奧迪宣布又增2款碳化硅SiC車型

前段時(shí)間，奧迪宣布年底生產(chǎn)碳化硅車型Q6 e-tron（，最近，奧迪又有1款碳化硅車型公布，同時(shí)Lucid也發(fā)布了最新的900V碳化硅車型。

2023-11-25 標(biāo)簽：SiC碳化硅驅(qū)動(dòng)電機(jī) 2.5k 0

瞻芯電子榮登投中2023“銳公司100榜單”

近兩年來(lái)，瞻芯電子快速推出了過(guò)百款產(chǎn)品，其中既有高品質(zhì)、高可靠的車規(guī)級(jí)碳化硅MOSFET，也有成為業(yè)界創(chuàng)新標(biāo)桿的碳化硅專用驅(qū)動(dòng)芯片和模擬PFC控制芯片，...

2023-12-10 標(biāo)簽：SiC碳化硅瞻芯電子 2.5k 0

碳化硅MOS B1M080120HC在車載OBC上的應(yīng)用

基本半導(dǎo)體推出的高性能碳化硅MOS，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)、無(wú)鉛、不含鹵素，非常適用于車載OBC體積及發(fā)熱要求較高的應(yīng)用；B1M080120HC耐壓1200V...

2022-11-16 標(biāo)簽：半導(dǎo)體碳化硅 2.5k 0

國(guó)產(chǎn)SiC產(chǎn)業(yè)再傳捷報(bào):芯塔電子與臻芯龍為引領(lǐng)技術(shù)突破與市場(chǎng)應(yīng)用新篇章

在國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展的浪潮中，碳化硅（SiC）作為第三代半導(dǎo)體的代表材料，正逐步成為新能源汽車、光伏儲(chǔ)能及工業(yè)電源等領(lǐng)域的核心驅(qū)動(dòng)力。近期，國(guó)內(nèi)兩家...

2024-07-03 標(biāo)簽：SiC碳化硅芯塔電子 2.5k 0

力爭(zhēng)“碳中和”,第三代半導(dǎo)體可提升能源轉(zhuǎn)換效率

為應(yīng)對(duì)氣候變化，我國(guó)提出，二氧化碳排放力爭(zhēng)于2030年前達(dá)到峰值，努力爭(zhēng)取2060年前實(shí)現(xiàn)“碳中和”。

2021-03-18 標(biāo)簽：新能源汽車半導(dǎo)體晶圓 2.5k 0

爍科晶體：向世界一流的碳化硅材料供應(yīng)商不斷邁進(jìn)

第三代半導(dǎo)體碳化硅材料生產(chǎn)及研究開發(fā)企業(yè)作為中國(guó)電科集團(tuán)的“12大創(chuàng)新平臺(tái)之一，山西爍科晶體有限公司聚焦碳化硅單晶襯底領(lǐng)域，已成為國(guó)內(nèi)實(shí)現(xiàn)碳化硅襯底材料...

2023-12-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體供應(yīng)鏈碳化硅 2.5k 0

宇泉保定半導(dǎo)體揭牌，年產(chǎn)165萬(wàn)碳化硅功率模塊

據(jù)《保定晚報(bào)》報(bào)道，宇泉半導(dǎo)體（保定）有限公司是由保定高新區(qū)攜手北京世紀(jì)金光半導(dǎo)體有限公司共同組建而成。該項(xiàng)目自去年11月份起展開籌備工作，旨在吸引世紀(jì)...

2024-05-30 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率模塊碳化硅 2.5k 0

瑞能半導(dǎo)體最新推出1700V SiC MOSFET產(chǎn)品

作為全球規(guī)模最大的半導(dǎo)體制造產(chǎn)業(yè)年度盛會(huì)之一，CISES聚焦行業(yè)發(fā)展新動(dòng)態(tài)、新趨勢(shì)、新產(chǎn)品，致力于為業(yè)界高端決策者提供國(guó)際性合作交流平臺(tái)。

2022-09-07 標(biāo)簽：碳化硅SiC MOSFET瑞能半導(dǎo)體 2.4k 0

碳化硅功率器件技術(shù)可靠性！

前言：碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈包含碳化硅粉末、碳化硅晶錠、碳化硅襯底、碳化硅外延、碳化硅晶圓、碳化硅芯片和碳化硅器件封裝環(huán)節(jié)。其中襯底、外延片、晶圓、器件封測(cè)是碳化...

2023-01-05 標(biāo)簽：晶圓功率器件碳化硅 2.4k 0

江蘇超芯星天使輪融資完成，首創(chuàng)大尺寸擴(kuò)徑技術(shù)

據(jù)江蘇超芯星半導(dǎo)體有限公司官網(wǎng)介紹，超芯星半導(dǎo)體于2019年4月落戶江蘇儀征經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)，是國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體企業(yè)，致力于6英寸碳化硅襯底的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化。

2020-03-16 標(biāo)簽：半導(dǎo)體碳化硅 2.4k 0

基于碳化硅系統(tǒng)支持的趨勢(shì)

　推動(dòng)電動(dòng)汽車市場(chǎng)的綠色意識(shí)和法規(guī)推動(dòng)了電池技術(shù)和碳化硅設(shè)計(jì)的創(chuàng)新，以改變綠色能源的產(chǎn)生。

2022-10-13 標(biāo)簽：逆變器太陽(yáng)能發(fā)電碳化硅 2.4k 0

碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)的干擾及延遲

硅IGBT與碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)兩者電氣參數(shù)特性差別較大，碳化硅MOSFET對(duì)于驅(qū)動(dòng)的要求也不同于傳統(tǒng)硅器件，主要體現(xiàn)在GS開通電壓、GS關(guān)斷電壓、短...

2023-02-03 標(biāo)簽：MOSFET電壓IGBT 2.4k 0

河南澠池縣碳化硅半導(dǎo)體材料及砷化鎵襯底固廢綜合利用項(xiàng)目

5月9日，河南澠池縣舉行了化合物半導(dǎo)體碳化硅材料與固廢綜合利用砷化鎵襯底項(xiàng)目的簽約儀式。在儀式上，化合物半導(dǎo)體材料團(tuán)隊(duì)執(zhí)行總監(jiān)李有群對(duì)該項(xiàng)目做了詳細(xì)介紹。

2024-05-10 標(biāo)簽：半導(dǎo)體砷化鎵碳化硅 2.4k 0

OBC企業(yè)要如何采用碳化硅器件

國(guó)產(chǎn)碳化硅上車首先是技術(shù)過(guò)硬，目前，多家國(guó)產(chǎn)企業(yè)的SiC MOSFET技術(shù)實(shí)力已經(jīng)是實(shí)現(xiàn)領(lǐng)先。以愛仕特為例，據(jù)李潤(rùn)華介紹，愛仕特自主設(shè)計(jì)的第三代6英寸S...

2022-02-24 標(biāo)簽：封裝SiC碳化硅 2.4k 0