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標(biāo)簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。
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碳化硅(SiC)電力電子器件將替代IGBT——這是英飛凌、羅姆等國(guó)際知名企業(yè)一致觀點(diǎn)。而比亞迪已經(jīng)開始布局。
碳化硅作為一種新型半導(dǎo)體材料,因其高熱導(dǎo)率、高電子飽和速度和高擊穿電場(chǎng)等特性,被廣泛應(yīng)用于高溫、高壓和高頻電子器件中。然而,碳化硅材料中的缺陷,如微管、...
2025-01-24 標(biāo)簽:電子器件半導(dǎo)體材料電導(dǎo)率 3.1k 0
納米技術(shù)領(lǐng)域最盛大的博覽會(huì)即將召開
來自中國(guó)微米納米技術(shù)學(xué)會(huì)通知,10月28-30日,一年一度的納米技術(shù)領(lǐng)域最盛大的博覽會(huì)中國(guó)國(guó)際納米技術(shù)產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)即將隆重召開! 不管您是來自學(xué)術(shù)界、企業(yè)...
碳化硅襯底的濾波器可以實(shí)現(xiàn)更好的防熱,提供更好的溫度補(bǔ)償,從而減少溫度超薄,提高濾波器功率,將其應(yīng)用于更高功率的場(chǎng)景,比如5g的小基站或微基站場(chǎng)景。濾波...
碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)全景:國(guó)內(nèi)外主要廠商分布圖
中國(guó)在碳化硅襯底領(lǐng)域的布局顯示出了其對(duì)半導(dǎo)體材料自主供應(yīng)鏈建設(shè)的重視。隨著全球?qū)Ω咝堋⒏吣陀眯噪娮悠骷枨蟮脑黾?,碳化硅襯底由于其在高溫、高電壓和高頻...
2024-02-27 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料碳化硅 3.1k 0
SiC碳化硅MOSFET在LLC應(yīng)用中取代超結(jié)MOSFET的優(yōu)勢(shì)和邏輯
傾佳電子電源LLC深度研究分析與SiC碳化硅MOSFET在LLC應(yīng)用中取代超結(jié)MOSFET的優(yōu)勢(shì)和邏輯 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于...
碳化硅半導(dǎo)體器件為你加油 富昌電子英飛凌超級(jí)品牌月活動(dòng)來襲
碳化硅(SiC)材料一直被視為半導(dǎo)體器件的最佳材料,隨著科學(xué)技術(shù)的日新月異以及新能源的快速發(fā)展,它被廣泛使用于各個(gè)領(lǐng)域,整個(gè)市場(chǎng)對(duì)它的需求也與日俱增。 ...
SiC材料具有優(yōu)異的高溫穩(wěn)定性、耐腐蝕性、熱導(dǎo)性能和機(jī)械強(qiáng)度等優(yōu)勢(shì),因此受到廣泛關(guān)注和應(yīng)用。
2023-12-26 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車MOS管功率器件 3.1k 0
近年來,SiC功率器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和制造工藝日趨完善,已經(jīng)接近其材料特性決定的理論極限,依靠Si器件繼續(xù)完善來提高裝置與系統(tǒng)性能的潛力十分有限。本文首先介紹...
2022-11-24 標(biāo)簽:功率器件SiC功率半導(dǎo)體 3.1k 0
作為第三代功率半導(dǎo)體的絕世雙胞胎,氮化鎵MOS管和碳化硅MOS管日益受到業(yè)界特別是電氣工程師的關(guān)注。電氣工程師之所以如此關(guān)注這兩種功率半導(dǎo)體,是因?yàn)樗鼈?..
2023-10-07 標(biāo)簽:MOS氮化鎵功率半導(dǎo)體 3.1k 0
基本半導(dǎo)體推出汽車級(jí)全碳化硅三相全橋MOSFET模塊Pcore6
汽車級(jí)全碳化硅三相全橋MOSFET模塊Pcore6是基本半導(dǎo)體基于廣大汽車廠商對(duì)核心牽引驅(qū)動(dòng)器功率器件的高性能、高效率等需求設(shè)計(jì)并推出的產(chǎn)品。
高壓快充充電樁產(chǎn)業(yè) 碳化硅材料模塊或成必由之路
為適應(yīng)未來大功率高壓快充發(fā)展趨勢(shì),主流車企及充電運(yùn)營(yíng)商已經(jīng)開始布局大功率快充樁。但高壓快充對(duì)充電樁的高效性和安全性都提出了更高的要求,在設(shè)備方面亟需采用...
磨削和研磨等磨料處理是生產(chǎn)半導(dǎo)體芯片的必要方式,然而研磨會(huì)導(dǎo)致芯片表面的完整性變差。因此,拋光的一致性、均勻性和表面粗糙度對(duì)生產(chǎn)芯片來說是十分重要的。
2023-12-21 標(biāo)簽:CMP碳化硅半導(dǎo)體芯片 3.1k 0
英飛凌新款8kW、12kW服務(wù)器電源可滿足AI需求?
相比常規(guī)服務(wù)器,AI服務(wù)器的峰值功率和持續(xù)運(yùn)行時(shí)間較長(zhǎng),加上需處理更大規(guī)模AI數(shù)據(jù)中心的電力供應(yīng),無疑給這個(gè)行業(yè)帶來了巨大壓力。
2024-05-29 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)中心碳化硅AI服務(wù)器 3.1k 0
青銅劍科技發(fā)布全碳化硅器件解決方案,助力新能源汽車產(chǎn)業(yè)發(fā)展
青銅劍科技、基本半導(dǎo)體聯(lián)合發(fā)布了面向新能源汽車電機(jī)控制器的全碳化硅器件解決方案。
目前車規(guī)級(jí)IGBT功率模塊主要采用硅基材料制作,與硅基半導(dǎo)體材料相比, 以SiC為代表的第三代半導(dǎo)體材料具有高擊穿電場(chǎng)、高飽和電子漂移速度、高熱導(dǎo)率等特...
三安光電碳化硅傳獲車規(guī)級(jí)質(zhì)量認(rèn)證 通過IATF 16949:2016質(zhì)量管理體系認(rèn)證
三安光電碳化硅傳獲車規(guī)級(jí)質(zhì)量認(rèn)證 通過IATF 16949:2016質(zhì)量管理體系認(rèn)證 行業(yè)內(nèi)有標(biāo)準(zhǔn)如果要進(jìn)入一級(jí)汽車電子大廠供應(yīng)鏈,必須取得對(duì)應(yīng)的認(rèn)證,...
比亞迪半導(dǎo)體SiC功率模塊斬獲2021年度“全球電子成就獎(jiǎng)”
11月3日,由全球電子技術(shù)領(lǐng)域知名媒體集團(tuán)ASPENCORE主辦的2021全球 CEO 峰會(huì)暨全球電子成就獎(jiǎng)(WEAA)頒獎(jiǎng)典禮在深如期舉辦。比亞迪半導(dǎo)...
第16屆“中國(guó)芯”-寬禁帶半導(dǎo)體助力碳中和發(fā)展峰會(huì)成功舉辦
大會(huì)同期舉辦了面向?qū)捊麕О雽?dǎo)體領(lǐng)域的“寬禁帶半導(dǎo)體助力碳中和發(fā)展峰會(huì)”。峰會(huì)以“創(chuàng)新技術(shù)應(yīng)用,推動(dòng)后摩爾時(shí)代發(fā)展”為主題,邀請(qǐng)了英諾賽科科技有限公司、蘇...
國(guó)產(chǎn)碳化硅進(jìn)擊8英寸 8英寸有何優(yōu)勢(shì)
隨著新能源汽車、光伏和儲(chǔ)能等市場(chǎng)的快速發(fā)展,國(guó)內(nèi)的碳化硅產(chǎn)業(yè)正迅速進(jìn)入商業(yè)化階段。國(guó)際功率半導(dǎo)體巨頭對(duì)該產(chǎn)業(yè)表達(dá)了濃厚的興趣,并與國(guó)內(nèi)企業(yè)合作,積極追趕...
2023-07-10 標(biāo)簽:新能源汽車功率半導(dǎo)體碳化硅 3k 0
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