作為氮化鎵快充控制器國(guó)產(chǎn)化的先行者，KeepTops率先實(shí)現(xiàn)了氮化鎵控制芯片的自主可控性，并成功量產(chǎn)集成GaN直驅(qū)的控制器。得到了業(yè)界的廣泛認(rèn)可，現(xiàn)已推...
氮化鎵市場(chǎng)前景光明，快充技術(shù)越來越平民化
由于對(duì)設(shè)計(jì)、制造業(yè)者來說，資金、良率、成本、技術(shù)等環(huán)節(jié)皆為投入GaN領(lǐng)域的考驗(yàn)，因此早期多由歐美IDM業(yè)者開始發(fā)展，如今，已演變?yōu)闃I(yè)界擴(kuò)大合作，加快產(chǎn)業(yè)...
自去年下半年以來，全球半導(dǎo)體因?yàn)樾枨蠖顺掷m(xù)低迷而進(jìn)入下行通道，到目前為止，這樣的趨勢(shì)仍未改變，在這樣的形勢(shì)下，很多公司選擇停止擴(kuò)張，收縮抗寒 ，不過也有...
2023-06-05 標(biāo)簽：晶圓氮化鎵功率半導(dǎo)體 1.3k 0
氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開關(guān)頻率、更低的導(dǎo)通電阻等優(yōu)勢(shì)，并可與成本極低、技術(shù)成熟度極高的硅基半導(dǎo)體集成電路工藝相兼容。
Power Integrations收購(gòu)Odyssey Semiconductor資產(chǎn)
深耕于高壓集成電路高能效功率變換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations近日宣布達(dá)成協(xié)議，收購(gòu)垂直氮化鎵(GaN)晶體管技術(shù)開發(fā)商Odysse...
氮化鎵已經(jīng)為數(shù)字控制器做好準(zhǔn)備
術(shù)語準(zhǔn)備就緒竟然有如此多不同的含義，真是有趣。若您兒孫滿堂，準(zhǔn)備就緒是指您需要輪流做許多準(zhǔn)備；我們不會(huì)離開30分鐘。在飛機(jī)上，準(zhǔn)備就緒意味著收起您的手機(jī)...
Transphorm攜手偉詮電子推出兩款新型系統(tǒng)級(jí)封裝氮化鎵器件
全球氮化鎵功率半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)軍者Transphorm, Inc.和USB PD控制器集成電路的佼佼者偉詮電子聯(lián)合宣布，雙方已成功推出兩款新型系統(tǒng)級(jí)封裝氮...
2024-05-23 標(biāo)簽：集成電路氮化鎵功率半導(dǎo)體 1.3k 0
Power Integrations榮獲2024年電源行業(yè)配套品牌兩項(xiàng)大獎(jiǎng)
近日，由世紀(jì)電源網(wǎng)主辦的“第三屆電源行業(yè)配套品牌評(píng)選活動(dòng)”在深圳隆重舉行。此次評(píng)選旨在表彰在技術(shù)創(chuàng)新、市場(chǎng)表現(xiàn)和行業(yè)影響力方面具有卓越成就的企業(yè)，嚴(yán)格的...
據(jù)外媒報(bào)道，格芯已獲得美國(guó)政府3500萬美元（折合人民幣約2.56億元）的資助，用于其佛蒙特州的晶圓廠開發(fā)和生產(chǎn)硅基氮化鎵（GaN-on-Si）晶圓，該...
據(jù)悉，10 月 17 日， 中芯聚源私募基金管理（上海）有限公司 （以下簡(jiǎn)稱“中芯聚源”）董事長(zhǎng)高永崗、董事總經(jīng)理趙滄波一行參觀考察武漢鑫威源電子科技有...
2024-10-22 標(biāo)簽：氮化鎵半導(dǎo)體激光器中芯聚源 1.3k 0
納微半導(dǎo)體宣布成功發(fā)貨超過四千萬顆，氮化鎵功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者加速發(fā)展
氮化鎵功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼： NVTS）正式宣布其發(fā)貨數(shù)量已超過四千萬顆，終端市場(chǎng)故障率為零。
2022-03-28 標(biāo)簽：氮化鎵功率芯片納微半導(dǎo)體 1.3k 0
納微半導(dǎo)體宣布將參加亞洲充電展，最新GaN+SiC技術(shù)展望快充未來
下一代氮化鎵和碳化硅技術(shù)為移動(dòng)電子、電動(dòng)汽車和工業(yè)領(lǐng)域注入超快充動(dòng)力
2024-03-15 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車氮化鎵碳化硅 1.3k 0
氮化鎵正取代硅，越來越多地用于需要更大功率密度和更高能效的應(yīng)用中 ? 作為提供不間斷連接的關(guān)鍵，許多數(shù)據(jù)中心依賴于日益流行的半導(dǎo)體技術(shù)來提高能效和功率密...
2023-04-19 標(biāo)簽：氮化鎵 1.3k 0
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