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碳化硅

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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物，莫桑石。

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碳化硅資訊

碳化硅在車載領(lǐng)域的應(yīng)用方向及制造工藝流程

PVT法生長(zhǎng)非常緩慢，速度約為0.3-0.5mm/h，7天才能生長(zhǎng)2cm，并且最高也僅能生長(zhǎng)3-5cm，晶錠的直徑也多為4英寸、6英寸，而硅基72h即可...

2022-12-09 標(biāo)簽：MOSFET 碳化硅晶圓制造 2.9k 0

有關(guān)電力應(yīng)用中碳化硅的知識(shí)

以下是有關(guān)用于電源應(yīng)用的碳化硅 (SiC) 的 10 個(gè)事實(shí)，包括 SiC 如何實(shí)現(xiàn)比硅更好的熱管理。

2022-08-17 標(biāo)簽：MOSFET 電力 SiC 2.9k 0

關(guān)于碳化硅的 10 件事

碳化硅 (SiC) 是一種由硅 (Si) 和碳 (C) 組成的半導(dǎo)體化合物，屬于寬帶隙 (WBG) 材料系列。它的物理結(jié)合力非常強(qiáng)，使半導(dǎo)體具有很高的機(jī)...

2022-08-04 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 碳化硅 2.9k 0

碳化硅在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用挑戰(zhàn)

碳化硅是一種非常高效的材料，具有高功率和高溫特性。碳化硅 (SiC) 半導(dǎo)體是提高系統(tǒng)效率、支持更高工作溫度和降低電力電子設(shè)計(jì)成本的創(chuàng)新選擇。碳化硅是...

2022-08-08 標(biāo)簽：電力電子 GaN 碳化硅 2.9k 0

碳化硅SiC在光電器件中的使用

碳化硅的基本特性碳化硅是一種由碳和硅組成的化合物半導(dǎo)體，具有以下特性：寬帶隙：SiC的帶隙寬度約為3.26eV，遠(yuǎn)大于硅（Si）的1.12eV，這...

2024-11-25 標(biāo)簽：探測(cè)器光電器件 SiC 2.9k 0

晶豐明源推出大功率內(nèi)置碳化硅產(chǎn)品BP3532GC

當(dāng)前第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)迎來(lái)廣闊發(fā)展機(jī)遇，碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)憑借高頻、高功率、低損耗等優(yōu)異特性，已成為車載快充、數(shù)據(jù)中心及能源領(lǐng)域能效升級(jí)的...

2026-04-29 標(biāo)簽：MOSFET SiC 碳化硅 2.9k 0

UnitedSiC與益登科技簽署分銷協(xié)議加速業(yè)界采用碳化硅技術(shù)

UnitedSiC宣布與益登科技（TWSE： 3048）簽署代理協(xié)議，將產(chǎn)品推向亞洲市場(chǎng)，為包括電動(dòng)汽車、電池充電、IT基礎(chǔ)設(shè)施、可再生能源和電路保護(hù)等...

2020-09-17 標(biāo)簽：碳化硅益登科技 UnitedSiC 2.8k 0

碳化硅外延技術(shù)：解鎖第三代半導(dǎo)體潛力

碳化硅（Silicon Carbide, SiC）作為第三代半導(dǎo)體材料的代表，以其優(yōu)異的物理和化學(xué)特性，在電力電子、光電子、射頻器件等領(lǐng)域展現(xiàn)出了巨大的...

2024-11-27 標(biāo)簽：半導(dǎo)體半導(dǎo)體封裝碳化硅 2.8k 0

森國(guó)科650V/10A SiC二極管的七大封裝形態(tài)

第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件領(lǐng)軍企業(yè)森國(guó)科推出的碳化硅二極管 KS10065（650V/10A），針對(duì)不同場(chǎng)景的散熱、空間及絕緣要求，提供7種封裝形態(tài)，靈...

2025-08-16 標(biāo)簽：二極管碳化硅森國(guó)科 2.8k 0

碳化硅功率器件面臨的挑戰(zhàn)

碳化硅（SiC）器件與高功率應(yīng)用中常用的硅器件相比具有多項(xiàng)優(yōu)勢(shì)。SiC 功率器件仍然面臨一些大規(guī)模生產(chǎn)的挑戰(zhàn)，包括縮放的限制因素、與 SiC 器件較...

2022-08-09 標(biāo)簽：功率器件碳化硅 sic器件 2.8k 0

納微半導(dǎo)體將展示下一代功率半導(dǎo)體的重大突破

下一代平臺(tái)將為數(shù)據(jù)中心、太陽(yáng)能、電動(dòng)汽車、家電及工業(yè)市場(chǎng)設(shè)定新標(biāo)桿

2023-08-28 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車太陽(yáng)能半導(dǎo)體 2.8k 0

芯片研發(fā)過(guò)程中的可靠性測(cè)試——碳化硅功率器件

作為高尖精的產(chǎn)品，芯片的可靠性測(cè)試貫徹始終，從設(shè)計(jì)到選材再到最后的出產(chǎn)，那研發(fā)過(guò)程中具體需要做哪些測(cè)試呢？金譽(yù)半導(dǎo)體帶大家了解一下。

2022-11-03 標(biāo)簽：功率器件碳化硅 2.8k 0

芯粵能半導(dǎo)體碳化硅芯片制造項(xiàng)目通過(guò)廣東省能源局節(jié)能審查

日前，廣東省能源局發(fā)布廣東芯粵能半導(dǎo)體有限公司“面向車規(guī)級(jí)和工控領(lǐng)域的碳化硅芯片制造項(xiàng)目”節(jié)能報(bào)告的審查意見(jiàn)：項(xiàng)目采用的主要技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)和建設(shè)方案符合國(guó)家相...

2023-01-29 標(biāo)簽：碳化硅 2.8k 0

Wolfspeed成功制造出單晶300mm碳化硅晶圓

球碳化硅技術(shù)引領(lǐng)者 Wolfspeed, Inc. (美國(guó)紐約證券交易所上市代碼: WOLF) 今日宣布了一項(xiàng)重大行業(yè)里程碑：成功制造出單晶 300 m...

2026-01-16 標(biāo)簽：功率器件碳化硅 Wolfspeed 2.8k 0

碳化硅與氮化鎵器件的特點(diǎn)差異

　　碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）被稱為“寬帶隙半導(dǎo)體”（WBG）。在帶隙寬度中，硅為1.1eV，SiC為3.3eV，GaN為3.4eV，因此寬帶隙...

2023-02-05 標(biāo)簽：SiC 氮化鎵碳化硅 2.8k 0

三安半導(dǎo)體獲得產(chǎn)業(yè)扶持資金8，107.43萬(wàn)元

2月2日，三安光電發(fā)布公告稱，全資子公司湖南三安半導(dǎo)體有限責(zé)任公司（以下簡(jiǎn)稱“湖南三安”）獲得產(chǎn)業(yè)扶持資金8，107.43萬(wàn)元。公告顯示，根據(jù)三安光電...

2021-02-02 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵碳化硅 2.8k 0

SiC 碳化硅 IGBT/MOSFET導(dǎo)熱散熱絕緣材料特性研究 | 二維氮化硼熱管理材料

引言1.1研究背景與意義碳化硅（SiC）作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料，相比傳統(tǒng)硅基材料具有顯著的技術(shù)優(yōu)勢(shì)。SiC材料的禁帶寬度為3.26eV，是硅的近3倍...

2025-10-31 標(biāo)簽：MOSFET IGBT SiC 2.8k 0

碳化硅供需失衡將成為長(zhǎng)期現(xiàn)象

可以看出在SiC襯底方面，ON Semiconductor有GTAT，ST有Norstel，Rohm有SiCrystal，Wolfspeed自己生產(chǎn)Si...

2023-02-03 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車英飛凌碳化硅 2.8k 0

半導(dǎo)體行業(yè)中的陶瓷材料

一般可采用高純Al2O3涂層作為刻蝕腔體和腔體內(nèi)部件的防護(hù)材料。但是隨著半導(dǎo)體器件最小特征尺寸的減小和晶圓尺寸的增大，為了獲得更高的刻蝕精度和保證刻蝕的...

2022-11-17 標(biāo)簽：等離子體碳化硅 2.8k 0

斯達(dá)半導(dǎo)投資建設(shè)全碳化硅功率模組產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目

可行性分析：2020年下半年，歐洲新能源汽車市場(chǎng)呈現(xiàn)爆發(fā)式增長(zhǎng)，中國(guó)新能源汽車月產(chǎn)銷量屢創(chuàng)新高，各國(guó)紛紛加強(qiáng)戰(zhàn)略謀劃、強(qiáng)化政策驅(qū)動(dòng)，加速發(fā)展新能源汽車。

2021-01-08 標(biāo)簽：新能源汽車模組碳化硅 2.8k 0

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Arduino是一款便捷靈活、方便上手的開(kāi)源電子原型平臺(tái)。包含硬件（各種型號(hào)的Arduino板）和軟件（Arduino IDE)。
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從背景上看，28nm誕生于2008年那場(chǎng)金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營(yíng)資金壓力，將更多的資源集中到相對(duì)投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
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FinFET全稱叫鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚(yú)鰭的相似性。這種設(shè)計(jì)可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長(zhǎng)。
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TI公司

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TI是富有遠(yuǎn)見(jiàn)的企業(yè)，我們是敢于開(kāi)拓的創(chuàng)新者。作為一個(gè)業(yè)務(wù)運(yùn)營(yíng)覆蓋 35 個(gè)國(guó)家的全球性半導(dǎo)體企業(yè)，員工是我們的立足之本。德州儀器（TI）的員工是我們深厚的企業(yè)文化的重要體現(xiàn)。無(wú)論是1958年第一位發(fā)明集成電路的TI員工，還是如今遍布全球負(fù)責(zé)設(shè)計(jì)、制造以及銷售模擬與嵌入式處理芯片的30,000多名TI成員。 TI是一家全球性半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與制造公司：業(yè)務(wù)覆蓋超過(guò)35個(gè)國(guó)家、服務(wù)全球各地超過(guò)10萬(wàn)家客戶、擁有85年的創(chuàng)新歷史、超過(guò)10萬(wàn)種模擬集成電路、嵌入式處理器以及軟件和工具。
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提供最新的羅姆公司產(chǎn)品，最活躍的羅姆工程師社區(qū)
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一般情況，IIoT往往有更結(jié)構(gòu)化的連接環(huán)境，因?yàn)榕c典型的IoT應(yīng)用相比，IIoT 系統(tǒng)履行的職責(zé)更事關(guān)重大。響應(yīng)時(shí)間往往是個(gè)問(wèn)題，像健身跟蹤那樣的IoT應(yīng)用通?？梢韵仍诒镜卮鎯?chǔ)數(shù)據(jù)，無(wú)線鏈路可用時(shí)再行處理。
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廣州金升陽(yáng)科技有限公司，成立于1998年7月，是國(guó)內(nèi)集生產(chǎn)、研發(fā)和銷售為一體的規(guī)模最大、品種最全的工業(yè)模塊電源的制造商之一。
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美國(guó)Vicor 是Vicor Corporation旗下品牌，致力于模塊化電源技術(shù)創(chuàng)新，近年來(lái)專注于48V電源解決方案。Vicor帶來(lái)了全新的配電架構(gòu)、零電流開(kāi)關(guān) （ZCS）及零電壓開(kāi)關(guān) （ZVS）電源轉(zhuǎn)換拓?fù)洹?
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閃存是一種長(zhǎng)壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息）的存儲(chǔ)器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位（注意：NOR Flash 為字節(jié)存儲(chǔ)。），區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。
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　　賽靈思公司（Xilinx）推出的行業(yè)第一個(gè)可擴(kuò)展處理平臺(tái)Zynq系列。旨在為視頻監(jiān)視、汽車駕駛員輔助以及工廠自動(dòng)化等高端嵌入式應(yīng)用提供所需的處理與計(jì)算性能水平。
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Cirrus Logic 1984 年創(chuàng)立于硅谷，是音頻和能源市場(chǎng)上高精度模擬和數(shù)字信號(hào)處理元件的主要供應(yīng)商。Cirrus Logic 擅長(zhǎng)于開(kāi)發(fā)具備優(yōu)秀功能集成和創(chuàng)新的復(fù)雜芯片設(shè)計(jì)。
柵極驅(qū)動(dòng)器

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　　柵極驅(qū)動(dòng)器是一個(gè)用于放大來(lái)自微控制器或其他來(lái)源的低電壓或低電流的緩沖電路。在某些情況下，例如驅(qū)動(dòng)用于數(shù)字信號(hào)傳輸?shù)倪壿嬰娖骄w管時(shí)，使用微控制器輸出不會(huì)損害應(yīng)用的效率、尺寸或熱性能。在高功率應(yīng)用中，微控制器輸出通常不適合用于驅(qū)動(dòng)功率較大的晶體管。
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華星光電

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深圳市華星光電技術(shù)有限公司（以下簡(jiǎn)稱華星光電）是2009年11月16日成立的一家高新科技企業(yè)，公司注冊(cè)資本183.4億元，投資總額達(dá)443億元，是深圳市建市以來(lái)單筆投資額最大的工業(yè)項(xiàng)目，也是深圳市政府重點(diǎn)推動(dòng)的項(xiàng)目。
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驍龍是Qualcomm Technologies（美國(guó)高通）旗下移動(dòng)處理器和LTE調(diào)制解調(diào)器的品牌名稱。
32位單片機(jī)

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ARM，其中ARM7，9，10是公開(kāi)的32位處理器內(nèi)核，很多公司都有基于ARM的單片機(jī)產(chǎn)品。目前國(guó)內(nèi)應(yīng)用最廣泛的所三星和菲利普。
Cortex-A

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　　Cortex-A 系列處理器是一系列處理器，支持ARM32或64位指令集，向后完全兼容早期的ARM處理器，包括從1995年發(fā)布的ARM7TDMI處理器到2002年發(fā)布的ARMll處理器系列。
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Mobileye在單目視覺(jué)高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng) （ADAS）的開(kāi)發(fā)方面走在世界前列，提供芯片搭載系統(tǒng)和計(jì)算機(jī)視覺(jué)算法運(yùn)行 DAS 客戶端功能，例如車道偏離警告（LDW）、基于雷達(dá)視覺(jué)融合的車輛探測(cè)、前部碰撞警告（FCW）、車距監(jiān)測(cè) （HMW）、行人探測(cè)、智能前燈控制（IHC）、交通標(biāo)志識(shí)別（TSR）、僅視覺(jué)自適應(yīng)巡航控制（ACC）等。
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CC2541 是一款針對(duì)低能耗以及私有 2.4GHz 應(yīng)用的功率優(yōu)化的真正片載系統(tǒng) （SoC）解決方案。
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STM32F4是由ST（意法半導(dǎo)體）開(kāi)發(fā)的一種高性能微控制器。其采用了90 納米的NVM 工藝和ART（自適應(yīng)實(shí)時(shí)存儲(chǔ)器加速器，Adaptive Real-Time MemoryAccelerator?）。
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壓電力顯微鏡（PFM）即是在AFM基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)利用原子力顯微鏡導(dǎo)電探針檢測(cè)樣品的在外加激勵(lì)電壓下的電致形變量的顯微鏡。為了有效的提取出PFM信號(hào)，通常會(huì)對(duì)探針施加某一固定頻率（遠(yuǎn)低于探針共振頻率）的激勵(lì)信號(hào)，通過(guò)鎖相放大器對(duì)PFM信號(hào)進(jìn)行提取。
超級(jí)本

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超極本Ultrabook是英特爾繼UMPC、MID、上網(wǎng)本netbook、Consumer Ultra Low Voltage超輕薄筆記本之后，定義的全新品類筆記本產(chǎn)品，集成了平板電腦的應(yīng)用特性與PC的性能，超極本是完整的電腦。

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