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標(biāo)簽 > 碳化硅

碳化硅

碳化硅

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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物,莫桑石。

文章:3001個(gè) 瀏覽:52703 帖子:39個(gè)

碳化硅技術(shù)

碳化硅二極管是什么意思 碳化硅二極管如何測(cè)量好壞

  碳化硅二極管是用碳化硅為原料制作而成的二極管。碳化硅二極管,號(hào)稱(chēng)反向恢復(fù)時(shí)間為零,是高效PFC boost電路的專(zhuān)用升壓二極管。以碳化硅二極管為代表...

2023-02-10 標(biāo)簽:二極管半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)電源 4k 0

碳化硅二極管的區(qū)別和用途

碳化硅二極管的區(qū)別和用途

隨著終端應(yīng)用電子架構(gòu)復(fù)雜程度提升,硅基器件物理極限無(wú)法滿(mǎn)足部分高壓、高溫、高頻及低功耗的應(yīng)用要求。近 20 多年來(lái),以碳化硅(silicon carb...

2023-02-10 標(biāo)簽:功率器件SiC碳化硅 1.7k 0

惡劣環(huán)境電力電子系統(tǒng)中碳化硅功率半導(dǎo)體器件應(yīng)用

近年來(lái),隨著功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展,功率器件封測(cè)設(shè)備和材料在整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈的作用越來(lái)越重要,國(guó)內(nèi)也涌現(xiàn)出了一大批優(yōu)秀企業(yè)。

2023-02-10 標(biāo)簽:電力電子功率器件碳化硅 1.1k 0

什么是碳化硅?碳化硅的拋光方法主要有哪些?

碳化硅(SiC)材料是功率半導(dǎo)體行業(yè)主要進(jìn)步發(fā)展方向,用于制作功率器件,可顯著提高電能利用率。

2023-02-10 標(biāo)簽:功率器件SiCCMP 4k 0

氮化鎵晶體管的結(jié)構(gòu)及優(yōu)缺點(diǎn)

氮化鎵晶體管的結(jié)構(gòu)及優(yōu)缺點(diǎn)

  氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET是近兩三年來(lái)新興的功率半導(dǎo)體,相比于傳統(tǒng)的硅材料功率半導(dǎo)體,他們都具有許多非常優(yōu)異的特性:耐壓高,導(dǎo)通電阻小,寄生參...

2023-02-09 標(biāo)簽:MOSFET晶體管氮化鎵 7.9k 0

碳化硅應(yīng)該做IDM嗎

碳化硅應(yīng)該做IDM嗎

今天看到一家剛成立3年,專(zhuān)做化合物半導(dǎo)體外延的公司獲得3億元A輪融資。該公司專(zhuān)門(mén)生產(chǎn)碳化硅及氮化鎵相關(guān)外延片,同時(shí)提供包含GaN on Silicon、...

2023-02-09 標(biāo)簽:半導(dǎo)體氮化鎵碳化硅 1k 0

聊一聊碳化硅的下一波的制造、供應(yīng)鏈和成本

 毛里齊奧·迪·保羅·埃米利奧:好的。所以今天,我們就來(lái)聊聊SiC,下一波SiC在制造、供應(yīng)鏈、成本等方面。

2023-02-09 標(biāo)簽:碳化硅 1.4k 0

SIC碳化硅SIC二極管器件的作用與發(fā)展趨勢(shì)

碳化硅材料以其優(yōu)異的性能被行業(yè)列為第三代半導(dǎo)體材料,其擊穿場(chǎng)強(qiáng)是硅的10倍,熱導(dǎo)率是硅的2.5倍。用碳化硅材料制作的MOS器件可在大于200度的高溫環(huán)境...

2023-02-09 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料碳化硅MOS器件 1.6k 0

碳化硅二極管的特點(diǎn)

碳化硅二極管的特點(diǎn)

碳化硅二極管具有較短的恢復(fù)時(shí)間、溫度針對(duì)電源開(kāi)關(guān)個(gè)人行為的危害較小、規(guī)范操作溫度范疇為-55℃到175℃,那樣更平穩(wěn),還大幅度降低熱管散熱器的要求。碳化...

2023-02-09 標(biāo)簽:二極管散熱器碳化硅 1.4k 0

大功率碳化硅二極管的應(yīng)用

大功率碳化硅二極管的應(yīng)用

由于碳化硅材料的帶隙很寬(4H型碳化硅在室溫下約為3.26eV),碳化硅器件能夠在很高的溫度下工作而不至于因?yàn)楸菊鬏d流子激發(fā)導(dǎo)致器件性能失效。碳化硅材料...

2023-02-09 標(biāo)簽:電場(chǎng)碳化硅大功率器件 1.2k 0

碳化硅肖特基二極管的特點(diǎn)

碳化硅的能帶間隔為硅的2.8倍(寬禁帶),達(dá)到3.09電子伏特。其絕緣擊穿場(chǎng)強(qiáng)為硅的5.3倍,高達(dá)3.2MV/cm,其導(dǎo)熱率是硅的3.3倍,為49w/c...

2023-02-09 標(biāo)簽:二極管半導(dǎo)體碳化硅 1.3k 0

碳化硅二極管反向恢復(fù)原理詳解

碳化硅二極管反向恢復(fù)原理詳解

  碳化硅二極管是單極器件,因此與傳統(tǒng)的硅快速恢復(fù)二極管(硅FRD)相比,碳化硅二極管具有理想的反向恢復(fù)特性。當(dāng)器件從正向切換到反向阻斷方向時(shí),幾乎沒(méi)有...

2023-02-08 標(biāo)簽:二極管功率二極管電流 4.2k 0

碳化硅二極管的應(yīng)用及作用

  碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,與傳統(tǒng)的硅基器件相比,具有更優(yōu)越的性能。碳化硅的寬禁帶(3.26eV)、高臨界場(chǎng)(3×106V/cm)和高導(dǎo)熱系數(shù)(...

2023-02-07 標(biāo)簽:二極管半導(dǎo)體功率器件 2.6k 0

在半導(dǎo)體行業(yè)中碳化硅有哪些應(yīng)用呢?

碳化硅(SiC)又叫金剛砂,它是用石英砂、石油焦、木屑、食鹽等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成,其實(shí)碳化硅很久以前就被發(fā)現(xiàn)了

2023-02-07 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiC碳化硅 3.4k 0

SiC模塊的特征和電路構(gòu)成

SiC模塊的特征和電路構(gòu)成

1. SiC模塊的特征 大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開(kāi)始出售搭載了SiC-MOS...

2023-02-07 標(biāo)簽:功率器件SiC碳化硅 1.7k 0

SiC SBD器件結(jié)構(gòu)和特征

1. 器件結(jié)構(gòu)和特征 SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD(肖特基勢(shì)壘二極管)結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管(Si的SBD最高耐壓為200V左右)。 因...

2023-02-07 標(biāo)簽:功率器件SiC碳化硅 1.5k 0

SiC的物性和特征

SiC(碳化硅)是一種由Si(硅)和C(碳)構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。 不僅絕緣擊穿場(chǎng)強(qiáng)是Si的10倍,帶隙是Si的3倍,而且在器件制作時(shí)可以在較寬范圍內(nèi)...

2023-02-07 標(biāo)簽:功率器件SiC碳化硅 2.1k 0

800V車(chē)規(guī)碳化硅功率模塊襯底和外延epi分析和介紹

厚度以及一致性 摻雜和一致性 表面缺陷快速檢測(cè)和標(biāo)識(shí)追蹤能力 底部缺陷快速檢測(cè)和標(biāo)識(shí)追蹤能力 控制擴(kuò)展缺陷 清洗 大尺寸的晶圓翹曲度的控制

2023-02-07 標(biāo)簽:MOSFET功率模塊碳化硅 1.7k 0

基本半導(dǎo)體之碳化硅MOSFET和充電樁詳解

交流充電樁:本質(zhì)是一個(gè)帶控制的插座,主要包含交流電表、控制主板、顯示屏、急停旋鈕、 交流接觸器、充電槍線(xiàn)等結(jié)構(gòu),結(jié)構(gòu)較為簡(jiǎn)單,需要車(chē)載充電機(jī)自己進(jìn)行變壓...

2023-02-07 標(biāo)簽:MOSFET充電樁碳化硅 3.3k 0

氮化鎵的應(yīng)用及如何制備

進(jìn)入90年代以后,第二代半導(dǎo)體砷化鎵、磷化銦等具有高遷移率的半導(dǎo)體材料逐漸出現(xiàn),使得有線(xiàn)通訊技術(shù)迅速發(fā)展。隨后在本世紀(jì)初,碳化硅,氮化鎵等具有寬禁帶的第...

2023-02-06 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料氮化鎵碳化硅 3.7k 0

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    Arduino
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    28nm
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    從背景上看,28nm誕生于2008年那場(chǎng)金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響,當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是,在這之后的幾年,包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營(yíng)資金壓力,將更多的資源集中到相對(duì)投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
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    TI公司
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    TI是富有遠(yuǎn)見(jiàn)的企業(yè),我們是敢于開(kāi)拓的創(chuàng)新者。作為一個(gè)業(yè)務(wù)運(yùn)營(yíng)覆蓋 35 個(gè)國(guó)家的全球性半導(dǎo)體企業(yè),員工是我們的立足之本。德州儀器(TI)的員工是我們深厚的企業(yè)文化的重要體現(xiàn)。無(wú)論是1958年第一位發(fā)明集成電路的TI員工,還是如今遍布全球負(fù)責(zé)設(shè)計(jì)、制造以及銷(xiāo)售模擬與嵌入式處理芯片的30,000多名TI成員。 TI是一家全球性半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與制造公司:業(yè)務(wù)覆蓋超過(guò)35個(gè)國(guó)家、服務(wù)全球各地超過(guò)10萬(wàn)家客戶(hù)、擁有85年的創(chuàng)新歷史、超過(guò)10萬(wàn)種模擬集成電路、嵌入式處理器以及軟件和工具。
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    提供最新的羅姆公司產(chǎn)品,最活躍的羅姆工程師社區(qū)
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    華星光電
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      Cortex-A 系列處理器是一系列處理器,支持ARM32或64位指令集,向后完全兼容早期的ARM處理器,包括從1995年發(fā)布的ARM7TDMI處理器到2002年發(fā)布的ARMll處理器系列。
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    Mobileye
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    Mobileye在單目視覺(jué)高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng) (ADAS) 的開(kāi)發(fā)方面走在世界前列,提供芯片搭載系統(tǒng)和計(jì)算機(jī)視覺(jué)算法運(yùn)行 DAS 客戶(hù)端功能,例如車(chē)道偏離警告 (LDW)、基于雷達(dá)視覺(jué)融合的車(chē)輛探測(cè)、前部碰撞警告 (FCW)、車(chē)距監(jiān)測(cè) (HMW)、行人探測(cè)、智能前燈控制 (IHC)、交通標(biāo)志識(shí)別 (TSR)、僅視覺(jué)自適應(yīng)巡航控制 (ACC) 等。
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    CC2541
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    CC2541 是一款針對(duì)低能耗以及私有 2.4GHz 應(yīng)用的功率優(yōu)化的真正片載系統(tǒng) (SoC) 解決方案。
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    STM32F4是由ST(意法半導(dǎo)體)開(kāi)發(fā)的一種高性能微控制器。其采用了90 納米的NVM 工藝和ART(自適應(yīng)實(shí)時(shí)存儲(chǔ)器加速器,Adaptive Real-Time MemoryAccelerator?)。
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    PFM
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    壓電力顯微鏡(PFM)即是在AFM基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)利用原子力顯微鏡導(dǎo)電探針檢測(cè)樣品的在外加激勵(lì)電壓下的電致形變量的顯微鏡。為了有效的提取出PFM信號(hào),通常會(huì)對(duì)探針施加某一固定頻率(遠(yuǎn)低于探針共振頻率)的激勵(lì)信號(hào),通過(guò)鎖相放大器對(duì)PFM信號(hào)進(jìn)行提取。
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模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線(xiàn)性穩(wěn)壓器 LDO 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器 TWS BLDC 無(wú)刷直流驅(qū)動(dòng)器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開(kāi)關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無(wú)線(xiàn)充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
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