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標簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。
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深入對比SiC MOSFET vs Qorvo SiC FET
眾多終端產品制造商紛紛選擇采用SiC技術替代硅基工藝,來開發(fā)基于雙極結型晶體管(BJT)、結柵場效應晶體管(JFET)、金屬氧化物半導體場效應晶體管(M...
Littelfuse新型1300V A5A溝槽分立式IGBT在電動汽車中的應用
Littelfuse推出新型1300V A5A溝槽分立式IGBT,專為800V電動汽車(BEV)應用而設計。這些IGBT具有優(yōu)化的集電極-發(fā)射極飽和電壓...
2025-04-09 標簽:電動汽車IGBTLittelfuse 2.2k 0
隨著能源危機和環(huán)境污染日益加劇,電力電子技術在能源轉換、電機驅動、智能電網等領域的應用日益廣泛。碳化硅(SiC)功率器件作為第三代半導體材料的代表,具有...
onsemi NXH015F120M3F1PTG 碳化硅功率模塊技術解析
安森美 (onsemi) NXH015F120M3F1PTG碳化硅 (SiC) 模塊采用15mΩ/1200V M3S碳化硅 (SiC) MOSFET全橋...
青銅劍技術基于二代ASIC芯片即插即用的驅動器6CP0215T12-A11
6CP0215T12-A11是專門針對1200V及以下電壓等級HPD封裝碳化硅MOSFET模塊設計的六通道、緊湊型驅動器,可直接焊接在模塊上,即插即用無...
【新啟航】碳化硅 TTV 厚度測量中的各向異性效應及其修正算法
一、引言 碳化硅(SiC)憑借優(yōu)異的物理化學性能,成為功率半導體器件的核心材料??偤穸绕睿═TV)作為衡量 SiC 襯底質量的關鍵指標,其精確測量對器...
寬帶隙半導體使許多以前使用硅(Si)無法實現的高功率應用成為可能。本博客比較了兩種材料的特性,并說明了為什么碳化硅二極管(SiC)在多個指標上具有明顯的優(yōu)勢。
中國碳化硅襯底價格2024年快速滑落 800V的春天看來要到了
國際半導體IDM廠商,如意法半導體、英飛凌、安森美、羅姆電子等,在中國市場仍然占據碳化硅元件的重要地位。消息人士補充,外國汽車品牌或與中國合資的汽車品牌...
交通應用中電氣化的趨勢導致了高功率密度電力電子轉換器的快速發(fā)展。高開關頻率和高溫操作是實現這一目標的兩個關鍵因素。
碳化硅(SiC)是一種陶瓷材料,出于半導體應用的目的,通常以單晶形式生長。其固有的材料特性,加上作為單晶生長,使其成為市場上最耐用的半導體材料之一。這種...
SiC(碳化硅)是一種由Si(硅)和C(碳)構成的化合物半導體材料。 不僅絕緣擊穿場強是Si的10倍,帶隙是Si的3倍,而且在器件制作時可以在較寬范圍內...
電子器件的使用環(huán)境逐漸惡劣,航空航天、石油探測領域前景廣闊,在熱導率、擊穿場等上的要求更高,那么以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為主的第三代半導體材...
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