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標簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。
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碳化硅襯底和外延片是半導體產(chǎn)業(yè)鏈中的兩個關鍵組件，盡管兩者均由碳化硅材料構成，但在功能定位、制備工藝及應用場景等方面存在顯著差異。以下是具體分析：定義與...
多晶碳化硅和非晶碳化硅在薄膜沉積方面各具特色。多晶碳化硅以其廣泛的襯底適應性、制造優(yōu)勢和多樣的沉積技術而著稱;而非晶碳化硅則以其極低的沉積溫度、良好的化...
碳化硅是一種半導體材料，它具有優(yōu)異的電子特性，可以用于制造電子器件。它是由碳原子和硅原子組成的，具有高熔點、高熱穩(wěn)定性和高電阻率等特性。
在追求能源效率和對高性能電力電子系統(tǒng)的需求不斷增長的今天，碳化硅（SiC）功率器件憑借其卓越的電氣性能和熱穩(wěn)定性，正在變革傳統(tǒng)功率電子技術。
作為“二十世紀最重要的新四大發(fā)明”之一，半導體的重要性不言而喻。從電子產(chǎn)品到航空航天，從人工智能到生物醫(yī)學，半導體無處不在，深刻地塑造著我們生活的方方面面。
中等功率應用是Wolfspeed WolfPACK功率模塊“最理想的應用場合”
經(jīng)過 30 多年的碳化硅（SiC）研發(fā)，我們目前的產(chǎn)品組合中包含各種 SiC 肖特基二極管、MOSFET 和功率模塊，涵蓋了廣泛的功率要求。相較于硅（S...
2023-05-20 標簽：轉(zhuǎn)換器晶體管碳化硅 2.4k 0
眾所周知，對于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)來說，高質(zhì)量的襯底可以從外部購買得到，高質(zhì)量的外延片也可以從外部購買到，可是這只是具備了獲得一個...
碳化硅是第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基礎材料，碳化硅功率器件以其優(yōu)異的耐高壓、耐高溫、低損耗等性能，能夠有效滿足電力電子系統(tǒng)的高效率、小型化和輕量化要求。
在電動車發(fā)展的過程當中，充電和換電是兩個同時存在的方案。車載充電OBC可以通過兩相或三相電給汽車充電，但其無法滿足快充的需求。現(xiàn)在充電樁發(fā)展迅速，已經(jīng)有...
摘要：通過調(diào)節(jié)中頻感應線圈的輸出功率來改變碳化硅升華生長坩堝的加熱溫度，并采用 NaCl 和 Al2O3 進行燒結實驗，觀察不同輸出功率下燒結后的形貌變...
SiC器件的市場份額預計將在未來幾年加速增長，主要推動因素是運輸行業(yè)的電氣化。SiC管芯將成為車載充電器和動力傳動牽引系統(tǒng)等應用的模塊中的基本構件。
理想比導通電阻的一個關系式，其中WD是滿足所需擊穿電壓BV的漂移區(qū)的厚度，q是電子電荷，ND是漂移區(qū)的摻雜濃度，μn是電子遷移率，εn是半導體介電常數(shù)，...
在切割脆性 SiC 晶片時，必須減少或完全消除機械鋸切的邊緣崩裂現(xiàn)象。單晶切割還應將材料的機械變化降至最低。同時還應優(yōu)先考慮最大限度地減小切口寬度，以限...
碳化硅和氮化鎵是寬帶隙(WBG)半導體，也是被認為要求更高功率和更高溫度的電力電子應用最佳材料。由于這些WBG半導體具有優(yōu)異的性能，如寬禁帶(>3...
小到電動工具、割草機，大到叉車、托盤車及自動導引車等物料搬運設備，電池供電設備正日益成為工業(yè)和建筑領域的理想選擇。
碳化硅（SiC）是一種寬禁帶半導體材料，由于其優(yōu)于傳統(tǒng)硅的性能，在電力電子行業(yè)中越來越受歡迎。
碳化硅材料在功率器件中的優(yōu)勢碳化硅（SiC）作為第三代化合物半導體材料，相較于傳統(tǒng)硅基器件，展現(xiàn)出了卓越的性能。SiC具有高禁帶寬度、高熱導率、高的擊穿...
電感是導體的一種特性，會阻礙電流的變化。電感阻礙電流的變化并不會消耗電能，而是以磁場/電磁感應的方式存儲釋放能量，以達到阻礙電流變化的目的。
碳化硅器件制造環(huán)節(jié)與硅基器件的制造工藝流程大體類似，主要包括光刻、清洗、摻雜、蝕刻、成膜、減薄等工藝。不少功率器件制造廠商在硅基制造流程基礎上進行產(chǎn)線升...
當充電樁向高壓架構發(fā)展的趨勢越來越明顯，高性能MOSFET的需求也越來越大，通過改進器件結構的超級結MOSFET應運而生了。
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