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標簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。
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“我們開發(fā)了一款 800 伏的碳化硅逆變器，它能夠為汽車牽引傳動應用提供高達 600 千瓦的峰值功率。在這一開發(fā)過程中，我們所采用的工作流和工具鏈方法得...
碳化硅襯底市場群雄逐鹿 碳化硅襯底制備環(huán)節(jié)流程
全球碳化硅產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)明顯的行業(yè)上下游收購兼并、大廠積極布局的特征。襯底作為碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中的核心環(huán)節(jié)，已成為兵家必爭之地。
第三代半導體性能優(yōu)越，應用場景更廣。半導體材料作為電子信息技術發(fā)展的 基礎，經(jīng)歷了數(shù)代的更迭。隨著應用場景提出更高的要求，以碳化硅、氮化鎵為代 表的第三...
在逆變器、電機驅動器和電池充電器等應用中，碳化硅（SiC）器件具有更高的功率密度、更低的冷卻要求和更低的整體系統(tǒng)成本等優(yōu)勢。
碳化硅（SiC）功率器件已經(jīng)被廣泛應用于服務器電源、儲能系統(tǒng)和光伏逆變器等領域。近些年來，汽車行業(yè)向電力驅動的轉變推動了碳化硅（SiC）應用的增長， 也...
汽車碳化硅技術是一種利用碳化硅材料制造出的汽車零部件，它具有較高的強度、輕量、耐磨性和耐腐蝕性。碳化硅材料是由碳原子和硅原子組成的復合材料，具有良好...
Lattice Parameters：晶格參數(shù)。確保襯底的晶格常數(shù)與將要生長的外延層相匹配，以減少缺陷和應力。
SiC（碳化硅）是一種由硅（Si）和碳（C）組成的化合物半導體材料。表1-1顯示了每種半導體材料的電氣特性。SiC具有優(yōu)異的介電擊穿場強（擊穿場）和帶隙...
本文介紹了激光在碳化硅（SiC）半導體晶圓制程中的應用，概括講述了激光與碳化硅相互作用的機理，并重點對碳化硅晶圓激光標記、背金激光表切去除、晶粒隱切分片...
碳化硅（SiC）在大口徑光學反射鏡上的應用，主要得益于其高比剛度、優(yōu)異熱穩(wěn)定性和寬光譜響應等特性，成為空間觀測、深空探測等領域的核心材料。以下是關鍵應用...
SiC碳化硅的崛起：現(xiàn)代戶用混合逆變器拓撲、趨勢及器件級集成技術解析
傾佳電子SiC碳化硅的崛起：現(xiàn)代戶用混合逆變器拓撲、趨勢及器件級集成技術解析 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導體和新能源汽車連接...
碳化硅MOSFET在新能源行業(yè)有怎樣的應用和發(fā)展
在碳化硅電力電子器件的研究中，SiC-MOSFET是最受關注的器件。在Si材料接近理論性能極限的今天，SiC功率器件由于具有耐壓高、損耗低、效率高等特點...
在電驅最重要的“動力”屬性上，目前大多數(shù)的電車都存在動力過?，F(xiàn)象，以36w+的特斯拉 Model3P 為例，加速可以秒掉200w左右的性能油車，3w的宏...
SiC電力電子器件中，SiC二極管最先實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化。2001年德國Infineon公司率先推出SiC二極管產(chǎn)品，美國Cree和意法半導體等廠商也緊隨其后推...
2016-08-22 標簽：碳化硅 2.6k 0
摘要 本發(fā)明提供一種能夠提供低位錯缺陷的高質量襯底的單晶碳化硅錠，和由此獲得的襯底和外延晶片。 它是一種包含單晶碳化硅的單晶碳化硅錠，該單晶碳化硅含有濃...
Wolfspeed采用TOLL封裝的碳化硅MOSFET產(chǎn)品介紹
Wolfspeed 采用 TOLL 封裝的碳化硅 MOSFET 產(chǎn)品組合豐富，提供優(yōu)異的散熱，極大簡化了熱管理。
碳化硅作為一種寬禁帶半導體材料，與傳統(tǒng)的硅基器件相比，具有更優(yōu)越的性能。碳化硅的寬禁帶(3.26eV)、高臨界場(3×106V/cm)和高導熱系數(shù)(...
今天想抽出點時間來聊一下復合器件（Si IGBT + SiC MOSFET），我也不太清楚這個中文名字應該叫什么，文獻里都叫做Hybrid switch...
一種是通過生長碳化硅同質外延，下游用于新能源汽車、光伏、工控、軌交等功率領域的導電型襯底，外延層上制造各類功率器件； 另一種是通過生長氮化鎵異質外延...
歷經(jīng)Formula E三季的磨礪，羅姆SiC功率元器件與文圖瑞車隊一同走過了怎樣的歷程？在香港站文圖瑞車隊勇奪冠軍，這背后離不開技術人員的默默付出。
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