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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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集成之巔，易用至極！納微發(fā)布全新GaNSlim?氮化鎵功率芯片
采用納微專(zhuān)利的DPAK-4L封裝的高度集成氮化鎵功率芯片，具有智能化電磁干擾(EMI)控制和無(wú)損電流感測(cè)功能，助力打造業(yè)界最快、最小、最高效的解決方案。...
2024-10-17 標(biāo)簽：氮化鎵功率芯片納微半導(dǎo)體 1.4k 0
在剛剛結(jié)束的德國(guó)慕尼黑電子展（electronica Munich）上，PI 展出了其最新的1700V InnoMux-2產(chǎn)品。這款產(chǎn)品是業(yè)界首款170...
工程師想要說(shuō)服管理者采用GaN，就必須證明GaN的價(jià)值主張。理論參數(shù)固然重要，但決策者更看重現(xiàn)實(shí)價(jià)值。展示電路性能是設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)解決這一挑戰(zhàn)的方法之一。
Power Integrations推出具有里程碑意義的1250V氮化鎵開(kāi)關(guān)IC
ECCE 2023?– 深耕于高壓集成電路高能效功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations（納斯達(dá)克股票代號(hào)：POWI）今日發(fā)布全球額定...
2023-10-31 標(biāo)簽：開(kāi)關(guān)IC氮化鎵 1.4k 0
《巴倫周刊》專(zhuān)訪納微半導(dǎo)體CEO：氮化鎵功率芯片行業(yè)將開(kāi)啟光明未來(lái)
納微半導(dǎo)體正在與特殊目的收購(gòu)公司Live Oak Acquisition Corp. II進(jìn)行合并上市流程。
2021-08-26 標(biāo)簽：氮化鎵電動(dòng)車(chē)充電器功率半導(dǎo)體 1.4k 0
蔚來(lái)增持晶湛半導(dǎo)體，或推進(jìn)氮化鎵加速“上車(chē)”
據(jù)了解，2022年，晶湛半導(dǎo)體先后完成B+輪數(shù)億元戰(zhàn)略融資和C輪數(shù)億元融資。其中，C輪融資本是由蔚來(lái)資本、美團(tuán)龍珠領(lǐng)投，華興資本旗下華興新經(jīng)濟(jì)基金、欣柯...
納微半導(dǎo)體出席小米技術(shù)demoday，共同展望氮化鎵應(yīng)用未來(lái)
全球氮化鎵功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體，在北京小米科技園舉辦的 2021 被投企業(yè) Demo Day 上，展示了下一代功率電源和手機(jī)快充產(chǎn)品。
在過(guò)去的幾十年中，全球SiC 和 GaN領(lǐng)域的特點(diǎn)是發(fā)展、行業(yè)接受度不斷提高以及有望實(shí)現(xiàn)數(shù)十億美元的收入。第一個(gè)商用 SiC 器件于 2001 年以德國(guó)...
大連理工大學(xué)發(fā)布氮化鎵氣體傳感器專(zhuān)利
該發(fā)明的核心在于一種以氮化鎵薄膜為主要材料的氣體傳感器的制備與運(yùn)用。其制法包括：首先，通過(guò)對(duì)襯底進(jìn)行鍍膜工藝生成非晶氮化鎵薄膜，然后將其加熱至特定溫度，...
納微半導(dǎo)體發(fā)布全新GaNSense? Control合封氮化鎵芯片，引領(lǐng)氮化鎵邁入集成新高度
高頻、高壓的氮化鎵+低壓硅系統(tǒng)控制器的戰(zhàn)略性集成， 實(shí)現(xiàn)易用、高效、可快速充電的電源系統(tǒng) 美國(guó)加利福尼亞州托倫斯，2023年3月20日訊 —— 唯一全面...
2023-03-28 標(biāo)簽：氮化鎵納微半導(dǎo)體 1.4k 0
QR模式一般工作在變頻模式下，根據(jù)負(fù)載大小改變變換器的頻率。當(dāng)負(fù)載變輕時(shí)，變換器的頻率會(huì)增加，以適應(yīng)輕載條件下的高效運(yùn)行。QR模式通過(guò)檢測(cè)原邊電流和電壓...
Transphorm和貿(mào)澤電子宣布達(dá)成全球分銷(xiāo)協(xié)議
Transphorm Inc.今天宣布，它已與貿(mào)澤電子（Mouser Electronics Inc.）簽署全球分銷(xiāo)協(xié)議，授權(quán)該公司在全球經(jīng)銷(xiāo)其最新的半...
具體到三星方面，在今年三月，有報(bào)道指出，三星已支出約2,000億韓元（約1.54億美元），準(zhǔn)備開(kāi)始生產(chǎn)碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體，用于電源...
2023-06-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵功率半導(dǎo)體 1.4k 0
小米11攜55W氮化鎵充電器全球上市，納微氮化鎵技術(shù)走向世界
氮化鎵（GaN）是第三代半導(dǎo)體技術(shù)，其運(yùn)行速度比舊的慢速硅（Si）快20倍，并且可以以三分之一的體積和重量，實(shí)現(xiàn)高達(dá)三倍的功率或充電速度。
2021-03-15 標(biāo)簽：充電器半導(dǎo)體技術(shù)氮化鎵 1.4k 0
作為提供不間斷連接的關(guān)鍵，許多數(shù)據(jù)中心依賴于日益流行的半導(dǎo)體技術(shù)來(lái)提高能效和功率密度。 氮化鎵技術(shù)，通常稱為 GaN，是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料，...
三星將于2025年啟動(dòng)氮化鎵功率半導(dǎo)體代工
三星啟動(dòng)氮化鎵功率半導(dǎo)體代工 三星電子近期業(yè)績(jī)壓力很大，市場(chǎng)疲軟、存儲(chǔ)芯片價(jià)格的下跌使得三星電子2023年第二季度的利潤(rùn)暴跌，根據(jù)三星電子公布的2023...
商務(wù)部、海關(guān)總署決定對(duì)鎵、鍺相關(guān)物項(xiàng)實(shí)施出口管制開(kāi)始生效
今天是2023年8月1日，是偉大的中國(guó)人民解放軍的建軍節(jié)，也是中華人民共和國(guó)經(jīng)國(guó)務(wù)院批準(zhǔn)，商務(wù)部、海關(guān)總署決定對(duì)鎵、鍺相關(guān)物項(xiàng)實(shí)施出口管制開(kāi)始生效的日子...
國(guó)星半導(dǎo)體氮化鎵專(zhuān)利已申請(qǐng)200多篇 正積極進(jìn)行第三代半導(dǎo)體相關(guān)的技術(shù)儲(chǔ)備
近日，國(guó)星光電在深交所互動(dòng)易平臺(tái)上回答了投資者的問(wèn)題時(shí)表示，硅基AlGaN垂直結(jié)構(gòu)近紫外大功率LED外延、芯片與封裝研究及應(yīng)用”及公司參與申報(bào)的“彩色M...
譽(yù)鴻錦半導(dǎo)體媒體開(kāi)放日，現(xiàn)場(chǎng)見(jiàn)證Super IDM產(chǎn)業(yè)效率革命
譽(yù)鴻錦半導(dǎo)體在10月27日舉辦“媒體開(kāi)放日”活動(dòng)，就兩周前行業(yè)發(fā)布會(huì)上提出的”SuperIDM“做了現(xiàn)場(chǎng)產(chǎn)線展示和上下游產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)詳解。多家半導(dǎo)體行業(yè)資...
意法半導(dǎo)體推出靈活多變的同步整流控制器，提高硅基或氮化鎵功率轉(zhuǎn)換器能效
有助于簡(jiǎn)化工業(yè)電源、便攜式設(shè)備充電器和交流/直流適配器操作，節(jié)省電能 ? 2024 年 3 月 7 日，中國(guó) ——意法半導(dǎo)體 SRK1004 同步整流控...
2024-03-11 標(biāo)簽：意法半導(dǎo)體氮化鎵 1.4k 0
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