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標(biāo)簽 > 碳化硅

碳化硅

碳化硅

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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物,莫桑石。

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碳化硅技術(shù)

一輛汽車需要哪些半導(dǎo)體器件?

一輛汽車需要哪些半導(dǎo)體器件?

用傳感器如雷達(dá)、攝像頭替代人眼,用算法芯片去替代人腦,再用電子控制去替代人的手腳,最終實(shí)現(xiàn)由智能電腦來(lái)控制汽車,實(shí)現(xiàn)自動(dòng)駕駛。

2023-03-10 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車傳感器功率器件 868 0

SiC器件不同濕法腐蝕工藝的腐蝕機(jī)理和應(yīng)用領(lǐng)域

SiC 晶體中不同類型的位錯(cuò)通常是根據(jù)腐蝕坑的形貌和尺寸來(lái)完成定量分析的。如圖 7(a)所示, 大六邊形沒(méi)有底部的腐蝕坑代表 MP,中六邊形有底部的腐蝕...

2023-03-10 標(biāo)簽:SiC碳化硅 7.1k 0

為什么選擇SiC作為下一個(gè)雙向板載充電器設(shè)計(jì)呢?

硅(Si)基電力電子器件長(zhǎng)期以來(lái)一直主導(dǎo)著電力電子行業(yè),因?yàn)樗鼈兊募夹g(shù)成熟度和相對(duì)容易獲得。

2023-03-07 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器充電器 1.4k 0

一文看懂氧化鎵的晶體結(jié)構(gòu)性質(zhì)和應(yīng)用領(lǐng)域

氧化鎵有5種同素異形體,分別為α、β、γ、ε和δ。其中β-Ga2O3(β相氧化鎵)最為穩(wěn)定,當(dāng)加熱至一定高溫時(shí),其他亞穩(wěn)態(tài)均轉(zhuǎn)換為β相,在熔點(diǎn)1800℃...

2023-03-08 標(biāo)簽:碳化硅氧化鎵 5.8k 0

碳化硅的用途有哪些?碳化硅在高溫下能與氧發(fā)生反應(yīng)嗎?

作為金屬脫氧劑,碳化硅脫氧劑是一種新型的強(qiáng)復(fù)合脫氧劑,取代了傳統(tǒng)的硅粉碳粉進(jìn)行脫氧,各項(xiàng)理化性能穩(wěn)定,脫氧效果好,時(shí)間縮短,提高煉鋼效率,提高鋼的質(zhì)量,...

2023-02-27 標(biāo)簽:多晶硅單晶硅碳化硅 7.5k 0

降低碳化硅牽引逆變器的功率損耗和散熱

降低碳化硅牽引逆變器的功率損耗和散熱

隨著電動(dòng)汽車 (EV) 制造商之間在開(kāi)發(fā)成本更低、行駛里程更長(zhǎng)的車型方面的競(jìng)爭(zhēng)日益激烈,電力系統(tǒng)工程師面臨著減少功率損耗和提高牽引逆變器系統(tǒng)效率的壓力,...

2023-02-27 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車MOSFET逆變器 9.7k 0

一文讀懂全球碳化硅先驅(qū)GeneSiC

憑借領(lǐng)先的GaNFast?氮化鎵功率芯片+強(qiáng)力的GeneSiC 碳化硅MOSFTEs的產(chǎn)品組合,納微半導(dǎo)體以雙擎驅(qū)動(dòng)的姿態(tài)在電力電子能源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域高歌前進(jìn)。

2023-02-27 標(biāo)簽:MOSFETSiC氮化鎵 843 0

汽車碳化硅逆變器的原理、作用和性能

  汽車碳化硅逆變器是一種基于碳化硅芯片制造的逆變器,用于將直流電轉(zhuǎn)換為交流電,以驅(qū)動(dòng)電動(dòng)車的電動(dòng)機(jī)。其主要原理是利用逆變器電路中的三相橋式變流器,將直...

2023-02-25 標(biāo)簽:電動(dòng)車逆變器碳化硅 4.8k 0

汽車碳化硅芯片原理、性能和用途

  汽車碳化硅芯片是一種新型的功率半導(dǎo)體器件,相比傳統(tǒng)的硅基功率器件,它具有更高的工作溫度、更低的開(kāi)關(guān)損耗和更高的開(kāi)關(guān)速度等優(yōu)點(diǎn),因此被廣泛應(yīng)用于汽車電...

2023-02-25 標(biāo)簽:芯片半導(dǎo)體碳化硅 4.9k 0

碳化硅晶片的性質(zhì)及其用途

碳化硅晶片是一種新型的半導(dǎo)體材料,由碳和硅組成,具有高溫、高壓、高頻、高功率等特性。

2023-02-25 標(biāo)簽:led照明半導(dǎo)體材料紅外探測(cè)器 4.2k 0

Si/SiC和GaN HEMT器件的結(jié)構(gòu)比較!

碳化硅(SiC)技術(shù)改進(jìn)了各種應(yīng)用中的多個(gè)系統(tǒng)和子系統(tǒng)組件。與硅相比,碳化硅通過(guò)更快的開(kāi)關(guān)、在整個(gè)溫度范圍內(nèi)的平坦RDS(on)和更好的體二極管性能表現(xiàn)...

2023-02-24 標(biāo)簽:晶體管SiCGaN 2.3k 0

碳化硅與氮化鎵相比如何?碳化硅的使用場(chǎng)景在哪里?

碳化硅(SiC)由硅(原子序數(shù)14)和碳(原子序數(shù)6),形成類似于金剛石的強(qiáng)共價(jià)鍵,是一種堅(jiān)固的六方結(jié)構(gòu)化合物,具有寬禁帶半導(dǎo)體特性。

2023-02-22 標(biāo)簽:氮化鎵碳化硅 5.5k 0

氧化鎵的性能、應(yīng)用和成本 氧化鎵的應(yīng)用領(lǐng)域

我國(guó)的氧化鎵襯底能夠小批量供應(yīng),外延、器件環(huán)節(jié)產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程幾乎空白,研發(fā)主力軍和突出成果都在高校和科研院所當(dāng)中。

2023-02-22 標(biāo)簽:碳化硅氧化鎵寬禁帶半導(dǎo)體 5.1k 0

碳化硅(SiC)在汽車電子中的應(yīng)用

熱設(shè)計(jì)在電力電子系統(tǒng)中起著決定性的作用,以便設(shè)計(jì)高功率密度,從而設(shè)計(jì)緊湊的系統(tǒng)。

2023-02-22 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車SiC碳化硅 1.5k 0

SiC器件的優(yōu)缺點(diǎn)!

在逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和電池充電器等應(yīng)用中,碳化硅(SiC)器件具有更高的功率密度、更低的冷卻要求和更低的整體系統(tǒng)成本等優(yōu)勢(shì)。

2023-02-21 標(biāo)簽:逆變器IGBTSiC 4.8k 0

真正實(shí)現(xiàn)碳化硅的汽車資質(zhì)

真正實(shí)現(xiàn)碳化硅的汽車資質(zhì)

車載充電器 (OBC)、DC-DC 轉(zhuǎn)換器和牽引逆變器都受益于 SiC,正在進(jìn)行的工藝和架構(gòu)改進(jìn)肯定會(huì)增加其已經(jīng)相當(dāng)可觀的吸引力。這種增強(qiáng)將擴(kuò)大這種寬帶...

2023-02-21 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車MOSFET碳化硅 440 0

碳化硅在高溫下能與氧發(fā)生反應(yīng)嗎?

碳化硅在高溫下能與氧發(fā)生反應(yīng)嗎?

 碳化硅的應(yīng)用主要在于它的半導(dǎo)體性能與力學(xué)性能兩個(gè)方面。高溫下與氧反應(yīng)。

2023-02-20 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiC碳化硅 4.3k 0

分立SIC器件在電驅(qū)系統(tǒng)中的應(yīng)用

更高的效率,省電池,省電費(fèi) 碳化硅控制器具有更高的能量轉(zhuǎn)換效率,在不同的應(yīng)用工況下可使能耗降低3%~6% -同樣的電池容量,增加續(xù)航里程 -同樣的...

2023-02-20 標(biāo)簽:控制器SiC碳化硅 504 0

蘋(píng)果派和電源轉(zhuǎn)換器效率

蘋(píng)果派和電源轉(zhuǎn)換器效率

以“母性和蘋(píng)果派”的陳述開(kāi)始博客總是很誘人的,比如更好的功率轉(zhuǎn)換效率的好處列表。更高顯然是一個(gè)優(yōu)勢(shì),但有時(shí)凈收益被錯(cuò)誤地陳述了——家用電子產(chǎn)品的一點(diǎn)熱量...

2023-02-20 標(biāo)簽:MOSFET晶體管碳化硅 445 0

從碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管晶體管中獲得最佳性能

從碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管晶體管中獲得最佳性能

性能是一個(gè)主觀術(shù)語(yǔ) - 它可以以任意多種方式進(jìn)行衡量,但在功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域,它歸結(jié)為兩個(gè)相互依賴的主要值,效率和成本。眾所周知,硅作為半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)材料在傳導(dǎo)和...

2023-02-20 標(biāo)簽:MOSFET晶體管碳化硅 2.1k 0

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    從背景上看,28nm誕生于2008年那場(chǎng)金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響,當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是,在這之后的幾年,包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營(yíng)資金壓力,將更多的資源集中到相對(duì)投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
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數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開(kāi)關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無(wú)線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
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