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標(biāo)簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。
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碳化硅二極管是一種由碳化硅材料制成的半導(dǎo)體器件，它具有較高的強(qiáng)度、輕量、耐磨性和耐腐蝕性。碳化硅二極管的工作原理是，當(dāng)電壓通過碳化硅二極管時(shí)，電子會(huì)...
汽車碳化硅技術(shù)的性能和優(yōu)缺點(diǎn)
汽車碳化硅技術(shù)是一種利用碳化硅材料制造出的汽車零部件，它具有較高的強(qiáng)度、輕量、耐磨性和耐腐蝕性。碳化硅材料是由碳原子和硅原子組成的復(fù)合材料，具有良好...
SiC 的禁帶寬度是硅片的3+倍，保證了SiC 器件在高溫條件下的工作穩(wěn)定性，減少因高溫造成的器件故障現(xiàn)象。
聚焦器件可靠性、柵極驅(qū)動(dòng)器創(chuàng)新和總體系統(tǒng)解決方案
第二項(xiàng)關(guān)鍵測(cè)試是短路耐受時(shí)間 (SCWT)，或者說軌到軌短路條件下設(shè)備發(fā)生故障前的最長(zhǎng)耐受時(shí)間。測(cè)試結(jié)果應(yīng)接近功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中使用的IGBT，其中大多數(shù)擁...
2023-02-15 標(biāo)簽：MOSFET驅(qū)動(dòng)器碳化硅 345 0
電機(jī)碳化硅技術(shù)要求 電機(jī)碳化硅技術(shù)指標(biāo)
電機(jī)碳化硅是一種由碳和硅組成的復(fù)合材料，具有優(yōu)異的電學(xué)性能、良好的熱穩(wěn)定性、良好的耐腐蝕性和絕緣性，可以用于電機(jī)的絕緣層、熱管理、電學(xué)性能和耐腐蝕性...
碳化硅是一種結(jié)構(gòu)穩(wěn)定的碳和硅的化合物，它是由碳原子和硅原子組成的類似金剛石的結(jié)構(gòu)。碳化硅具有優(yōu)異的電學(xué)性能，具有高熱穩(wěn)定性、高絕緣性、高耐磨性、高抗...
碳化硅是一種半導(dǎo)體材料，它具有優(yōu)異的電子特性，可以用于制造電子器件。它是由碳原子和硅原子組成的，具有高熔點(diǎn)、高熱穩(wěn)定性和高電阻率等特性。
2023-02-14 標(biāo)簽：電子器件半導(dǎo)體材料碳化硅 2.4k 0
在SiC的BaSiC博客系列中，我們將探討碳化硅的許多不同功能。讓我們從這種不尋常材料的特性和應(yīng)用的快速入門開始。
氮化鎵晶體管型號(hào)參數(shù)主要包括電壓限值、電流密度、功率密度、效率、溫度系數(shù)、漏電流、漏電壓、抗電磁干擾能力等。
氮化鎵（GaN：Gallium Nitride）是氮和鎵化合物，具體半導(dǎo)體特性，早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點(diǎn)高穩(wěn)定...
背后功率器件那些事兒：MOSFET、IGBT及碳化硅的應(yīng)用
當(dāng)充電樁向高壓架構(gòu)發(fā)展的趨勢(shì)越來越明顯，高性能MOSFET的需求也越來越大，通過改進(jìn)器件結(jié)構(gòu)的超級(jí)結(jié)MOSFET應(yīng)運(yùn)而生了。
這些優(yōu)勢(shì)有利于電源的高效率化，并且通過高頻驅(qū)動(dòng)實(shí)現(xiàn)電感等無源器件的小型化、低 噪化，可廣泛應(yīng)用于空調(diào)、電源、光伏發(fā)電系統(tǒng)中的功率調(diào)節(jié)器、電動(dòng)汽車的快速充...
碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
在SiC MOSFET的開發(fā)與應(yīng)用方面，與相同功率等級(jí)的Si MOSFET相比，SiC MOSFET導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗大幅降低，適用于更高的工作頻率...
隨著技術(shù)的發(fā)展，電動(dòng)汽車對(duì)電力電子功率驅(qū)動(dòng)等系統(tǒng)提出了更高的要求，即更輕、更緊湊、更高效、更可靠等，但是傳統(tǒng)的硅基功率器件由于材料的限制，其各方面的特性...
2023-02-12 標(biāo)簽：變換器驅(qū)動(dòng)碳化硅 1.8k 0
碳化硅，是一種無機(jī)物，化學(xué)式為SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅為應(yīng)用最廣泛、...
碳化硅SiC MOSFET器件的結(jié)構(gòu)及特性
SiC功率MOSFET內(nèi)部晶胞單元的結(jié)構(gòu)，主要有二種：平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)。平面SiC MOSFET的結(jié)構(gòu)，如圖1所示。這種結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)是工藝簡(jiǎn)單，單元...
碳化硅MOSFET對(duì)比硅IGBT的優(yōu)勢(shì)
開關(guān)器件在運(yùn)行過程中存在短路風(fēng)險(xiǎn)，配置合適的短路保護(hù)電路，可以有效減少開關(guān)器件在使用過程中因短路而造成的損壞。與硅IGBT相比，碳化硅MOSFET短...
2023-02-12 標(biāo)簽：MOSFETIGBT開關(guān)器件 3.3k 0
在SiC MOSFET的開發(fā)與應(yīng)用方面，與相同功率等級(jí)的Si MOSFET相比，SiC MOSFET導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗大幅降低，適用于更高的工作頻率...
為您的設(shè)計(jì)選擇最佳選項(xiàng)：碳化硅MOSFET相對(duì)于IGBT的優(yōu)勢(shì)！
GBT（絕緣柵雙極晶體管）和MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）用于許多不同類型的電源應(yīng)用，包括可再生能源、航空航天、汽車和運(yùn)輸、測(cè)試和測(cè)量以及...
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