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碳化硅

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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。

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碳化硅技術(shù)

碳化硅功率器件的工作原理和性能優(yōu)勢(shì)

隨著全球能源結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)變和可再生能源的普及，電力電子技術(shù)在現(xiàn)代社會(huì)中的作用日益凸顯。作為電力電子技術(shù)的關(guān)鍵元件，功率器件的性能直接影響著能源轉(zhuǎn)換和使用的效...

2024-02-25 標(biāo)簽：晶體管功率器件碳化硅 2.1k 0

碳化硅功率器件的特點(diǎn)和應(yīng)用

隨著全球能源危機(jī)和環(huán)境問(wèn)題的日益突出，高效、環(huán)保、節(jié)能的電力電子技術(shù)成為了當(dāng)今研究的熱點(diǎn)。在這一領(lǐng)域，碳化硅（SiC）功率器件憑借其出色的物理性能和電學(xué)...

2024-02-22 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件碳化硅 1.7k 0

簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)碳化硅功率器件

隨著能源危機(jī)和環(huán)境污染日益加劇，電力電子技術(shù)在能源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛。碳化硅（SiC）功率器件作為第三代半導(dǎo)體材料的代表，具有...

2024-02-21 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件碳化硅 2.2k 0

晶體制備技術(shù)：碳化硅襯底成本降低的關(guān)鍵路徑

液相法的核心在于使用石墨坩堝作為反應(yīng)器，通過(guò)在熔融純硅中加入助溶劑，提高其對(duì)碳的溶解度。在坩堝靠近壁面的高溫區(qū)域，碳溶解于熔融硅中

2024-02-20 標(biāo)簽：SiC 半導(dǎo)體器件碳化硅 1.6k 0

TaC涂層石墨件的應(yīng)用與研發(fā)難點(diǎn)都有哪些呢？

以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料具有優(yōu)異的光電轉(zhuǎn)換和微波信號(hào)傳輸能力，能滿足高頻、高溫、大功率和抗輻射電子器件的需求。

2024-02-20 標(biāo)簽：新能源汽車半導(dǎo)體光電轉(zhuǎn)換 6.6k 0

全碳化硅直流充電設(shè)備技術(shù)研究案例

圍繞碳化硅功率器件高頻率、高耐壓、耐高溫的性能,提出一套適用于新能源汽車直流充電設(shè)備的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)方案,

2024-02-20 標(biāo)簽：新能源汽車功率器件碳化硅 1.2k 0

碳化硅發(fā)展生逢其時(shí)

*文末有禮碳化硅（SiC) 正在改變?nèi)祟惸茉纯刂坪娃D(zhuǎn)換的方式，帶來(lái)一場(chǎng)顛覆性變革。電動(dòng)汽車、可再生能源、儲(chǔ)能和不間斷電源等許多應(yīng)用都能通過(guò)SiC實(shí)現(xiàn)性...

2024-03-04 標(biāo)簽：晶圓 SiC 碳化硅 1.7k 0

具有低導(dǎo)通電阻的GaN-on-SiC肖特基勢(shì)壘二極管設(shè)計(jì)

北京工業(yè)大學(xué)和中國(guó)北京大學(xué)報(bào)道了碳化硅襯底（GaN/SiC）上由氮化鎵制成的全垂直結(jié)構(gòu)肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）的性能

2024-02-19 標(biāo)簽：SBD SiC GaN 3k 0

SiC功率元器件特征有哪些

碳化硅（SiC）功率元器件是一種半導(dǎo)體器件，具有許多獨(dú)特的特性，使其在高性能電力電子應(yīng)用中具有優(yōu)勢(shì)。以下是SiC功率元器件的一些主要特征：碳化硅（Si...

2024-02-04 標(biāo)簽：功率器件 SiC 碳化硅 1.7k 0

淺談碳化硅功率半導(dǎo)體生產(chǎn)流程

碳化硅功率半導(dǎo)體生產(chǎn)流程主要包括前道的晶圓加工，包括長(zhǎng)晶、切割、研磨拋光、沉積外延；第二部分芯片加工，這部分跟硅基IGBT類似。

2024-01-25 標(biāo)簽：晶圓功率半導(dǎo)體碳化硅 3.1k 0

深度解讀第三代半導(dǎo)體—碳化硅

碳化硅（SiC）是由碳元素和硅元素組成的一種化合物半導(dǎo)體材料，是制作高溫、高頻、大功率、高壓器件的理想材料之一。

2024-01-24 標(biāo)簽：二極管 MOSFET 半導(dǎo)體 7.1k 0

碳化硅晶片的化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)研究

為實(shí)現(xiàn)碳化硅晶片的高效低損傷拋光，提高碳化硅拋光的成品率，降低加工成本，對(duì)現(xiàn)有的碳化硅化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)進(jìn)行了總結(jié)和研究。針對(duì)碳化硅典型的晶型結(jié)構(gòu)及其微...

2024-01-24 標(biāo)簽：SiC 晶片碳化硅 4.5k 0

一文詳解MEMS高溫壓力傳感器

高溫壓力傳感器廣泛應(yīng)用于工業(yè)、航空航天等領(lǐng)域，用來(lái)監(jiān)測(cè)航空發(fā)動(dòng)機(jī)、重型燃?xì)廨啓C(jī)、燃煤燃?xì)忮仩t等動(dòng)力設(shè)備燃燒室內(nèi)的壓力，耐高溫和高可靠性是對(duì)其最基本的要求。

2024-01-23 標(biāo)簽：多晶硅 mems 壓力傳感器 7.3k 0

碳化硅的激光切割技術(shù)介紹

晶片切割是半導(dǎo)體器件制造的關(guān)鍵步驟，切割方式和質(zhì)量直接影響晶片的厚度、表面光滑度、尺寸和生產(chǎn)成本，同時(shí)對(duì)器件制造也有重大影響。碳化硅作為第三代半導(dǎo)體材料...

2024-01-23 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶片激光切割技術(shù) 8k 0

SiC碳化硅MOSFET的應(yīng)用及性能優(yōu)勢(shì)

碳化硅是第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基礎(chǔ)材料，碳化硅功率器件以其優(yōu)異的耐高壓、耐高溫、低損耗等性能，能夠有效滿足電力電子系統(tǒng)的高效率、小型化和輕量化要求。

2024-01-20 標(biāo)簽：新能源汽車 MOSFET 晶體管 2.4k 0

半導(dǎo)體襯底材料的選擇

電子科技領(lǐng)域中，半導(dǎo)體襯底作為基礎(chǔ)材料，承載著整個(gè)電路的運(yùn)行。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展，對(duì)半導(dǎo)體襯底材料的選擇和應(yīng)用要求也越來(lái)越高。本文將為您詳細(xì)介紹半導(dǎo)體襯...

2024-01-20 標(biāo)簽：半導(dǎo)體襯底碳化硅 3.8k 0

100kW碳化硅三相并網(wǎng)逆變器設(shè)計(jì)

摘要：隨著人們環(huán)保意識(shí)的不斷提高，傳統(tǒng)的化石能源越來(lái)越無(wú)法滿足人們的要求，以太陽(yáng)能為代表的可再生新能源逐漸引起人們的關(guān)注。而并網(wǎng)逆變器作為新能源與電網(wǎng)連...

2024-01-19 標(biāo)簽：逆變器 IGBT 晶體管 4.5k 0

碳化硅晶片為什么存在C面和Si面

SiC是一種Si元素和C元素以1:1比例形成的二元化合物，即百分之五十的硅（Si）和百分之五十的碳（C），其基本結(jié)構(gòu)單元為 Si-C 四面體。

2024-01-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 晶片 4.9k 0

碳化硅功率器件的應(yīng)用與市場(chǎng)前景

碳化硅（SiC）作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高電子飽和漂移速率和高熱導(dǎo)率等優(yōu)異性能，使其在功率器件領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。本文將對(duì)碳化硅功...

2024-01-17 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件 SiC 1.6k 0

碳化硅單晶襯底的常用檢測(cè)技術(shù)

碳化硅（SiC）作為第三代半導(dǎo)體材料，因其寬禁帶寬度、高擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度和高熱導(dǎo)率等優(yōu)異性能，在眾多高端應(yīng)用領(lǐng)域表現(xiàn)出色，已成為半導(dǎo)體材料技術(shù)的重要發(fā)展方向...

2024-01-17 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶體管 SiC 5.2k 0

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從背景上看，28nm誕生于2008年那場(chǎng)金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營(yíng)資金壓力，將更多的資源集中到相對(duì)投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
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　　柵極驅(qū)動(dòng)器是一個(gè)用于放大來(lái)自微控制器或其他來(lái)源的低電壓或低電流的緩沖電路。在某些情況下，例如驅(qū)動(dòng)用于數(shù)字信號(hào)傳輸?shù)倪壿嬰娖骄w管時(shí)，使用微控制器輸出不會(huì)損害應(yīng)用的效率、尺寸或熱性能。在高功率應(yīng)用中，微控制器輸出通常不適合用于驅(qū)動(dòng)功率較大的晶體管。
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深圳市華星光電技術(shù)有限公司（以下簡(jiǎn)稱華星光電）是2009年11月16日成立的一家高新科技企業(yè)，公司注冊(cè)資本183.4億元，投資總額達(dá)443億元，是深圳市建市以來(lái)單筆投資額最大的工業(yè)項(xiàng)目，也是深圳市政府重點(diǎn)推動(dòng)的項(xiàng)目。
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驍龍是Qualcomm Technologies（美國(guó)高通）旗下移動(dòng)處理器和LTE調(diào)制解調(diào)器的品牌名稱。
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ARM，其中ARM7，9，10是公開的32位處理器內(nèi)核，很多公司都有基于ARM的單片機(jī)產(chǎn)品。目前國(guó)內(nèi)應(yīng)用最廣泛的所三星和菲利普。
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　　Cortex-A 系列處理器是一系列處理器，支持ARM32或64位指令集，向后完全兼容早期的ARM處理器，包括從1995年發(fā)布的ARM7TDMI處理器到2002年發(fā)布的ARMll處理器系列。
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壓電力顯微鏡（PFM）即是在AFM基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)利用原子力顯微鏡導(dǎo)電探針檢測(cè)樣品的在外加激勵(lì)電壓下的電致形變量的顯微鏡。為了有效的提取出PFM信號(hào)，通常會(huì)對(duì)探針施加某一固定頻率（遠(yuǎn)低于探針共振頻率）的激勵(lì)信號(hào)，通過(guò)鎖相放大器對(duì)PFM信號(hào)進(jìn)行提取。
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超極本Ultrabook是英特爾繼UMPC、MID、上網(wǎng)本netbook、Consumer Ultra Low Voltage超輕薄筆記本之后，定義的全新品類筆記本產(chǎn)品，集成了平板電腦的應(yīng)用特性與PC的性能，超極本是完整的電腦。

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