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標簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。
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摘要：碳化硅(SiC)功率模塊在電動汽車驅動系統(tǒng)中起著至關重要的作用。為了提高功率模塊的性能、減小體積、提高生產(chǎn)效率，本文提出了一種基于多堆疊直接鍵合銅...
Nexperia與京瓷AVX合作為高頻電源應用生產(chǎn)新型碳化硅(SiC)整流器模塊
Nexperia與KYOCERA AVX Components(薩爾茨堡)合作，為高頻電源應用生產(chǎn)新型碳化硅(SiC)整流器模塊。新型功率器件專為工業(yè)電...
SiC(碳化硅)功率器件正逐漸成為現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中的重要技術，其相較于傳統(tǒng)的硅(Si)器件，特別是在高功率、高效率和高頻率應用中的優(yōu)勢日益顯現(xiàn)。Wol...
碳化硅MOS驅動電壓選擇15V還是18V，是電力電子設計中的關鍵權衡問題。這兩種電壓對器件的導通損耗、開關特性、熱管理和系統(tǒng)可靠性有顯著影響。
碳化硅功率器件主要包括碳化硅二極管（SiC Diode）、碳化硅晶體管（SiC Transistor）等。這些器件通過利用碳化硅材料的優(yōu)良特性，可以在更...
SiC的導熱性比Si好近3.5倍，使其每單位面積可以耗散更多的功率（熱量）。雖然封裝可能是連續(xù)運行期間的限制因素，但SiC提供的顯著額外裕量為易受瞬態(tài)熱...
碳化硅（SiC）技術比傳統(tǒng)硅（Si）、絕緣柵雙極晶體管（IGBT）和其他技術更具優(yōu)勢，包括更高的開關頻率、更低的工作溫度、更高的電流和電壓容量以及更低的...
SiC相較于Si的優(yōu)勢是什么？碳化硅的實際應用優(yōu)勢
如今，大多數(shù)半導體都是以硅（Si）為基材料，但近年來，一個相對新的半導體基材料正成為頭條新聞。這種材料就是碳化硅，也稱為SiC。目前，SiC主要應用于M...
碳化硅，是一種無機物，化學式為SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在...
碳化硅 （SiC） 是一種成熟的器件技術，在 900 V 至 1，200 V 以上的高壓、高開關頻率應用中，與硅 （Si） 技術（包括硅超結 （SJ） ...
碳化硅功率器件是一種利用碳化硅材料制作的功率半導體器件，具有高溫、高頻、高效等優(yōu)點，被廣泛應用于電力電子、新能源等領域。下面介紹一些碳化硅功率器件的基礎知識。
芯片表面一般是如圖二所示，由源極焊盤(Source pad)，柵極焊盤(Gate Pad)和開爾文源極焊盤(Kelvin Source Pad)構成。
SiC是碳化硅的縮寫。它是一種由硅原子和碳原子組成的化合物。碳化硅以其優(yōu)異的性能著稱，是一種用途廣泛的材料。
針對整車發(fā)動機艙裝配空間有限的痛點，HEM系列控制器基于并聯(lián)模組一體化集成設計，應用注塑銅排，減少絕緣空間占用，結構更加緊湊，實現(xiàn)高功率密度。
過去十年，碳化硅(SiC)功率器件因其在功率轉換器中的高功率密度和高效率而備受關注。制造商們已經(jīng)開始采用碳化硅技術來開發(fā)基于各種半導體器件的功率模塊，如...
Si-Si鍵能大小為 310 kJ/mol，可以理解鍵能是把這兩個原子拉開的力度，鍵能越大，需要拉開的力越大。 Si-C鍵原子間距為 1.89 ?，...
隨著科技的快速發(fā)展，碳化硅（SiC）功率器件作為一種先進的電力電子設備，已經(jīng)廣泛應用于能源轉換、電機控制、電網(wǎng)保護等多個領域。本文將詳細介紹碳化硅功率器...
碳化硅(SiC)是一種由硅(Si)和碳(C)組成的半導體化合物，屬于寬帶隙(WBG)材料系列。它的物理結合力非常強，使半導體具有很高的機械、化學和熱穩(wěn)定性。
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